【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生产设备的领域，尤其是涉及一种埚托和单晶炉组合埚具。
技术介绍
1、 ccz 即连续拉晶，可有效降低单晶拉棒的时间、坩埚成本和能耗，并且 ccz 产出晶棒电阻率更加均匀、分布更窄，品质更高。
2、在单晶硅棒拉制过程中，随着拉制硅单晶直径的增加，由于热量的导入面积—固液界面面积的增加速率(与硅单晶棒的半径呈平方关系)大大高于硅单晶棒圆柱侧面面积的增加速率(与硅单晶棒的半径呈线性关系)，因此用直拉法拉制大直径圆柱形硅单晶棒时，遇到了散热条件差、硅单晶棒表面和体内温差大、热应力大的问题时，就无法继续通过增加硅单晶截面积的途径提高生产率、降低生产成本，同时也会导致单晶硅棒径向品质均匀性差的问题。
3、而目在单晶硅棒拉制过程中使用到的拉晶坩埚，一般为圆底坩埚，在长时间工作时会导致晶棒底部溶体越来越多，进而使整体散热性下降，因此就出对单晶硅棒的生产质量造成不良影响。
技术实现思路
1、本申请提供一种埚托和单晶炉组合埚具，具有较好的散热性能，从而有助于提高单晶硅棒的生产品质。
2、第一方面，本申请提供一种埚托，采用如下技术方案：
3、一种埚托，其特征在于：包括埚托本体；所述埚托本体的中心位置处设置有凸起部；
4、所述埚托本体上开设有通气道，所述通气道延伸至凸起部内；
5、所述凸起部内设置有存气槽，所述通气道与存气槽连通。
6、优选的，所述通气道包括进气道和排气道，所述进气道和排气道均与存气槽连通。
7、优选的，所述凸起部和进气道均设置在埚托本体中心位置；所述排气道由埚托本体中心位置延伸至埚托本体周缘位置，并且所述排气道设置有多个并且环绕进气道呈中心发散状分布。
8、优选的，还包括埚托帮；所述埚托本体顶部开设有安装槽，所述埚托帮底缘设置在安装槽内并与安装槽配合。
9、另一方面，本申请提供一种单晶炉组合埚具，包括上述中的埚托和ccz异形坩埚，所述ccz异形坩埚包括埚帮和埚底；所述埚底的中心位置凸起并向埚帮内侧延伸。
10、优选的，所述埚底向埚帮内侧凸起的部分为弧型或多面型。
11、综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
12、1.ccz异形坩埚采用埚底中心凸起设置，有效减少晶棒底部熔体，增加晶棒中心散热效率。而埚托采用内部通气的方案增加散热效率，进一步提高坩埚的散热效率，因此，ccz异形坩埚和埚托组成的单晶炉组合埚具，具有散热效率高、提升晶棒径向品质均匀度、提高产量、有利ccz加料熔料等优点；
13、2.气体通过进气道进入存气槽内部后可以搅动存气槽内部的气体，以便于温度较高的气体能够从排气道内排出，以便于提升换热效率；并且由于排气道呈中心发散状设置，可以有效提升坩埚本体的散热效率。
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1.一种埚托，其特征在于：包括埚托本体（3）；所述埚托本体（3）的中心位置处设置有凸起部（31）；
2.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于：所述通气道（33）包括进气道（331）和排气道（332），所述进气道（331）和排气道（332）均与存气槽（32）连通。
3.根据权利要求2所述的埚托，其特征在于：所述凸起部（31）和进气道（331）均设置在埚托本体（3）中心位置；所述排气道（332）由埚托本体（3）中心位置延伸至埚托本体（3）周缘位置，并且所述排气道（332）设置有多个并且环绕进气道（331）呈中心发散状分布。
4.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于：还包括埚托帮（4）；所述埚托本体（3）顶部开设有安装槽（34），所述埚托帮（4）底缘设置在安装槽（34）内并与安装槽（34）配合。
5.一种单晶炉组合埚具，其特征在于：包括权利要求1-4任意一项所述的埚托和CCZ异形坩埚，所述CCZ异形坩埚包括埚帮（2）和埚底（1）；所述埚底（1）的中心位置凸起并向埚帮（2）内侧延伸。
6.根据权利要求5所述的单晶炉组合埚具，其特
...【技术特征摘要】
1.一种埚托，其特征在于：包括埚托本体（3）；所述埚托本体（3）的中心位置处设置有凸起部（31）；
2.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于：所述通气道（33）包括进气道（331）和排气道（332），所述进气道（331）和排气道（332）均与存气槽（32）连通。
3.根据权利要求2所述的埚托，其特征在于：所述凸起部（31）和进气道（331）均设置在埚托本体（3）中心位置；所述排气道（332）由埚托本体（3）中心位置延伸至埚托本体（3）周缘位置，并且所述排气道（332）设置有多个并且环绕进气道（331）...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹燕刚，黄鸣，李世香，
申请(专利权)人：北京北方华创真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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