【技术实现步骤摘要】
实施例总的来说提供一种显示装置和制造显示装置的方法。
技术介绍
1、显示装置是显示图像的装置，并且可包括布置在显示区域中的像素。像素可以是发光的最小单元，并且多个像素可提供在显示区域中。
2、像素可包括发光部分和电连接至发光部分以向发光部分提供驱动电流的像素电路。像素电路可包括用于生成(或传输)驱动电流的至少一个晶体管。
3、晶体管可包括氧化物半导体材料和电接触(或连接至)氧化物半导体材料的至少一个电极。在这种情况下，当在氧化物半导体材料与电极之间的电连接中出现缺陷时，显示装置的显示质量可劣化。
4、另外，至少一个掩模可用于制造包括晶体管的像素。随着制造工艺中使用的掩模数量的增加，显示装置的制造成本增加，显示装置中缺陷的出现增加，并且制造工艺的效率可降低。
技术实现思路
1、实施例提供一种具有提高的显示质量的显示装置。
2、实施例提供一种具有提高的工艺效率的制造显示装置的方法。
3、根据本公开的实施例的显示装置包括：缓冲层，包括无机绝缘材料；有源图案，设置在缓冲层上并且包括沟道区和与沟道区相邻的第一导体区；栅绝缘层，设置在缓冲层和有源图案上并且包括无机绝缘材料；栅电极层，包括第一电极，第一电极包括通过沿着栅绝缘层的侧表面延伸而电接触第一导体区的第一接触部分；以及供氧层，包括设置在第一电极与栅绝缘层之间的第一图案，其中第一图案包括在平面图中从第一图案的侧表面凹陷以围绕第一接触部分的至少一部分的第一凹槽。
4、在实
5、在实施例中，栅绝缘层的侧表面相对于有源图案的上表面的平均锥角可以是大约65度以下且大约30度以上。
6、在实施例中，显示装置可进一步包括设置在缓冲层之下并且包括电连接至第一电极的第一下电极的下电极层。
7、在实施例中，第一电极可包括通过穿过栅绝缘层和缓冲层形成的通孔电接触第一下电极的第一下电极接触部分。第一图案可包括在厚度方向上穿过第一图案形成并且在平面图中暴露第一下电极接触部分的第一开口。
8、在实施例中，在平面图中位于第一开口的边缘与第一下电极接触部分的边缘之间的区域中，第一电极可直接接触栅绝缘层的上表面。
9、在实施例中，有源图案可进一步包括与第一导体区间隔开的第二导体区，沟道区插入在第二导体区与第一导体区之间。栅电极层可进一步包括第二电极，第二电极包括通过沿着栅绝缘层的侧表面延伸而电接触第二导体区的第二接触部分，并且与第一电极间隔开。供氧层可进一步包括设置在第二电极与栅绝缘层之间并且与第一图案间隔开的第二图案。在平面图中从第二图案的侧表面凹陷以围绕第二接触部分的至少一部分的第二凹槽可限定在第二图案中。
10、在实施例中，在平面图中位于第二图案的限定第二凹槽的边缘与第二接触部分的边缘之间的区域中，第二电极可直接接触栅绝缘层的上表面。
11、在实施例中，显示装置可进一步包括设置在缓冲层之下并且包括电连接至第二电极的第二下电极的下电极层。
12、在实施例中，第二电极可包括第二下电极接触部分，第二下电极接触部分通过穿过栅绝缘层和缓冲层形成的通孔电接触第二下电极。第二图案可包括第二开口，第二开口在厚度方向上穿过第二图案形成并且在平面图中暴露第二下电极接触部分。
13、在实施例中，在平面图中位于第二开口的边缘与第二下电极接触部分的边缘之间的区域中，第二电极可直接接触栅绝缘层的上表面。
14、在实施例中，栅电极层可进一步包括被设置为与沟道区重叠的栅电极。供氧层可进一步包括设置在栅电极与栅绝缘层之间的第三图案。
15、在实施例中，在截面图中，第三图案的侧表面可与栅电极的侧表面对齐。
16、在实施例中，第三图案的侧表面可与设置在第三图案之下的栅绝缘层的侧表面对齐。
17、在实施例中，供氧层和有源图案中的每一个可包括氧化物半导体材料。
18、在实施例中，供氧层可直接接触栅电极层。
19、根据本公开实施例的制造显示装置的方法包括：在缓冲层上形成有源图案；在缓冲层和有源图案上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成初步供氧层；在初步供氧层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模各向同性蚀刻初步供氧层；通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻栅绝缘层，穿过栅绝缘层形成暴露有源图案的第一通孔；去除第一光致抗蚀剂图案；形成初步栅电极层以完全覆盖初步供氧层；在初步栅电极层上形成第二光致抗蚀剂图案；以及通过使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻初步栅电极层和初步供氧层来形成第一电极和设置在第一电极与栅绝缘层之间的第一图案，第一电极包括通过沿着栅绝缘层的侧表面延伸而电接触有源图案的第一接触部分。
20、在实施例中，在各向同性蚀刻初步供氧层时，各向同性蚀刻后的初步供氧层可限定在平面图中完全暴露第一通孔的第一有源开口。在平面图中，第一有源开口的面积可大于第一通孔的面积。
21、在实施例中，在形成第一电极和第一图案时，在平面图中从第一图案的侧表面凹陷以围绕第一接触部分的至少一部分的第一凹槽可被限定在第一图案中。第一凹槽可以是第一有源开口的一部分。
22、在实施例中，在形成第一电极和第一图案时，第一接触部分可通过沿着栅绝缘层的侧表面的限定第一通孔的部分延伸而电接触有源图案。
23、在实施例中，在形成初步栅电极层时，在平面图中位于第一有源开口的边缘与第一通孔的边缘之间的区域中，初步栅电极层可直接接触栅绝缘层。
24、在实施例中，在形成有源图案之前，该方法可进一步包括形成包括第一下电极的下电极层；以及形成缓冲层以完全覆盖下电极层。
25、在实施例中，在各向同性蚀刻初步供氧层时，可进一步形成在厚度方向上穿过初步供氧层形成并且与第一下电极至少部分重叠的第一开口。在形成第一通孔时，可进一步形成穿过栅绝缘层和缓冲层以暴露第一下电极并且在平面图中被第一开口完全暴露的第一下电极通孔。在平面图中，第一开口的面积可大于第一下电极通孔的面积。
26、在实施例中，在形成初步栅电极层时，在平面图中位于第一开口的边缘与第一下电极通孔的边缘之间的区域中，初步栅电极层可直接接触栅绝缘层。
27、在实施例中，在形成第一电极和第一图案时，第一电极可通过第一下电极通孔电接触第一下电极。
28、在实施例中，在形成第一电极和第一图案时，可通过蚀刻初步栅电极层进一步形成与有源图案间隔开的栅电极，栅绝缘层插入在栅电极与有源图案之间。设置在栅电极与栅绝缘层之间的第三图案可通过蚀刻初步供氧层进一步形成。在截面图中，第三图案的侧表面可与栅电极的侧表面对齐。
29、在实施例中，该方法可进一步包括在形成第一电极和第一图案之后，使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻栅绝缘层。
30、在实施例中，在使本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第一图案的限定所述第一凹槽的边缘与所述第一接触部分的边缘之间的区域中，所述第一电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅绝缘层的所述侧表面相对于所述有源图案的上表面的平均锥角是65度以下且30度以上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极包括第一下电极接触部分，所述第一下电极接触部分通过穿过所述栅绝缘层和所述缓冲层形成的通孔电接触所述第一下电极，并且
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第一开口的边缘与所述第一下电极接触部分的边缘之间的区域中，所述第一电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有源图案进一步包括与所述第一导体区间隔开的第二导体区，所述沟道区插入在所述第二导体区与所述第一导体区之间，
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述平
9.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二电极包括第二下电极接触部分，所述第二下电极接触部分通过穿过所述栅绝缘层和所述缓冲层形成的通孔电接触所述第二下电极，并且
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第二开口的边缘与所述第二下电极接触部分的边缘之间的区域中，所述第二电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅电极层进一步包括设置为与所述沟道区重叠的栅电极，并且
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在截面图中，所述第三图案的侧表面与所述栅电极的侧表面对齐。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三图案的所述侧表面与设置在所述第三图案之下的所述栅绝缘层的侧表面对齐。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的显示装置，其中，所述供氧层和所述有源图案中的每一个包括氧化物半导体材料。
16.根据权利要求1-14中任一项所述的显示装置，其中，所述供氧层直接接触所述栅电极层。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述各向同性蚀刻所述初步供氧层时，各向同性蚀刻后的所述初步供氧层限定在平面图中完全暴露所述第一通孔的第一有源开口，并且
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述第一电极和所述第一图案时，在所述平面图中从所述第一图案的侧表面凹陷以围绕所述第一接触部分的至少一部分的第一凹槽被限定在所述第一图案中，并且
20.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述第一电极和所述第一图案时，所述第一接触部分通过沿着所述栅绝缘层的侧表面的限定所述第一通孔的部分延伸而电接触所述有源图案。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述初步栅电极层时，在所述平面图中位于所述第一有源开口的边缘与所述第一通孔的边缘之间的区域中，所述初步栅电极层直接接触所述栅绝缘层。
22.根据权利要求17所述的方法，在形成所述有源图案之前，进一步包括：
23.根据权利要求22所述的方法，其中，在所述各向同性蚀刻所述初步供氧层时，进一步形成在厚度方向上穿过所述初步供氧层形成并且与所述第一下电极至少部分重叠的第一开口，
24.根据权利要求23所述的方法，其中，在形成所述初步栅电极层时，在所述平面图中位于所述第一开口的边缘与所述第一下电极通孔的边缘之间的区域中，所述初步栅电极层直接接触所述栅绝缘层。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，在形成所述第一电极和所述第一图案时，所述第一电极通过所述第一下电极通孔电接触所述第一下电极。
26.根据权利要求17所述的方法，其中，在形成所述第一电极和所述第一图案时，通过蚀刻所述初步栅电极层，进一步形成与所述有源图案间隔开的栅电极，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述有源图案之间，
27.根据权利要求26所述的方法，进一步包括：
28.根据权利要求27所述的方法，其中，在使用所述第二光致抗蚀剂图案作为所述掩模蚀刻所述栅绝缘层时，在所述截面图中，所述第三图案的所述侧表面与设置在所述第三图案之下的所述...
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第一图案的限定所述第一凹槽的边缘与所述第一接触部分的边缘之间的区域中，所述第一电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅绝缘层的所述侧表面相对于所述有源图案的上表面的平均锥角是65度以下且30度以上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极包括第一下电极接触部分，所述第一下电极接触部分通过穿过所述栅绝缘层和所述缓冲层形成的通孔电接触所述第一下电极，并且
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第一开口的边缘与所述第一下电极接触部分的边缘之间的区域中，所述第一电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有源图案进一步包括与所述第一导体区间隔开的第二导体区，所述沟道区插入在所述第二导体区与所述第一导体区之间，
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第二图案的限定所述第二凹槽的边缘与所述第二接触部分的边缘之间的区域中，所述第二电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
9.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二电极包括第二下电极接触部分，所述第二下电极接触部分通过穿过所述栅绝缘层和所述缓冲层形成的通孔电接触所述第二下电极，并且
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在所述平面图中位于所述第二开口的边缘与所述第二下电极接触部分的边缘之间的区域中，所述第二电极直接接触所述栅绝缘层的上表面。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅电极层进一步包括设置为与所述沟道区重叠的栅电极，并且
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在截面图中，所述第三图案的侧表面与所述栅电极的侧表面对齐。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三图案的所述侧表面与设置在所述第三图案之下的所述栅绝缘层的侧表面对齐。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的显示装置，其中，所述供氧层和所述有源图案中的每一...
【专利技术属性】
技术研发人员：具素英，姜泰旭，金亨度，金亨俊，南润龙，林俊亨，韩基林，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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