【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及具有两个第一掺杂类型的掺杂区域的半导体装置，所述两个第一掺杂类型的掺杂区域彼此间隔开并且由与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的掺杂区域分离。
技术介绍
1、在这种类型的装置中，第一掺杂类型的区域可以用于集成各种种类的单个电子器件，诸如例如二极管、电阻器、晶体管等，或者用于集成包括几个电子器件的电子电路。第一掺杂类型的区域和第二掺杂类型的区域之间的pn结提供第一掺杂类型的区域之间的结隔离。通常，在第一掺杂类型的区域中实现的半导体器件以如下这样的方式操作：第一掺杂类型的区域和第二掺杂类型的区域之间的pn结被反向偏置，使得电荷载流子从第一掺杂类型的区域到第二掺杂类型的区域中的注入得以防止。
2、然而，可能发生电荷载流子从第一掺杂类型的区域注入到第二掺杂类型的区域中的操作场景。在这种情况下，合乎期望的是防止由第一掺杂类型的区域中的一个区域注入的电荷载流子到达第一掺杂类型的区域中的另一个区域。
3、因此，存在对高效的防护结构的需要，所述高效的防护结构被配置为：防止由第一掺杂类型的区域中的一个区域注入的电荷载流子到达第一掺杂类型的区域中的另一个区域，或者至少减少到达第一掺杂类型的区域中的另一个区域的注入电荷载流子的数量。
技术实现思路
1、一个示例涉及半导体装置。半导体装置包括：半导体本体，具有第一掺杂类型的第一区域、第二掺杂类型的第二区域和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的第三区域；以及布置在第一区域和第二区域之间的第三区域中的防护结构。第一区域和第二区域
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1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.如权利要求4所述的半导体装置，
6.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
7.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
8.如权利要求4至7中任一项所述的半导体装置，
9.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
10.如权利要求4至9中任一项所述的半导体装置，
11.如权利要求10所述的半导体装置，
12.如权利要求10所述的半导体装置，
13.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
14.一种半导体装置，包括：
15.一种电子电路，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.如权利要求4所述的半导体装置，
6.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
7.如前述权利要求中任一项所述的半导体装置，
8.如权利要求4至7中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·希尔勒，R·韦斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技德累斯顿公司，
类型：发明
国别省市：
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