【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言涉及一种射频模组及其制造方法。
技术介绍
1、目前市场上对于通信器件的集成度要求越来越高。对于射频模组而言，需要将不同功能的滤波器件与非滤波器件集成在一个射频模组里面。滤波器件的裸片通常为脆性单晶材料，与非滤波芯片集成封装时，容易受到加工应力而产生滤波器件裸片破裂、崩边等问题，进而引起射频模组的可靠性下降的问题。
技术实现思路
1、本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够避免滤波器件裸片破裂、崩边的射频模组及其制造方法。
2、为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、根据本申请的一个方面，提供了一种射频模组的制造方法，所述射频模组包括滤波器件与非滤波器件，制造方法包括以下步骤：
4、s1，提供至少一个滤波器件裸片，所述滤波器件裸片包括压电晶圆，所述压电晶圆表面具有响应声表面波的主动功能区和功能布线区，所述功能布线区表面设置多个第一电触点；
5、s2，处理所述滤波器件裸片，将所述滤波器件裸片分成多个滤波器件晶粒，所述滤波器件晶粒包括设置所述主动功能区和所述功能布线区的第一主表面，相背于所述第一主表面设置的第二主表面，以及垂直于所述第一主表面设置的第一侧壁，所述第一侧壁连接所述第一主表面和所述第二主表面，去除所述第一侧壁与所述第一主表面连接处的材料，形成第一凹轮廓；
6、s3，提供非滤波器件，所述非滤波器件包括第三主表面，相背于所述第三主表面设置的第四主表面，以及垂直于
7、s4，倒装，提供一基板，在所述基板上设置第一基板焊盘、第二基板焊盘，在所述第二基板焊盘上或者所述非滤波器件上设置第二电触点，将所述滤波器件晶粒通过第一电触点与所述第一基板焊盘倒装至所述基板上，将所述非滤波器件通过第二电触点倒装在所述基板上；
8、s5，形成封装结构，所述封装结构包覆所述滤波器件晶粒和所述非滤波器件，并与所述基板相连，其中所述封装结构覆盖所述滤波器件晶粒的第二主表面和第一侧壁，所述第一主表面、所述第一电触点与所述基板围成第一空腔结构。
9、根据本申请的一实施方式，步骤s2，处理所述滤波器件裸片还包括：
10、在所述第一主表面形成第一凹槽，所述第一凹槽沿所述滤波器件晶粒的所述第一主表面延伸，并且延伸到所述第一侧壁，形成所述第一凹轮廓。
11、根据本申请的一实施方式，在沿着从第二主表面向第一主表面的方向上，所述第一凹轮廓与所述滤波器件晶粒中心之间的距离逐渐减小。
12、根据本申请的一实施方式，所述第一凹轮廓与所述第一主表面相交于第一交线，所述第一交线与所述第一侧壁之间的距离为5μm-30μm。
13、根据本申请的一实施方式，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁相交于第二交线，所述第二交线与所述第一主表面之间的距离为5μm-80μm。
14、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓包括圆弧形的第一子轮廓与抛物线形的第二子轮廓，所述第一子轮廓与所述第一侧壁相交，所述第二子轮廓与所述第一主表面相交，所述第一子轮廓与所述第二子轮廓相交于第三交线，所述第一子轮廓在所述第三交线处的切面斜率与所述第二子轮廓在所述第三交线处的切面斜率相等。
15、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁之间形成过渡圆角，所述过渡圆角半径为5μm-70μm。
16、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为圆弧形或椭圆形。
17、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为连续凹形状的曲线。
18、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为直线形，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁形成的内角为90°-150°。
19、根据本申请的一实施方式，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓包括圆弧形的第三子轮廓与直线形的第四子轮廓，所述第三子轮廓与所述第一侧壁相交，所述第四子轮廓与所述第一主表面相交，所述第三子轮廓与所述第四子轮廓相交于第四交线，所述第三子轮廓在所述第四交线处的切面斜率与所述第四子轮廓在第四交线处的切面斜率相等。
20、根据本申请的一实施方式，步骤s3，形成非滤波器件还包括：在所述第三主表面形成第二凹槽，所述第二凹槽沿所述非滤波器件的第三主表面延伸，并且部分的延伸到所述第二侧壁，形成第二凹轮廓。
21、根据本申请的一实施方式，所述第二凹轮廓的形状与所述第一凹轮廓的形状相同。
22、根据本申请的一实施方式，步骤s5包括步骤s501和s502，其中：
23、s501，形成第一封装结构，在第一覆膜温度下恒温80-180s形成所述第一封装结构，所述第一封装结构覆盖所述滤波器件晶粒的第二主表面和第一侧壁以及所述非滤波器件的第四主表面和第二侧壁，所述第一封装结构固化贴合于所述基板，所述第一主表面、所述第一电触点与所述基板围成第一空腔结构，所述第三主表面、第一封装结构与所述基板围城第二空腔结构；
24、s502，形成第二封装结构，将环氧树脂加热至第二覆膜温度，覆盖于所述第一封装结构的表面，施加覆膜压力并固化，形成第二封装结构，所述第二封装结构覆盖所述第一封装结构和所述非滤波器件的第三主表面，并填充所述第二空腔结构。
25、根据本申请的一实施方式，所述第一主表面与所述基板之间的第一距离为10μm-60μm，所述第三主表面与所述基板之间的第二距离为30μm-80μm，所述第一距离小于所述第二距离。
26、根据本申请的一实施方式，所述覆膜压力小于所述第一封装结构的剪切应力。
27、根据本申请的一实施方式，所述第二覆膜温度大于所述第一覆膜温度5℃-100℃。
28、根据本申请的一实施方式，步骤s5之后还包括步骤s6，形成侧面屏蔽结构，在所述第二封装结构的表面设置屏蔽层，所述屏蔽层与所述滤波器件和/或所述非滤波器件共用公共接地端子。
29、根据本申请的一实施方式，所述屏蔽层覆盖所述第二封装结构和所述基板的部分侧壁，并通过导线与所述公共接地端子连接。
30、根据本申请的另一方面，提供一种射频模组，射频模组包括：
31、滤波器件晶粒，所述滤波器件晶粒包括压电晶圆，所述压电晶圆表面具有响应声表面波的主动功能区和功能布线区，所述功能布线区表面设置多个第一电触点，所述滤波器件晶粒包括设置所述主动功能区和所述功能布线区的第一主表面，相背于所述第一主表面设置的第二主表面，以及垂直于所述第一主表面设置的第一侧壁，所述第一侧壁连接所述第一主表面和所述第二主表面，所述第一主表面上具有第一凹槽，所述第一凹槽本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种射频模组的制造方法，所述射频模组包括滤波器件与非滤波器件，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，步骤S2，处理所述滤波器件裸片还包括：
3.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓包括圆弧形的第一子轮廓与抛物线形的第二子轮廓，所述第一子轮廓与所述第一侧壁相交，所述第二子轮廓与所述第一主表面相交，所述第一子轮廓与所述第二子轮廓相交于第三交线，所述第一子轮廓在所述第三交线处的切面斜率与所述第二子轮廓在所述第三交线处的切面斜率相等。
7.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁之间形成过渡圆角，所述过渡圆角半径为5μm-70μm。<...
【技术特征摘要】
1.一种射频模组的制造方法，所述射频模组包括滤波器件与非滤波器件，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，步骤s2，处理所述滤波器件裸片还包括：
3.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓包括圆弧形的第一子轮廓与抛物线形的第二子轮廓，所述第一子轮廓与所述第一侧壁相交，所述第二子轮廓与所述第一主表面相交，所述第一子轮廓与所述第二子轮廓相交于第三交线，所述第一子轮廓在所述第三交线处的切面斜率与所述第二子轮廓在所述第三交线处的切面斜率相等。
7.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁之间形成过渡圆角，所述过渡圆角半径为5μm-70μm。
8.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为圆弧形或椭圆形。
9.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为连续凹形状的曲线。
10.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓为直线形，所述第一凹轮廓与所述第一侧壁形成的内角为90°-150°。
11.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，在垂直于所述第一凹轮廓的长度方向的平面上，所述第一凹轮廓包括圆弧形的第三子轮廓与直线形的第四子轮廓，所述第三子轮廓与所述第一侧壁相交，所述第四子轮廓与所述第一主表面相交，所述第三子轮廓与所述第四子轮廓相交于第四交线，所述第三子轮廓在所述第四交线处的切面斜率与所述第四子轮廓在第四交线处的切面斜率相等。
12.根据权利要求1所述的射频模组的制造方法，其特征在于，步骤s3，形成非滤波器件还包括：在所述第三主表面形成第二凹槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：李朋，吴洋洋，曹庭松，杨扬，贾德宝，
申请(专利权)人：北京超材信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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