【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及存储器，并且更具体地涉及具有写入辅助电路的存储器，该写入辅助电路具有降低的开关功率消耗。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(sram)位单元包括一对交叉耦合反相器。根据所存储数据位的二元状态，交叉耦合反相器中的一个中的p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管将数据节点充电到存储器电源电压。在写入操作期间，位单元的二元内容改变，n型金属氧化物半导体(nmos)存取晶体管使同一数据节点放电。所引起的nmos/pmos竞争会减慢写入操作速度并且消耗功率。为了加快操作速度，开发了具有写入辅助电路的存储器，其中升压电容器在写入辅助时段期间将负电压施加到位线。升压电容器在每次写入操作中充电和放电，这会消耗功率。
2、因此，本领域需要具有降低功率消耗的改进的写入辅助电路的存储器。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器，该存储器包括：写入驱动器，该写入驱动器具有写入驱动器接地节点；写入辅助电路，该写入辅助电路包括：具有第一端子和第二端子的升压电容器，其中第二端子耦合到写入驱动器接地节点；延迟电路，该延迟电路包括一系列反相器，该一系列反相器被配置为延迟写入辅助信号以在升压电容器的第一端子处形成延迟的写入辅助信号；和第一开关晶体管，该第一开关晶体管耦合在地与该系列反相器中的末级反相器的接地节点之间。
2、根据本公开的另一个方面，提供了一种方法，该方法包括：响应于写入辅助信号的第一二元转变而将升压电容器的第一端子放电到地，以使得位线在写入辅助时段期间放
3、辅助时段期间放电之后关断第一开关晶体管，以将该第一端子与地隔离；以及响应于写入辅助信号的第二二元转变而接通第二开关晶体管，以将升压电容器的第二端子接地以结束写入辅助时段。
4、根据本公开的又一个方面，提供了一种存储器，该存储器包括：位线；写入辅助电路，该写入辅助电路包括升压电容器、第一开关晶体管和第二开关晶体管，该写入辅助电路被配置为在写入辅助时段期间将升压电容器的第一端子接地以将负电压施加到该位线；和时钟电路，该时钟电路被配置为在写入辅助时段开始时将写入辅助信号放电来关断第二开关晶体管，以将升压电容器的第二端子与地隔离，该时钟电路被进一步配置为断言切断信号来关断第一开关晶体管，以将升压电容器的第一端子与地隔离，同时第二开关晶体管在写入辅助时段期间仍然关断。
5、通过下面的具体实施方式，可更好地理解这些和附加有利特征。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器，所述存储器包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，所述存储器还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器，其中所述升压电容器包括晶体管，所述晶体管具有被配置为形成所述第二端子的栅极并且具有被配置为形成所述第一端子的源极和漏极。
4.根据权利要求2所述的存储器，其中所述一系列反相器包括偶数个反相器。
5.根据权利要求2所述的存储器，所述存储器还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器，其中所述时钟电路被进一步配置为在所述写入辅助信号的所述放电之前接通所述第一开关晶体管并且在所述写入辅助信号的所述充电之前关断所述第一开关晶体管。
7.根据权利要求5所述的存储器，所述存储器还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器，所述存储器还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器，其中所述存储器被集成到蜂窝电话中。
10.根据权利要求2所述的存储器，其中所述末级反相器的所述接地节点包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的源极。
11.一种写入辅助方法，所述写入辅助方法包
12.根据权利要求11所述的写入辅助方法，所述写入辅助方法还包括：
13.根据权利要求11所述的写入辅助方法，所述写入辅助方法还包括：
14.根据权利要求13所述的写入辅助方法，所述写入辅助方法还包括：
15.根据权利要求11所述的写入辅助方法，所述写入辅助方法还包括：
16.一种存储器，所述存储器包括：
17.根据权利要求16所述的存储器，其中所述时钟电路被进一步配置为断言所述写入辅助信号以在所述写入辅助时段结束时接通所述第二开关晶体管。
18.根据权利要求16所述的存储器，其中所述写入辅助电路包括被配置为延迟所述写入辅助信号以形成延迟的写入辅助信号的一系列反相器，并且其中所述第一开关晶体管耦合在地与通向所述一系列反相器中的末级反相器的接地节点之间。
19.根据权利要求16所述的存储器，其中所述升压电容器包括晶体管，所述晶体管具有被配置为形成所述升压电容器的所述第一端子的漏极和源极并且具有被配置为形成所述升压电容器的所述第二端子的栅极。
20.根据权利要求16所述的存储器，其中所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管各自包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器，所述存储器包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，所述存储器还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器，其中所述升压电容器包括晶体管，所述晶体管具有被配置为形成所述第二端子的栅极并且具有被配置为形成所述第一端子的源极和漏极。
4.根据权利要求2所述的存储器，其中所述一系列反相器包括偶数个反相器。
5.根据权利要求2所述的存储器，所述存储器还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器，其中所述时钟电路被进一步配置为在所述写入辅助信号的所述放电之前接通所述第一开关晶体管并且在所述写入辅助信号的所述充电之前关断所述第一开关晶体管。
7.根据权利要求5所述的存储器，所述存储器还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器，所述存储器还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器，其中所述存储器被集成到蜂窝电话中。
10.根据权利要求2所述的存储器，其中所述末级反相器的所述接地节点包括n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管的源极。
11.一种写入辅助方法，所述写入辅助方法包括：
12.根据权利要求11所述的写入...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·安曼纳斯·维加延，R·萨胡，P·拉杰，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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