【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基板以及半导体封装基板。
技术介绍
1、半导体封装基板正从“more than more”的潮流转移向将系统单片化的系统级芯片(system on a chip，soc)的潮流，伴着此潮流正在积极开发。
2、而且，半导体封装基板的结构复杂化、高密度化，在其基底基板的制造中逐渐适用采用了准分子激光的装置。
3、例如，专利文献1中记载了一种激光加工方法，使用激光对被加工物进行形状加工直至规定的深度位置为止，其中，加大激光的激光功率、及被加工物与激光之间的相对移动速度，且降低激光加工所需的照射次数，以使得根据所述被加工物而最佳设定的激光的每单位长度的能量即便在因激光的振荡器中的功率变动而所述激光功率增大时，仍处于不会贯穿所述被加工物的能量范围内。
4、而且，专利文献2中记载了一种激光加工方法，对于被加工物的掘削区域，依次照射相对于所述掘削区域呈小的射束截面的激光，以对所述掘削区域进行加工，所述激光加工方法的特征在于包含：第一加工工序，使呈第一形状的射束截面且在所述被加工物上形成相当于所述第一形状的射束截面的第一照射区域的激光依次照射至所述掘削区域的整体；以及第二加工工序，使呈比所述第一形状小的第二形状的射束截面且在所述被加工物上形成相当于所述第二形状的射束截面的第二照射区域的激光依次照射至所述掘削区域，在所述第一加工工序中，以形成所述第一照射区域的一部分彼此相互重叠的重叠区域的方式来依次照射形成所述第一照射区域的激光，在所述第二加工工序中，以所述第二照射区域包含在所述掘削区域中的所述重
5、而且，非专利文献1中，介绍了使用贝塞尔光束(bessel beam)的、高品质·高纵横比的si贯穿孔的形成。
6、[现有技术文献]
7、[专利文献]
8、专利文献1：日本专利特开2009-22978号公报
9、专利文献2：国际公开第wo2013/094025号说明书
10、[非专利文献]
11、非专利文献1：杉冈幸次，”利用最佳化的超短脉冲贝塞尔光束形成高品质、高纵横比si贯穿孔”，form tech review 2016，vol.26
技术实现思路
1、[技术所要解决的问题]
2、以往，利用激光加工所形成的凹部存在下述问题：以越高的分辨率形成，则凹部的底部的宽度比初始加工表面的凹部的开口部的宽度越小，即，前端变得越细。对于贯穿孔，以往也存在下述问题：以越高的分辨率形成，则贯穿孔的下端开口部的宽度比贯穿孔的上端部的宽度越小，即，前端变得越细。并且，此种渐缩的凹部和/或贯穿孔的形成不适合高精细地形成复杂图案(例如电路图案)。
3、尤其，在半导体封装用基板用途中，有时会在经加工的凹部内嵌入金属配线，若成为高精细的图案，则配线电阻将变高，因此为了防止此现象，要求加工深度深且直至底部为止为大宽度的加工。通过进行此种加工，能够制作配线电阻低且高品质的半导体封装用基板。
4、本技术是为了解决所述问题而完成，目的在于提供一种能够实现高精细且复杂的配线图案的基板、能够实现从表面直到背面的渐缩得到抑制的通孔(via)电极图案的基板、具有高精细且复杂的金属配线图案的半导体封装基板、以及具有从表面直到背面的渐缩得到抑制的通孔电极图案的半导体封装基板。
5、[解决问题的技术手段]
6、作为第一形态的基板，本技术提供一种基板，被用于半导体封装基板，其中
7、所述基板具有矩形的平面形状，
8、在所述基板的表面，具有在与所述表面正交的剖面上邻接的至少两个凹部，
9、所述剖面上的所述凹部的底部间的距离为所述凹部的底部的宽度的110％以下，
10、所述剖面上的所述凹部的深度为20μm以下，
11、所述剖面上的所述凹部的深度相对于所述凹部的底部的宽度之比为1.0以上。
12、此种基板通过向凹部内装入配线，能够实现高精细且复杂的配线图案。
13、优选的是，所述凹部的所述底部的宽度为所述表面上的所述凹部的开口宽度的70％以上。
14、若为此种基板，则在向凹部内装入配线的情况下，能够实现低配线电阻的配线图案。而且，能够加大配线与基板的界面上的接触面积，因此难以引起配线的剥离等不良状况。
15、优选的是，所述表面上的所述凹部的所述开口宽度为20μm以下。
16、若为此种基板，则能够实现更高精细的配线图案。
17、所述剖面上的所述凹部的所述深度相对于所述凹部的所述底部的宽度之比也可为1.1以上。
18、或者，所述凹部的所述深度相对于所述凹部的所述底部的宽度之比也可为1.5以上。
19、或者，所述凹部的所述深度相对于所述凹部的所述底部的宽度之比也可为2.4以上。
20、或者，所述凹部的所述深度相对于所述凹部的所述底部的宽度之比也可为3.4以上。
21、第一形态的基板中，只要凹部的深度相对于凹部的底部的宽度之比为1.0以上即可，例如也可为1.1以上、1.5以上、2.4以上或3.4以上。
22、例如也可为所述凹部的所述底部的宽度为所述凹部的所述开口宽度的70％以上，且
23、所述凹部的所述深度相对于所述凹部的所述底部的宽度之比为2.4以上的基板。
24、若为此种基板，则能够更切实地实现高精细且低电阻的配线图案。而且，能够加大配线与基板的界面上的接触面积，因此难以引起配线的剥离等不良状况。
25、所述凹部也可包含沟槽。
26、多个凹部例如也可包含沿与基板的表面平行的方向延伸的沟槽。或者，多个凹部也可为平面形状为圆形或矩形的盲孔。
27、也可为，所述基板具有与所述表面为相反侧的背面，
28、所述基板还具有从所述表面贯穿至所述背面为止的贯穿孔。
29、若为此种基板，则能够实现进而具有通孔电极图案的封装基板。
30、例如，所述表面上的所述贯穿孔的上端开口部的宽度可设为20μm以下。
31、若为此种基板，则能够实现高精细且高密度的通孔电极图案。
32、所述背面上的所述贯穿孔的加工长度相对于所述贯穿孔的下端开口部的宽度之比可设为1.0以上。
33、加工长度相对于贯穿孔的下端开口部的宽度之比并无特别限定，但例如可设为1.0以上。
34、优选的是，所述背面上的所述贯穿孔的下端开口部的宽度为所述表面上的所述贯穿孔的上端开口部的宽度的70％以上。
35、若为此种基板，则能够实现从表面直到背面的渐缩得到抑制的通孔电极图案。
36、优选的是，所述背面上的所述贯穿孔的加工长度相对于所述贯穿孔的下端开口部的宽度之比为1.0以上，
37、所述贯穿孔的下端开口部的宽度为所述表面上的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板，被用于半导体封装基板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
13.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
14.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
15.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
16.一种半导体封装基板，其特征在于，包括如权利要求1至15中任一项所述的基板，所述半导体封装基板，
17.一种基
18.根据权利要求17所述的基板，其特征在于，
19.根据权利要求17所述的基板，其特征在于，
20.一种半导体封装基板，其特征在于，其包括如权利要求10至15、17至19中任一项所述的基板，所述半导体封装基板，
...【技术特征摘要】
1.一种基板，被用于半导体封装基板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
12.根据权利要求...
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