【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体技术，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、mosfet器件包含平面栅结构和沟槽型结构，沟槽型结构通过构建沟槽形成栅极，减小了导通电阻，具有较低的功耗，但器件设计难度较大，而且挖槽的工艺难度较大，使得产品可靠性和制造成本也是是主要需要解决的问题之一。
2、如图1所示，有些厂家通过在两侧设置源极沟槽，并向源极沟槽内做p+注入；如图2和图3所示，还有一些厂家在两侧设置p阱区，并在p阱区底部设置p掩埋层，这两种方案都能够降低栅极底部的电场，但会在一定程度上增大导通电阻，而且制造工艺较为复杂。
技术实现思路
1、为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种半导体器件及其制造方法。
2、根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种半导体器件，包括：
3、外延层；
4、栅极，位于外延层内的上部；
5、源极，位于栅极的两侧；
6、阱区，位于源极的下方；
7、接触区，位于源极的外侧；
8、深阱区，位于至少一侧的接触区的下方；
9、掩埋层，位于深阱区的下方，且延伸至栅极正下方。
10、根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
11、在第一外延层内的上部形成掩埋层，掩埋层从第一外延层的边缘处延伸至待形成栅极区域的下方；
12、在第一外延层的表面形成第二外延层；
13、在第二外延层内的上
14、在阱区内的上部形成间隔设置的源极；
15、在掩埋层的上方形成深阱区；
16、在深阱区、阱区的上方形成接触区；
17、在源极之间形成栅极，栅极的深度大于阱区深度。
18、本申请实施例提供的技术方案，在外延层内的上部设置栅极，栅极的两侧分别设置源极和接触区，在源极和接触区的下方设置阱区，在至少一侧接触区的下方设置深阱区，深阱区的下方设置掩埋层，掩埋层延伸至栅极正下方，能够降低栅底部的电场，具有较好的电场屏蔽效果，从而提高器件的可靠性。而且本实施例所提供的方案工艺较为简单，能够对栅极进行较好的保护，而且得到的器件电学特性对设计参数的敏感性更低，因为器件本身结构已经提供了足够的可靠性保护，所以对掩埋层的尺寸要求不高，从而降低了设计和制造的难度。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，深阱区的覆盖面积小于其顶部接触区的覆盖面积。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，位于栅极两侧的接触区下方均设有深阱区；两侧的深阱区以栅极的中心呈中心对称布置。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，掩埋层包括第一掩埋区和第二掩埋区，第一掩埋区从深阱区的下方沿横向延伸至栅极正下方；第二掩埋区位于栅极正下方且沿纵向延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，位于深阱区下方的部分掩埋层的纵向长度与深阱区的长度相同。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，深阱区的覆盖面积小于其顶部接触区的覆盖面积。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，两侧的深阱区以栅极的中心呈中心对称布置。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，掩埋层包括第一掩埋区和第二掩埋区，第一掩埋区从深阱区的下方沿横向延伸至栅极正下方；第二掩埋区位于
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在第一外延层内的上部形成掩埋层，具体为基于硬掩膜版在第一外延层内的上部形成掩埋层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，深阱区的覆盖面积小于其顶部接触区的覆盖面积。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，位于栅极两侧的接触区下方均设有深阱区；两侧的深阱区以栅极的中心呈中心对称布置。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，掩埋层包括第一掩埋区和第二掩埋区，第一掩埋区从深阱区的下方沿横向延伸至栅极正下方；第二掩埋区位于栅极正下方且沿纵向延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，位于深阱区下方的部分掩埋层的纵向长度与深阱区的长度相...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱树华，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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