【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种半导体的分离方法。
技术介绍
1、当前，半导体的分离方式大多是通过机械加工进行实现，即，先将半导体底部用胶水粘接到陶瓷基板上，并将陶瓷基板固定在切割台上，再使用刀具对半导体进行切割，从而实现半导体的分离。
2、这种加工方式的问题在于，粘接半导体所使用的胶水的粘接力强，在切割过程中容易造成半导体的脆裂，而在切割完成后，半导体与胶水的分离比较困难，又会对半导体造成一定程度的破坏，并且操作难度大。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于，提供一种半导体的分离方法，能够在实现半导体分离的同时减少对半导体的损坏，并且大大降低操作难度。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种半导体的分离方法，包括：
3、将uv胶水粘贴在玻璃基板上，并对玻璃基板进行第一次照射，使得uv胶水的粘度值降低；
4、将待分离的半导体粘贴在uv胶水上，并挤出半导体与玻璃基板之间的uv胶水中的气泡；
5、对玻璃基板进行第二次照射，使得uv胶水固化；
6、将玻璃基板固定在切割台上，对半导体进行切割；
7、对玻璃基板进行第三次照射，使得半导体与uv胶水分离。
8、进一步地，所述uv胶水的初始粘度值为30n/in～45n/in。
9、进一步地，第一次照射时间为3秒～5秒。
10、进一步地，第一次照射后uv胶水的粘度值降低为20n/in～25n/in。
...【技术保护点】
1.一种半导体的分离方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，所述UV胶水的初始粘度值为30N/in～45N/in。
3.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第一次照射时间为3秒～5秒。
4.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第一次照射后UV胶水的粘度值降低为20N/in～25N/in。
5.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第二次照射时间为100秒～120秒。
6.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第三次照射时间为120秒。
7.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第三次照射后UV胶水的粘度值降低为0.02N/in～0.03N/in。
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体的分离方法，其特征在于，第一次照射、第二次照射和第三次照射所使用的紫外光的光照强度为5000mJ/cm2～6000mJ/cm2。
【技术特征摘要】
1.一种半导体的分离方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，所述uv胶水的初始粘度值为30n/in～45n/in。
3.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第一次照射时间为3秒～5秒。
4.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于，第一次照射后uv胶水的粘度值降低为20n/in～25n/in。
5.如权利要求1所述的半导体的分离方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张涛杰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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