System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种射频低噪声放大器制造技术_技高网

一种射频低噪声放大器制造技术

技术编号:42229309 阅读:5 留言:0更新日期:2024-08-02 13:45
本发明专利技术涉及射频集成电路领域,具体涉及一种射频低噪声放大器,包括LNA信号通路、Bypass信号通路及逻辑电路,LNA信号通路、Bypass信号通路并联,在LNA信号通路输入端添加陷波电路,在Bypass信号通路中间添加调谐电路;在Bypass信号通路和LNA信号通路中,各偏置电阻与逻辑电路输出端口连接,电源VDD为逻辑电路和放大电路提供电源,控制信号VEN对电路进行工作模式切换。VDD利用D‑mode源极增压电路与隔离管为LNA模式增加隔离度。本发明专利技术有效改善Bypass模式下的插损与功率线性度。解决了LNA与Bypass的集成存在的两通道之间信号隔离度差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频集成电路领域,具体涉及一种射频低噪声放大器


技术介绍

1、射频前端模块芯片是无线通信系统的核心元件,而在射频前端的接收通道中,低噪声放大器起到最关键的作用。低噪声放大器通常集成了开关、lna与bypass(旁路功能)通路。而现有技术中,lna与bypass的集成往往存在以下缺点:两通道之间信号隔离度差,尤其大功率传输时更容易引起信号泄露,造成各模式下线性度的恶化;bypass阻抗匹配与lna的噪声匹配难以折衷;此外,lna对低频信号的放大也容易造成无线系统内的信号串扰。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种射频低噪声放大器,解决lna与bypass的集成存在的两通道之间信号隔离度差的问题,尤其针对大功率传输时的信号泄露与线性度恶化等现象。

2、本专利技术技术实现方案如下:

3、一种射频低噪声放大器,包括lna信号通路、bypass信号通路及逻辑电路,其中bypass信号通路包括开关管m5、开关管m6、电容c10、电感l3、偏置电阻r12与偏置电阻r13,开关管m5的源极连接射频输入端口rf_in,开关管m5的漏极连接开关管m6的源极,开关管m6的漏极连接隔直电容c8,并经过隔直电容c8接入输出端口rf_out;偏置电阻r12的一端连接开关管m5的栅极,另一端与逻辑电路的输出端vb2连接,偏置电阻r13的一端连接开关管m6的栅极,另一端与逻辑电路的输出端vb2连接;稳压电阻r9连接在开关管m6的源极与漏极之间,稳压电阻r10连接在开关管m5的源极与漏极之间;电容c10与电感l3并联构成谐振电路,谐振电路一端接地,另一端连接开关管m5与开关管m6的连接处;

4、lna信号通路包括隔离管m3、隔离管m4、隔直电容c2、电感l2、隔直电容c1、放大管m1、放大管m2、微带电感ml1、偏置电阻r6、分压电阻r7、分压电阻r8、偏置电阻r11与偏置电阻r14,其中,

5、隔离管m3的源极与射频输入端口rf_in连接,隔离管m4的漏极通过隔直电容c5连接输出端口rf_out,偏置电阻r11的一端与隔离管m3的栅极连接,另一端连接逻辑电路的输出端vb1,偏置电阻r14的一端与隔离管m4的栅极连接,另一端连接逻辑电路的输出端vb1,隔离管m4的漏极与源极之间连接偏置电阻r4;

6、隔直电容c2与电感l2组成陷波电路,陷波电路一端连接隔直电容c1与隔离管m3的漏极的连接处,另一端接地,隔直电容c1的另一端连接放大管m1的栅极,放大管m1的源极通过微带电感ml1接地;放大管m1的漏极与放大管m2的源极连接,放大管m2的漏极通过扼流电感l1与电源vdd连接;

7、分压电阻r7一端连接放大管m2的漏极,另一端与分压电阻r8串联接地,偏置电阻r6的一端连接在分压电阻r7与分压电阻r8之间,另一端连接在放大管m2的栅极,滤波电容c7一端接放大管m2的栅极,另一端接地;

8、隔离管m4的源极通过隔直电容c4连接分压电阻r7。

9、进一步地:lna信号通路还包括d-mode源极增压电路,d-mode源极增压电路包括分压电阻r1和偏置电容c6,分压电阻r1的一端经过扼流电感l1连接电源vdd,另一端连接隔离管m4的源极,同时通过偏置电容c6交流接地。

10、进一步地:所述射频低噪声放大器还包括lna有源偏置电路,lna有源偏置电路包括分压电阻r2、偏置管m7、滤波电容c9、电阻rc、分压电阻r3和偏置电阻r5,其中电源vdd经过扼流电感l1、分压电阻r2连接偏置管m7的漏极,偏置管m7的漏极与栅极短接,偏置管m7的栅极连接电阻rc与滤波电容c9,滤波电容c9的另一端接地,偏置管m7的源极接地;偏置管m7的漏极还与分压电阻r3连接,分压电阻r3另一端通过偏置电阻r5连接在放大管m1的栅极,分压电阻r3与偏置电阻r5之间的连接处与反馈电容c3连接,反馈电容c3的另一端连接在隔直电容c4的一端。

11、进一步地,隔离管m3、隔离管m4、开关管m5、开关管m6均为d-mode管;放大管m1、放大管m2与偏置管m7均为e-mode管。

12、本专利技术与现有技术相比,具有以下有益效果:

13、本专利技术在lna信号通路的两端添加隔离管m3、隔离管m4,为其施加与lna同相的偏置电压,使得大功率场景下,lna模式与bypass模式之间的隔离度显著提高,增强了各模式的线性度;添加陷波电路,抑制低频信号的传输,增强各模式下的抗干扰能力;d-mode源极增压结构增强了lna通路隔离管m4的关断效果,有效改善bypass模式下的插损与功率线性度;利用电源vdd自偏置和有源偏置,为放大器提供稳定的偏置电压,改善放大器的温度漂移现象;增加了bypass调谐结构,改善输入端的噪声匹配结构对bypass模式带来的失配影响。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频低噪声放大器,其特征在于:包括LNA信号通路、Bypass信号通路及逻辑电路,其中Bypass信号通路包括开关管M5、开关管M6、电容C10、电感L3、偏置电阻R12与偏置电阻R13,开关管M5的源极连接射频输入端口RF_IN,开关管M5的漏极连接开关管M6的源极,开关管M6的漏极连接隔直电容C8,并经过隔直电容C8接入输出端口RF_OUT;偏置电阻R12的一端连接开关管M5的栅极,另一端与逻辑电路的输出端Vb2连接,偏置电阻R13的一端连接开关管M6的栅极,另一端与逻辑电路的输出端Vb2连接;稳压电阻R9连接在开关管M6的源极与漏极之间,稳压电阻R10连接在开关管M5的源极与漏极之间;电容C10与电感L3并联构成谐振电路,谐振电路一端接地,另一端连接开关管M5与开关管M6的连接处;

2.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器,其特征在于:LNA信号通路还包括D-mode源极增压电路,D-mode源极增压电路包括分压电阻R1和偏置电容C6,分压电阻R1的一端经过扼流电感L1连接电源VDD,另一端连接隔离管M4的源极,同时通过偏置电容C6交流接地。

3.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器,其特征在于:所述射频低噪声放大器还包括LNA有源偏置电路,LNA有源偏置电路包括分压电阻R2、偏置管M7、滤波电容C9、电阻Rc、分压电阻R3和偏置电阻R5,其中电源VDD经过扼流电感L1、分压电阻R2连接偏置管M7的漏极,偏置管M7的漏极与栅极短接,偏置管M7的栅极连接电阻Rc与滤波电容C9,滤波电容C9的另一端接地,偏置管M7的源极接地;偏置管M7的漏极还与分压电阻R3连接,分压电阻R3另一端通过偏置电阻R5连接在放大管M1的栅极,分压电阻R3与偏置电阻R5之间的连接处与反馈电容C3连接,反馈电容C3的另一端连接在隔直电容C4的一端。

4.根据权利要求3所述的一种射频低噪声放大器,其特征在于:隔离管M3、隔离管M4、开关管M5、开关管M6均为D-mode管;放大管M1、放大管M2与偏置管M7均为E-mode管。

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【技术特征摘要】

1.一种射频低噪声放大器,其特征在于:包括lna信号通路、bypass信号通路及逻辑电路,其中bypass信号通路包括开关管m5、开关管m6、电容c10、电感l3、偏置电阻r12与偏置电阻r13,开关管m5的源极连接射频输入端口rf_in,开关管m5的漏极连接开关管m6的源极,开关管m6的漏极连接隔直电容c8,并经过隔直电容c8接入输出端口rf_out;偏置电阻r12的一端连接开关管m5的栅极,另一端与逻辑电路的输出端vb2连接,偏置电阻r13的一端连接开关管m6的栅极,另一端与逻辑电路的输出端vb2连接;稳压电阻r9连接在开关管m6的源极与漏极之间,稳压电阻r10连接在开关管m5的源极与漏极之间;电容c10与电感l3并联构成谐振电路,谐振电路一端接地,另一端连接开关管m5与开关管m6的连接处;

2.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器,其特征在于:lna信号通路还包括d-mode源极增压电路,d-mode源极增压电路包括分压电阻r1和偏置电容c6,分压电阻r1的...

【专利技术属性】
技术研发人员:卞乾奇戈泽宇陈浪项勇刘辉汪智斌
申请(专利权)人:苏州悉芯射频微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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