【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，特别涉及适用于随机存储器的预充电电压产生电路及随机存储器。
技术介绍
1、存储器的存储阵列包括多条字线(wl，word line)、多条位线(bl，bit line)和多个存储单元，每个存储单元分别连接一条字线wl和一条位线bl。通常一个存储单元包括一个访问开关和一个存储电容，其中字线wl控制访问开关的导通或者截止，以允许或禁止对该存储电容所存储的信息的读取和改写。而位线bl是外界访问该存储电容的唯一通道，当访问开关导通后，外界可以通过位线bl对存储电容进行读取或者写入操作。
2、在对存储单元中的数据进行读写操作时，是通过存储单元中电荷的多少确定存储单元存数据“1”或数据“0”。因此，从存储单元中读取的电荷的多少决定数据为“1”或“0”。
技术实现思路
1、本申请提供了适用于随机存储器的位线预充电电路及随机存储器，使存储电容能够对应写入更多的电荷量，在后续读取时便能读取到更多的电荷，进而提升数据的准确性。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种适用于随机存储器的预充电电压产生电路，其中，预充电电压产生电路用于选择性地提供预充电电压，预充电电压产生电路包括：电压产生模块，用于产生第一电压和第二电压，其中，第一电压或第二电压用于作为预充电电压；其中，第一电压大于第二电压；及选择模块，耦接电压产生模块，响应于操作命令为写命令，选择输出第二电压作为随机存储器的存储电容的公共端电压，响应于操作命令为读命令，选择输出第一电压作为公共
3、其中，预充电电压产生电路更向位线预充电模块提供预充电电压，以在预充电阶段将位线预充电至预充电电压。
4、其中，响应于操作命令为预充电命令，选择模块选择输出第一电压作为预充电阶段的预充电电压。
5、其中，当在灵敏放大阶段后收到写命令时，选择模块选择第二电压作为存储电容的公共端电压。
6、其中，选择模块响应于操作命令为写命令以及第一温度信号，选择模块选择输出第二电压作为存储电容的公共端电压，当写命令是写入1时，存储电容的另一端电压为阵列电压，阵列电压和第二电压的电压差决定写入存储电容的电荷量。
7、其中，响应于操作命令为读命令，选择输出第一电压作为存储电容的公共端电压，以使存储电容的另一端电压高于阵列电压。
8、其中，选择模块响应于操作命令为写命令以及第二温度信号，选择模块选择性输出第一电压作为存储电容的公共端电压；其中，第二温度信号对应的温度小于第一温度信号对应的温度。
9、其中，进一步包括：温度信号产生模块，耦接选择模块，根据随机存储器的温度产生并输出第一温度信号或第二温度信号至选择模块。
10、其中，选择模块包括：第一选择器，第一选择器的第一输入端耦接电压产生模块，用于接收第一电压，第一选择器的第二输入端耦接电压产生模块，用于接收第二电压，第一选择器的控制端用于接收第一温度信号或第二温度信号；第二选择器，第二选择器的第一输入端耦接电压产生模块，用于接收第一电压，第二选择器的第二输入端耦接第一选择器的输出端，第二选择器的控制端用于接收操作命令；其中，第一选择器响应于第一温度信号，第一选择器选择第二电压输出至第二选择器的第二输入端，以及第二选择器响应于写命令，选择性输出第二电压作为存储电容的公共端电压，当写命令是写入1时，存储电容的另一端电压为阵列电压，阵列电压和第二电压的电压差决定写入存储电容的电荷量；或，第一选择器响应于第二温度信号，第一选择器选择第一电压输出至第二选择器的第二输入端，第二选择器响应于写命令，输出第一电压作为存储电容的公共端电压；或，第二选择器响应于读命令，第二选择器选择输出第一电压作为存储电容的公共端电压；或，第二选择器响应于预充电命令，第二选择器选择输出所述第一电压作为预充电电压及存储电容的公共端电压。
11、其中，第二选择器响应于读命令，第二选择器选择输出第一电压作为存储电容的公共端电压，并在预充电阶段向位线预充电模块提供第一电压，将位线预充电至预充电电压，并在电荷分享阶段使位线与存储电容进行电荷分享，位线被拉至第三电压，第三电压由存储电容写入数据后的电压差和公共端电压的第一电压决定。
12、其中，电压产生模块包括：比较单元，用于提供基准电压；第一电压提供单元，耦接比较单元的输出端，用于根据基准电压输出第一电压；第二电压提供单元，耦接比较单元的输出端，用于根据基准电压输出第二电压。
13、其中，比较单元包括：第一放大器，第一放大器的负相输入端接收参考电压；开关单元，开关单元的控制端耦接第一放大器的输出端，开关单元的第一端接收工作电压，开关单元的第二端输出基准电压；调节单元，调节单元的第一端耦接开关单元的第二端，调节单元的第二端耦接第一放大器的同相输入端；第一电压提供单元包括：第一电阻，第一电阻的第一端耦接调节单元的第一端；第二电阻，第二电阻的第一端耦接第一电阻的第二端；第二放大器，第二放大器的同相输入端耦接第一电阻和第二电阻之间的耦接点，第二放大器的输出端耦接第二放大器的负相输入端，第二放大器的输出端输出第一电压；第二电压提供单元包括：第三电阻，第三电阻的第一端耦接第二电阻的第二端；第三放大器，第三放大器的同相输入端耦接第二电阻和第三电阻之间的耦接点，第三放大器的输出端耦接第三放大器的负相输入端，第三放大器的输出端输出第二电压。
14、其中，第三电阻和第二电阻的阻值和，等于第一电阻的阻值。
15、为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种随机存储器，包括如上述技术方案提供的预充电电压产生电路。
16、本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供的一种适用于随机存储器的预充电电压产生电路，其中，预充电电压产生电路用于选择性地提供预充电电压，预充电电压产生电路包括：电压产生模块，用于产生第一电压和第二电压，其中，第一电压或第二电压用于作为预充电电压；第一电压大于第二电压；选择模块，耦接电压产生模块，响应于操作命令为写命令，选择输出第二电压作为随机存储器的存储电容的公共端电压，响应于操作命令为读命令，选择输出第一电压作为公共端电压。通过上述的方式，针对读命令和写命令使用不同大小的电压作为存储电容的公共端电压以及位线的预充电电压，以此在写命令时，利用较小的第二电压作为存储电容的公共端电压，以使存储电容能够对应写入更多的电荷量，在后续读取时便能读取到更多的电荷，进而提升数据的准确性，进一步，能够改善写入数据时温度对写入存储电容的电荷的影响。
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1.一种适用于随机存储器的预充电电压产生电路，其中，所述预充电电压产生电路用于选择性地提供预充电电压，其特征在于，所述预充电电压产生电路包括：
2.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述预充电电压产生电路更向位线预充电模块提供所述预充电电压，以在预充电阶段将位线预充电至所述预充电电压。
3.根据权利要求2所述的预充电电压产生电路，其特征在于，响应于所述操作命令为预充电命令，所述选择模块选择输出所述第一电压作为所述预充电阶段的所述预充电电压。
4.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，当在灵敏放大阶段后收到所述写命令时，所述选择模块选择所述第二电压作为所述存储电容的所述公共端电压。
5.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述选择模块响应于所述操作命令为所述写命令以及第一温度信号，所述选择模块选择输出所述第二电压作为所述存储电容的所述公共端电压，当所述写命令是写入1时，所述存储电容的另一端电压为阵列电压，所述阵列电压和所述第二电压的电压差决定写入所述存储电容的电荷量。
6.根
7.根据权利要求5所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述选择模块响应于所述操作命令为所述写命令以及第二温度信号，所述选择模块选择性输出所述第一电压作为所述存储电容的所述公共端电压；其中，所述第二温度信号对应的温度小于所述第一温度信号对应的温度。
8.根据权利要求7所述的预充电电压产生电路，其特征在于，进一步包括：
9.根据权利要求7所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述选择模块包括：
10.根据权利要求9所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述第二选择器响应于所述读命令，所述第二选择器选择输出所述第一电压作为所述存储电容的所述公共端电压，并在电荷分享阶段使所述位线与所述存储电容进行电荷分享，所述位线被拉至第三电压，所述第三电压由所述存储电容写入数据后的所述电压差和所述公共端电压的所述第一电压决定。
11.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述电压产生模块包括：
12.根据权利要求11所述的预充电电压产生电路，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的预充电电压产生电路，其特征在于，
14.一种随机存储器，其特征在于，包括如权利要求1-13任意一项所述的预充电电压产生电路。
...【技术特征摘要】
1.一种适用于随机存储器的预充电电压产生电路，其中，所述预充电电压产生电路用于选择性地提供预充电电压，其特征在于，所述预充电电压产生电路包括：
2.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述预充电电压产生电路更向位线预充电模块提供所述预充电电压，以在预充电阶段将位线预充电至所述预充电电压。
3.根据权利要求2所述的预充电电压产生电路，其特征在于，响应于所述操作命令为预充电命令，所述选择模块选择输出所述第一电压作为所述预充电阶段的所述预充电电压。
4.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，当在灵敏放大阶段后收到所述写命令时，所述选择模块选择所述第二电压作为所述存储电容的所述公共端电压。
5.根据权利要求1所述的预充电电压产生电路，其特征在于，所述选择模块响应于所述操作命令为所述写命令以及第一温度信号，所述选择模块选择输出所述第二电压作为所述存储电容的所述公共端电压，当所述写命令是写入1时，所述存储电容的另一端电压为阵列电压，所述阵列电压和所述第二电压的电压差决定写入所述存储电容的电荷量。
6.根据权利要求5所述的预充电电压产生电路，其特征在于，响应于所述操作命令为读命令，选择输出所述第一电压作为所述存储电容的所述公共端电压，以使所述存储电容的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王美锋，吴苗苗，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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