【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种igbt器件的制备方法。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管igbt目前被广泛应用在工业、汽车以及消费领域的高压应用端。igbt作为高压器件既需要截止时保持好的高压耐压性能,也需要在导通时有较低的导通阻抗。igbt导通阻抗(vdson/vcesat/vceon)指的是igbt器件导通时器件阻抗，其为igbt产品核心参数。
2、随着igbt产品大量投入，相同工艺条件下不同衬底在产品器件导通阻抗上存在较大差异，在不同衬底状况下，igbt器件需要保持相同导通阻抗特性，保证产品特性的稳定及一致性。
3、fs型igbt传统制备工艺过程中需要在背面进行背注工艺，但是传统的背注工艺会影响器件的背注效率和导通阻抗。
技术实现思路
1、本申请提供了一种igbt器件的制备方法，可以解决fs型igbt的背注效率和导通阻抗受传统的背注工艺影响的问题。
2、本申请实施例提供了一种igbt器件的制备方法，包括：
3、提供一衬底，并采用igbt正面工艺在衬底内和衬底上制备出igbt的正面结构；
4、在所述正面结构上形成正面保护层；
5、对衬底的背面进行减薄处理；
6、从衬底的背面对所述衬底进行n型倾斜离子注入工艺以形成场截止层；
7、从衬底的背面对所述衬底进行p型离子注入工艺，以形成p型重掺杂层；以及
8、形成背面金属层，所述背面金属层覆盖所述p型重掺杂层。
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10、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，从衬底的背面对所述衬底进行n型倾斜离子注入工艺以形成场截止层的过程中，离子注入能量为100kev～500kev；离子注入浓度为1.0e12/cm2～1.0e13/cm2。
11、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，所述场截止层的厚度为1μm～5μm。
12、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，从衬底的背面对所述衬底进行p型离子注入工艺，以形成p型重掺杂层的过程中，离子倾斜注入角度为89°～91°。
13、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，从衬底的背面对所述衬底进行p型离子注入工艺，以形成p型重掺杂层的过程中，离子注入能量为10kev～100kev；离子注入浓度为1.0e12/cm2～3.0e13/cm2。
14、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，所述p型重掺杂层的厚度为0.1μm～0.5μm。
15、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，在形成p型重掺杂层之后，以及在形成背面金属层之前，所述igbt器件的制备方法还包括：对形成p型重掺杂层之后的半导体结构进行高温退火，以激活所述场截止层中的n型离子和所述p型重掺杂层中的p型离子。
16、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，采用化学机械研磨工艺从衬底的背面对衬底进行研磨，以对衬底的背面进行减薄处理。
17、可选的，在所述igbt器件的制备方法中，在形成背面金属层之后，所述igbt器件的制备方法还包括：去除所述正面保护层。
18、本申请技术方案，至少包括如下优点：
19、本申请通过在形成场截止层以及p型重掺杂层的倾斜离子注入工艺中，根据实际衬底参数表现，调整特定注入角度以到达匹配衬底的导通阻抗水平的目的，也就是说，通过调整衬底背面n型离子注入以及p型离子注入的倾斜角度来优化和改善igbt器件的导通阻抗，从而改善高导通阻抗衬底在产品中偏高的状况，提高产品在不同衬底条件下的器件特性的稳定性和一致性。
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1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行N型倾斜离子注入工艺以形成场截止层的过程中，离子倾斜注入角度为89°～91°，其中，所述离子倾斜注入角度为离子束射线与衬底表面之间的夹角。
3.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行N型倾斜离子注入工艺以形成场截止层的过程中，离子注入能量为100KeV～500KeV；离子注入浓度为1.0E12/cm2～1.0E13/cm2。
4.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述场截止层的厚度为1μm～5μm。
5.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行P型离子注入工艺，以形成P型重掺杂层的过程中，离子倾斜注入角度为89°～91°。
6.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行P型离子注入工艺，以形成P型重掺杂层的过程中，离子注入能量为10KeV～
7.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述P型重掺杂层的厚度为0.1μm～0.5μm。
8.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，在形成P型重掺杂层之后，以及在形成背面金属层之前，所述IGBT器件的制备方法还包括：对形成P型重掺杂层之后的半导体结构进行高温退火，以激活所述场截止层中的N型离子和所述P型重掺杂层中的P型离子。
9.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺从衬底的背面对衬底进行研磨，以对衬底的背面进行减薄处理。
10.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，在形成背面金属层之后，所述IGBT器件的制备方法还包括：去除所述正面保护层。
...【技术特征摘要】
1.一种igbt器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行n型倾斜离子注入工艺以形成场截止层的过程中，离子倾斜注入角度为89°～91°，其中，所述离子倾斜注入角度为离子束射线与衬底表面之间的夹角。
3.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行n型倾斜离子注入工艺以形成场截止层的过程中，离子注入能量为100kev～500kev；离子注入浓度为1.0e12/cm2～1.0e13/cm2。
4.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，所述场截止层的厚度为1μm～5μm。
5.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，从衬底的背面对所述衬底进行p型离子注入工艺，以形成p型重掺杂层的过程中，离子倾斜注入角度为89°～91°。
6.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨启毅，钱佳成，郑秋健，马栋，张继亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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