【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对于从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆的半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法。
技术介绍
1、以往，就此种半导体结晶晶圆的sic晶圆的制造方法而言，如下述专利文献1所示，已知有包含晶圆形状形成步骤，接着进行的加工变质层去除步骤，以及最终的镜面研磨步骤的sic晶圆的制造方法。就晶圆形状形成步骤而言，例如包含：晶锭成形步骤，将结晶成长成的单结晶sic块加工成圆柱状的晶锭；结晶方位成形步骤，于晶锭的外周的一部分形成切口以成为显示晶锭的结晶方位的标记；切片步骤，将单结晶sic的晶锭切片而加工成薄圆板状的sic晶圆；平坦化步骤，使用未达修正莫氏硬度的磨粒将sic晶圆平坦化；形成记号的记号形成步骤；以及将外周部倒角的倒角步骤。就加工变质层去除步骤而言，例如将先行的步骤中导入于sic晶圆的加工变质层予以去除。就镜面研磨步骤而言，例如并用研磨垫的机械性作用与浆料的化学性作用来进行研磨的化学机械研磨(cmp)步骤。
2、[现有技术文献]
3、[专利文献]
4、专利文献1：日本专利公开公报特开2020－15646号。
技术实现思路
1、[专利技术所欲解决的课题]
2、然而，上述的熟知sic晶圆的制造方法存在有制程多且复杂，装置结构复杂且制造成本高涨的问题。
3、另一方面，若简化制程时，难以稳定获得sic晶圆需求的质量。
4、对此，本专利技术的目的在于提供能够简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结
5、[用以解决课题的手段]
6、第一专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造装置具备：
7、沟加工鼓轮磨石，为了要在所述半导体结晶锭的侧面整体形成环绕的多条凹沟，而于侧面形成有对应于该多条凹沟的多条凸部；
8、研磨垫，用以研磨所述多条凹沟的圆筒状的垫，于侧面整体形成有对应于所述多条凸部的多条垫沟；及
9、线锯装置，使配置于所述多条凹沟的多条线旋绕同时前进，据此将所述半导体结晶锭切断成片状，且供该多条线旋绕的线锯线轴的侧面整体形成有对应于所述多条凸部的线轴沟。
10、依据第一专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置，(1)此制造装置由沟加工鼓轮磨石以及对应于该沟加工鼓轮磨石的两个追加构件的合计三个构件所构成，该沟加工鼓轮磨石为了要在半导体结晶锭的侧面整体形成环绕的多条凹沟，而于侧面形成有对应于该多条凹沟的多条凸部。
11、(2)追加构件的第一个构件用以研磨半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟的圆筒状的研磨垫，于侧面整体形成有对应于所述多条凸部的多条垫沟。
12、(3)追加构件的第二个构件使配置于所述半导体结晶锭的侧面整体所形成的多条凹沟的多条线旋绕的线锯装置，且于线锯线轴的侧面整体形成有对应于所述多条凸部的线轴沟。
13、并且，由于上述(1)沟加工鼓轮磨石、(2)研磨垫、(3)以及线锯装置成为对应的凹凸的沟形状，因而可对于(1)通过沟加工鼓轮磨石在半导体结晶锭的侧面整体形成的多条凹沟，(2)通过间距正确地一致的研磨垫进行沿着凹沟的研磨，并且(3)由于线绕着与凹沟相同形状的线轴而旋绕，因而能够以正确地配置于多条凹沟的多条线，将半导体结晶锭精度良好地切断成片状。
14、另外，由于切断成片状而获得的半导体晶圆的周缘皆通过间隙正确地一致的研磨垫将角部均匀地倒角，所以切断后不须再施予倒角加工等。
15、如此，依据第一专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置，能够精度良好地将半导体结晶锭切断成片状，而能够简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆。
16、第二专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置于第一专利技术中具备一对保护板，该保护板至少使用于通过所述沟加工鼓轮磨石形成环绕所述半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟时，以保护该半导体结晶锭的两端面。
17、依据第二专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置，具备一对保护板，该保护板至少使用于通过沟加工鼓轮磨石形成环绕半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟时，以保护该半导体结晶锭的两端面。
18、据此，通过一对保护板能够保护半导体结晶锭的两端部，能够防止两端部的缺角、破裂。因此，能够使多条凹沟形成至靠近两端面的端缘，进而能够更多量地切断而获得更多量的半导体结晶晶圆。
19、如此，依据第二专利技术的半导体结晶晶圆的制造装置，能够精度良好地将半导体结晶锭切断成更多的片状，而能够效率良好、简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆。
20、第三专利技术的半导体结晶晶圆的制造方法为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造方法包含：
21、沟加工步骤，形成环绕所述半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟；及
22、切断步骤，使配置于所述沟加工步骤中所形成的多条凹沟的多条线旋绕同时前进，据此将所述半导体结晶锭切断成片状；并且
23、于所述沟加工步骤之前先执行：
24、垫沟形成步骤，使用沟加工鼓轮磨石于圆筒状的研磨垫的侧面整体形成多条垫沟，该沟加工鼓轮磨石于侧面形成有对应于所述多条凹沟的多条凸部，且为在所述沟加工步骤中压接于所述半导体结晶锭而使用，该研磨垫用以研磨通过该沟加工步骤所形成的所述多条凹沟，且所述多条垫沟对应于所述多条凸部；及
25、线轴沟形成步骤，使用在所述沟加工步骤中压接于所述半导体结晶锭而使用的所述沟加工鼓轮磨石，于线锯线轴的侧面整体形成对应于所述多条凸部的线轴沟，该线锯线轴使用于所述切断步骤中供所述多条线旋绕；
26、所述沟加工步骤使所述沟加工鼓轮磨石与所述半导体结晶锭分别在相互平行的旋转轴上旋转的同时压接于所述半导体结晶锭，据此形成该凹沟，并且使通过所述垫沟形成步骤而形成垫沟的研磨垫与所述半导体结晶锭分别在相互平行的旋转轴上旋转的同时压接于所述半导体结晶锭，据此研磨该凹沟；
27、所述切断步骤通过分别将线配置于所述线轴沟形成步骤所形成的多条线轴沟的线锯而将所述半导体结晶锭切断成片状。
28、依据第三专利技术的半导体结晶晶圆的制造方法，(1)于半导体结晶锭的侧面整体形成与沟加工鼓轮的多条凸部对应的凹沟的沟加工步骤之前，先使用该沟加工鼓轮(多条凸部)执行以下的两个步骤。
29、首先，第一个步骤(2)通过垫沟形成步骤于侧面整体形成应于多条凸部的多条垫沟，圆筒状的研磨垫用以研磨于半导体结晶锭的侧面整体所形成的多条凹沟。
30、第二个步骤(3)通过线轴沟形成步骤，在使用于切断步骤中供多条线旋绕的线锯线轴的侧面整体形成对应于多条凸部的线轴沟。
31、并且，由于这些(1)沟加工鼓轮磨石、(2)研磨垫、及(3)线锯装置成为对应的凹凸的沟形状，故可对(1)于沟加工步骤中通过沟加工鼓轮在半导体结晶锭的侧面整体形成的多条凹沟，(2)于研磨步骤中通过间距正确地一致的研磨垫本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结晶晶圆的制造装置，为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体结晶晶圆的制造装置，具备一对保护板，该保护板至少使用于通过所述沟加工鼓轮磨石形成环绕所述半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟时，以保护该半导体结晶锭的两端面。
3.一种半导体结晶晶圆的制造方法，为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造方法包含：
4.根据权利要求3所述的半导体结晶晶圆的制造方法，其中，所述垫沟形成步骤将所述沟加工鼓轮磨石压接于圆筒状的垫沟加工磨石的侧面整体而形成对应于所述多条凸部的垫加工沟，并且
5.根据权利要求3或4所述的半导体结晶晶圆的制造方法，其中，所述半导体结晶锭至少于所述沟加工步骤中隔着保护该半导体结晶锭的两端面的一对保护板而被支持成可自由旋转。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结晶晶圆的制造装置，为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出片状的晶圆，该半导体结晶晶圆的制造装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体结晶晶圆的制造装置，具备一对保护板，该保护板至少使用于通过所述沟加工鼓轮磨石形成环绕所述半导体结晶锭的侧面整体的多条凹沟时，以保护该半导体结晶锭的两端面。
3.一种半导体结晶晶圆的制造方法，为从研削加工成圆筒形状的半导体结晶锭切出...
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