【技术实现步骤摘要】
本申请涉及dcb烧结治具，具体涉及一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法。
技术介绍
1、dcb技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷（氧化铝）之间引入适量的氧元素，在一定的温度范围内，铜与氧形成cu-o共晶液，浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。
2、现行业的覆铜陶瓷基板(dcb)在烧结生产过程中，因产品不可直接与生产设备直接接触，因而使用隧道炉烧结产品时需在治具中加入一个盖板，盖板材质基本为氧化铝材质，若盖板因滑落或者破裂等因素与dcb产品发生接触时，会与dcb产品上的铜片在高温下键合，会产生粘连而导致dcb产品报废，增加dcb产品的生产成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，通过将氧化镁和正硅酸乙酯在无水乙醇作为分散剂的作用下，混合均匀得到待反应溶液，并均匀喷涂至氧化铝陶瓷板的表面，并在高温条件下，生成硅酸镁煅烧层包覆在氧化铝陶瓷板的表面，防止硅酸镁煅烧层在烧结过程中发生脱落，隔绝氧化铝材质的盖板与dcb产品中的铜接触，解决了现有技术中存在的上述问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用了以下方案：
3、一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，包括以下步骤：
4、步骤一：盖板为氧化铝陶瓷板，对氧化铝陶瓷板的表面粗化处理；
5、步骤二：将氧化镁和正硅酸乙酯按比例进行混合均匀，得到待反应溶液；
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7、步骤四：待步骤三中的氧化铝陶瓷板干燥后烧结，氧化铝陶瓷板的表面形成硅酸镁烧结层。
8、本专利技术主要采用氧化镁和正硅酸乙酯在高温条件下反应，产生了新物相硅酸镁，新物相硅酸镁在生成过程中对氧化铝陶瓷有很好的包覆性，容易形成稳定致密、不易脱落的包覆层。
9、氧化镁和正硅酸乙酯均作为反应剂氧化镁提供镁源，正硅酸乙酯提供硅源，二者在高温条件下生成硅酸镁，从而在盖板表面形成一层镀层。
10、具体的反应原理为：
11、正硅酸乙酯（c2h5o)4si在高温条件下反应生成纳米级别sio2:
12、（c2h5o)4si+o2→co2+h2o+sio2。
13、新生成的氧化硅与氧化镁在1000℃以上反应生成硅酸镁：
14、sio2+mgo→mgsio3。
15、具体地，本方法中未直接使用氧化硅当涂覆原料，而采用正硅酸乙酯来新生成氧化硅来提供反应剂，正是因为利用正硅酸乙酯在高温条件下新生产的氧化硅为纳米级别，其纳米级别的氧化硅的反应活性更高，以产生更佳的包覆效果。而直接涂抹硅酸镁粉于氧化铝陶瓷板的表面会造成容易脱落，脱落的粉状物质从而掉落至治具内，与治具内的dcb产品产生接触，最终污染dcb产品，导致dcb产品报废，增加生产成本。
16、需要注意地是，本方法中的高温条件指的是温度处于1000℃~1400℃。
17、进一步优选地，所述步骤一中，经粗化处理后氧化铝陶瓷板表面的粗糙度为0.5μm~3μm。
18、通过对氧化铝陶瓷板表面进行粗化处理，增加其表面的粗糙度，从而提高硅酸镁烧结层与氧化铝陶瓷板之间的包覆结合力。
19、进一步优选地，所述步骤二中各组分按质量百分数计，氧化镁40%~50%，正硅酸乙酯20%~30%，其余为分散剂。
20、分散剂用于确保氧化镁和正硅酸乙酯的均匀分布和稳定悬浮，从而将氧化镁和正硅酸乙酯均匀地喷涂于氧化铝陶瓷板的表面。
21、进一步优选地，所述氧化镁和正硅酸乙酯分别作为反应剂。
22、进一步优选地，所述分散剂为无水乙醇。
23、进一步优选地，所述步骤四中，烧结的温度为1000℃~1400℃，烧结时间为3h~6h。
24、进一步优选地，所述步骤四中，所述硅酸镁烧结层的厚度为0.5μm~1.5μm。
25、进一步优选地，所述氧化铝陶瓷板的长度为190mm~210mm，宽度为150mm~170mm。
26、进一步优选地，所述氧化铝陶瓷板的厚度为0.3mm~2.0mm。
27、本专利技术的有益效果为：本专利技术为一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，先将氧化镁和正硅酸乙酯的混合物均匀喷涂于氧化铝陶瓷板的表面，再经过高温烧结，正硅酸乙酯在高温下生成纳米级别的氧化硅，新生成的纳米级别的氧化硅继而与氧化镁在高温条件下生成硅酸镁，硅酸镁在生成的过程中对氧化铝陶瓷板具有好的包覆性，在氧化铝陶瓷板的表面形成稳定致密、不易脱落的包覆层，实现dcb产品中的铜不会与盖板内的氧化铝接触，避免铜与氧化铝高温键合，从而不会使dcb产品的性能发生改变，降低产品报废率。
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1.一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤一中，经粗化处理后氧化铝陶瓷板表面的粗糙度为0.5μm~3μm。
3.根据权利要求1所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤二中各组分按质量百分数计，氧化镁40%~50%，正硅酸乙酯20%~30%，其余为分散剂。
4.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述氧化镁和正硅酸乙酯分别作为反应剂。
5.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述分散剂为无水乙醇。
6.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤四中，烧结的温度为1000℃~1400℃，烧结时间为3h~6h。
7.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤四中，所述硅酸镁烧结层的厚度为0.5μm~1.5
8.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述氧化铝陶瓷板的长度为190mm~210mm，宽度为150mm~170mm。
9.根据权利要求3所述的一种用于减少DCB烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述氧化铝陶瓷板的厚度为0.3mm~2.0mm。
...【技术特征摘要】
1.一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤一中，经粗化处理后氧化铝陶瓷板表面的粗糙度为0.5μm~3μm。
3.根据权利要求1所述的一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述步骤二中各组分按质量百分数计，氧化镁40%~50%，正硅酸乙酯20%~30%，其余为分散剂。
4.根据权利要求3所述的一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所述氧化镁和正硅酸乙酯分别作为反应剂。
5.根据权利要求3所述的一种用于减少dcb烧结治具中盖板粘连的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：帅豪，丁勤，涂俸文，胡琳，
申请(专利权)人：四川富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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