【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt参数测试，具体说是一种igbt转移特性测试系统及方法。
技术介绍
1、转移特性是igbt的一种重要特性，它描述了驱动电压vge与饱和电流icsat之间的关系，igbt的转移特性曲线如图1所示。
2、目前，常见的测试方法更接近静态测试，一般是通过连接电源将igbt的集电极-发射极电压vce维持在20v，通过调整vge，来测得对应的icsat。但受限于电源功率及限流内阻，当vge上升，igbt的icsat升高时，内阻两端也会产生不可忽视的电压，使得vce下降，从而导致测得的icsat偏低。现有的测试电路如图2所示，图2中dut为被测igbt；v1为可调电压源，用于设置igbt的vce，一般设置为20v；rout为v1内阻；m1为电流测量设备，用于测量igbt的icsat；v2为可调电压源，用于调节igbt的vge；m2为电压测量设备，用于测量igbt的vge。随着电流的上升，由于v1功率限制及rout的存在，igbt的vce会下降，导致测得icsat偏小，如图3所示。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种igbt转移特性测试系统及方法，采用该系统及方法获得icsat准确，从而获得转移特性结果准确。
2、为解决上述问题，提供以下技术方案：
3、本专利技术的igbt转移特性测试系统的特点是包括：
4、测试电路，含有驱动单元和电源单元。所述驱动单元用于与igbt的栅极相连，产生驱动电压驱动igbt导通。所
5、采样单元，与igbt适配连接，用于采集流过igbt的短路电流。
6、数据处理单元，与所述采样单元和驱动单元适配连接，用于获得驱动电压和短路电流，并根据驱动电压和短路电流得到igbt的转移特性。
7、其中，所述电源单元含有可调电压源v1，可调电压源v1的正极和负极间串联有电容c1，可调电压源v1的正极用于与被测igbt的集电极相连，可调电压源v1的负极用于与被测igbt的发射极相连。
8、所述驱动单元的产生的驱动电压的幅值、脉宽及占空比均可调。
9、所述电容c1为dclink电容。
10、所述采样单元为罗氏线圈，罗氏线圈用于套在igbt的集电极或发射极上，罗氏线圈与所述数据处理单元相连。
11、一种igbt转移特性测试方法的特点是采用上述的igbt转移特性测试系统，具体步骤如下：
12、第一步，将待测igbt的集电极与电源单元的正极相连，待测igbt的发射极与电源单元的负极相连；
13、第二步，启动驱动单元和电源单元，驱动单元产生驱动电压驱动igbt导通，电源单元产生电源电压使igbt的集电极和发射极流过短路电流，数据处理单元通过采样单元得到短路电流、通过驱动单元获得驱动电压，数据处理单元将igbt的短路电流转换成饱和电流，得到igbt的转移特性。
14、采取以上方案，具有以下优点：
15、由于本专利技术的igbt转移特性测试系统的采样单元将流过igbt的短路电流发送给数据处理单元，数据处理单元通过短路电流获得igbt的饱和电流，进而得到igbt的转移特性曲线。与现有技术直接测量icsat会导致结果偏小相比，大大提高了icsat的准确性，确保转移特性更加精确。
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1.一种IGBT转移特性测试系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的IGBT转移特性测试系统，其特征在于，所述电源单元含有可调电压源V1，可调电压源V1的正极和负极间串联有电容C1，可调电压源V1的正极用于与被测IGBT的集电极相连，可调电压源V1的负极用于与被测IGBT的发射极相连。
3.如权利要求1所述的IGBT转移特性测试系统，其特征在于，所述驱动单元的产生的驱动电压的幅值、脉宽及占空比均可调。
4.如权利要求1所述的IGBT转移特性测试系统，其特征在于，所述电容C1为DClink电容。
5.如权利要求1所述的IGBT转移特性测试系统，其特征在于，所述采样单元为罗氏线圈，罗氏线圈用于套在IGBT的集电极或发射极上，罗氏线圈与所述数据处理单元相连。
6.一种IGBT转移特性测试方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的IGBT转移特性测试系统，具体步骤如下：
【技术特征摘要】
1.一种igbt转移特性测试系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的igbt转移特性测试系统，其特征在于，所述电源单元含有可调电压源v1，可调电压源v1的正极和负极间串联有电容c1，可调电压源v1的正极用于与被测igbt的集电极相连，可调电压源v1的负极用于与被测igbt的发射极相连。
3.如权利要求1所述的igbt转移特性测试系统，其特征在于，所述驱动单元的产生的驱动电压的幅值、脉宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮彬彬，陈宏，刘洋，刁绅，叶士杰，郭亚楠，
申请(专利权)人：江苏易矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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