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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及但不限于调幅技术,其中涉及一种单边带调制器。
技术介绍
1、根据电光效应,当激光通过电光晶体时,对电光晶体施加电场,可对激光相位进行调制,图1为相关技术出射激光产生的频率边带的示意图,如图1所示,当施加频率为的震荡电场时,出射激光会产生频率间隔为的频率边带,图1中的0阶代表载波频率成分,在载波两侧对称地分布了各阶频率边带成分。图2是相关技术幅度调制器的结构示意图,在马赫曾德干涉仪(mz干涉仪)的两干涉臂上分别放置一个电光相位调制器(eom),控制施加在两个eom上震荡电场的相位,以及两个干涉臂的光程差,可以实现对激光的幅度调制;例如,两个eom上分别施加震荡电场,控制两个干涉臂的光程差为,则出射激光电场矢量正比于,参见图3,出射激光中只剩下奇数阶边带成分,其功率出现频率为的震荡,即实现了幅度调制。
2、单边带调制器(ssb,single sideband modulator)在光通信、原子分子光学等领域具有重要应用价值;图4是相关技术单边带调制器的结构示意图,在mz干涉仪的两个干涉臂上分别放置一个幅度调制器,控制施加在两个幅度调制器上震荡电场的相位,以及两个干涉臂的光程差,可以实现对激光的单边带调制;例如,施加在两个幅度调制器上的电场分别是和,且控制两个干涉臂的光程差为,则出射激光电场矢量正比于,如附图5所示,出射激光中只剩下了+1,-3...阶频率边带;控制调制深度,可以使得出射激光中+1阶边带占比显著高于其余阶频率边带,即实现了单边带调制。
3、相关技术中,单边带调制器通常是基于光波导的方案
技术实现思路
1、以下是对本申请详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开实施例提供一种单边带调制器,能够实现低插损、高耐受功率,且系统结构简单。
3、本公开实施例提供了一种单边带调制器,包括:设置在马赫曾德mz干涉仪的一个以上干涉臂上的自由空间幅度调制器;
4、自由空间幅度调制器设置为:根据施加于自身的震荡电场,对入射激光进行幅度调制;
5、其中,所述一个以上干涉臂包括第一干涉臂和/或第二干涉臂。
6、本公开实施例单边带调制器采用自由空间幅度调制器替代基于光波导的幅度调制器,降低了插损,且提高了耐受光功率;本公开实施例通过自由空间幅度调制器进行幅度调制,只需控制单边带调制器中mz干涉仪的臂长,简化了系统控制复杂度。
7、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种单边带调制器,其特征在于,包括:设置在马赫曾德MZ干涉仪的一个以上干涉臂上的自由空间幅度调制器;
2.根据权利要求1所述的单边带调制器,其特征在于,所述第一干涉臂和第二干涉臂的光程差为第一预设数值。
3.根据权利要求1所述的单边带调制器,其特征在于,所述第一干涉臂和所述第二干涉臂上均设置所述自由空间幅度调制器,所述第一干涉臂上设置第一自由空间幅度调制器,所述第二干涉臂上设置第二自由空间幅度调制器;
4.根据权利要求1至3任一项所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包括起偏器、检偏器和一个以上自由空间电光晶体;其中,
5.根据权利要求4所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包含第一自由空间电光晶体;
6.根据权利要求4所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包含第二自由空间电光晶体和第三自由空间电光晶体,所述第二自由空间电光晶体和所述第三自由空间电光晶体长度一致、且轴互相垂直放置;
7.根据权利要求4所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包含
8.根据权利要求4所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包含第六自由空间电光晶体、四分之一波片和反射光学元件;其中,
...【技术特征摘要】
1.一种单边带调制器,其特征在于,包括:设置在马赫曾德mz干涉仪的一个以上干涉臂上的自由空间幅度调制器;
2.根据权利要求1所述的单边带调制器,其特征在于,所述第一干涉臂和第二干涉臂的光程差为第一预设数值。
3.根据权利要求1所述的单边带调制器,其特征在于,所述第一干涉臂和所述第二干涉臂上均设置所述自由空间幅度调制器,所述第一干涉臂上设置第一自由空间幅度调制器,所述第二干涉臂上设置第二自由空间幅度调制器;
4.根据权利要求1至3任一项所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包括起偏器、检偏器和一个以上自由空间电光晶体;其中,
5.根据权利要求4所述的单边带调制器,其特征在于,所述自由空间幅度调制器包含第一自由空间电...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨蒿翔,李博文,
申请(专利权)人:华翊博奥北京量子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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