【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电路设计，诸如集成电路设计。更具体地，本公开涉及具有堆叠管芯的电路中的寄生提取和定时分析。
技术介绍
1、在电路设计期间，执行定时分析以确定电路的不同路径中的延迟。延迟可能受到电路的各种因素的影响，诸如电路中存在的寄生效应(例如，寄生电阻和寄生电容)。通常，期望将电路设计调节到延迟，特别是在延迟太大并且导致电路功能不正常的情况下。
技术实现思路
1、本公开提供了用于分析电路设计的系统和方法。根据一个实施例，一种方法包括接收包括第一管芯和定位在第一管芯上的第二管芯的电路设计，以及由处理设备生成第一虚拟接口块，该第一虚拟接口块包括第一管芯的部分和定位为与第一管芯相邻的第一虚拟管芯。第一虚拟管芯的最靠近第一管芯的层包括填充有虚拟金属的第一轨道。该方法还包括至少部分基于第一虚拟接口块执行寄生提取，以生成第一管芯与第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的第一模型。
2、该方法可以包括生成包括第二管芯的部分和第二虚拟管芯的第二虚拟接口块。该第二虚拟管芯的最靠近第二管芯的层可以包括填充有虚拟金属的第二轨道。该方法可以包括至少部分基于第二虚拟接口块执行寄生提取，以生成第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型。该方法可以包括使用第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型来对第二管芯执行静态定时分析。
3、第一管芯的上述部分可以包括第一层、位于第一层上的第二层和位于第二层上的第三层中的一项或多项。
4、至少部分基于第一虚拟接口块执行寄生提取可以包括生成
5、该方法可以包括使用第一管芯与第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的第一模型来对第一管芯执行静态定时分析。该方法可以包括：响应于确定电路设计的第三管芯与第一管芯相同，针对第三管芯使用第一管芯的静态定时分析的结果。对第一管芯执行静态定时分析可以包括：当填充有虚拟金属的层是侵害网时，将填充有虚拟金属的层视为连接到第一虚拟管芯中的受害网并且与第一虚拟管芯中的其他网断开连接。
6、根据另一实施例，一种系统包括存储器和通信耦合到存储器的处理器。处理器接收包括第一管芯和定位在第一管芯上的第二管芯的电路设计，并且生成第一虚拟接口块，第一虚拟接口块包括第一管芯的部分和定位在第一管芯上的第一虚拟管芯。第一虚拟管芯的最靠近第一管芯的层包括填充有虚拟金属的轨道。处理器还至少部分基于第一虚拟接口块执行寄生提取，以生成第一管芯与第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的第一模型。
7、处理器可以生成包括第二管芯的部分和第二虚拟管芯的第二虚拟接口块。第二虚拟管芯的最靠近第二管芯的层可以包括填充有虚拟金属的轨道。处理器可以至少部分基于第二虚拟接口块执行寄生提取，以生成第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型。处理器可以使用第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型来对第二管芯执行静态定时分析。
8、第一管芯的上述部分可以包括第一层、位于第一层上的第二层和位于第二层上的第三层。
9、至少部分基于第一虚拟接口块执行寄生提取可以包括生成从第一管芯的上述部分到填充有虚拟金属的轨道的耦合电容器。
10、处理器可以使用第一管芯与第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的第一模型来对第一管芯执行静态定时分析。处理器可以响应于确定电路设计的第三管芯与第一管芯相同而针对第三管芯使用第一管芯的静态定时分析的结果。对第一管芯执行静态定时分析可以包括：当填充有虚拟金属的层是侵害网时，将填充有虚拟金属的层视为连接到第一虚拟管芯中的受害网并且与第一虚拟管芯中的其他网断开连接。
11、根据另一实施例，一种非暂态计算机可读介质存储指令，该指令在由处理器执行时引起处理器生成第一虚拟接口块，该第一虚拟接口块包括多个堆叠管芯中的第一管芯的部分和定位在第一管芯上的第一虚拟管芯。第一虚拟管芯的最靠近第一管芯的层可以包括填充有虚拟金属的轨道。处理器可以生成第一管芯与第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的第一模型。
12、处理器可以生成第二虚拟接口块，第二虚拟接口块包括多个堆叠管芯中的第二管芯的部分和第二虚拟管芯。第二虚拟管芯的最靠近第二管芯的层可以包括填充有虚拟金属的轨道。处理器可以生成第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型。处理器可以使用第二管芯与第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的第二模型来对第二管芯执行静态定时分析。
13、至少部分基于第一虚拟接口块执行寄生提取可以包括生成从第一管芯的上述部分到填充有虚拟金属的轨道的耦合电容器。
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1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括使用所述第二管芯与所述第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的所述第二模型来对所述第二管芯执行静态定时分析。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一管芯的所述部分包括第一层、位于所述第一层上的第二层和位于所述第二层上的第三层中的一项或多项。
5.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于所述第一虚拟接口块执行寄生提取包括生成从所述第一管芯的所述部分到填充有虚拟金属的所述第一轨道的耦合电容器。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述第一管芯与所述第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的所述第一模型来对所述第一管芯执行静态定时分析。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中对所述第一管芯执行静态定时分析包括：当填充有虚拟金属的层是侵害网时，将所述填充有虚拟金属的层视为连接到所述第一虚拟管芯中的受害网并且与所述第一虚拟管芯中的其他网断开连接。
9.一种系统，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括使用所述第二管芯与所述第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的所述第二模型来对所述第二管芯执行静态定时分析。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一管芯的所述部分包括第一层、位于所述第一层上的第二层和位于所述第二层上的第三层中的一项或多项。
5.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于所述第一虚拟接口块执行寄生提取包括生成从所述第一管芯的所述部分到填充有虚拟金属的所述第一轨道的耦合电容器。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述第一管芯与所述第一虚拟管芯之间的管芯间耦合的所述第一模型来对所述第一管芯执行静态定时分析。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中对所述第一管芯执行静态定时分析包括：当填充有虚拟金属的层是侵害网时，将所述填充有虚拟金属的层视为连接到所述第一虚拟管芯中的受害网并且与所述第一虚拟管芯中的其他网断开连接。
9.一种系统，包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述处理器还被配置为：
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述处理器还被配置为使用所述第二管芯与所述第二虚拟管芯之间的管芯间耦合的所述第二模型来对所述第二管芯执行静态定时分析。
12.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·斯里帕达，K·森达雷桑，P·泰拉尼，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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