【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，尤其涉及一种瞬态抑制二极管上料机构。
技术介绍
1、瞬态抑制二极管是一种用于敏感器件免遭瞬态电压浪涌破坏的一种半导体器件，瞬态抑制二极管具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。在瞬态抑制二极管的生产过程中，需要对瞬态抑制二极管引脚进行折弯，且需要通过上料机构将二极管传输至工位，采用人工上料的方式，容易放错正负极方向，生产效率也较为低下，因此，采用自动化上料生产是一种更为高效的方式。现有技术中，通过在折弯机构下方设置输送带，并通过将瞬态抑制二极管依次设置放置在输送带上，通过控制输送带传动，使得瞬态抑制二极管依次传输至工位，实现对二极管的加工。
2、但是，采用输送带的方式，需要占用较长的空间进行传输，若采用转盘进行转动传输的方式，在一定程度上能够缩短传输方向上的距离，但是转盘自身占用的空间面积较大，且转盘在加工过程中容易受力转动，导致加工不稳定的情况，影响加工质量。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种瞬态抑制二极管上料机构，该瞬态抑制二极管上料机构既缩短了传输距离，又减小了占地面积，从而节约了空间资源，还可以实现转动的止位，避免了加工不稳定的情况。
2、为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种瞬态抑制二极管上料机构，包括：底座，位于所述底座的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴的竖板，所述转轴的外壁上固定安装有一上料辊，此上料辊沿转轴长度方向间隔设置有两个，且在两个上料辊
3、沿所述上料辊的周向侧壁间隔设置有若干个凸条，从而在相邻凸条之间形成一用于半导体引脚放置的限位槽，平行于转轴且在竖板上滑动连接有一t型杆，且该t型杆靠近上料辊的一端固定安装有一电磁铁，所述上料辊与电磁铁磁吸配合。
4、上述技术方案中进一步改进的方案如下：
5、1. 上述方案中，所述t型杆的另一端与竖板之间套设有一弹簧。
6、2. 上述方案中，位于所述上料辊的下方设置有一用于收集半导体的集料箱。
7、3. 上述方案中，所述限位槽沿上料辊的周向等距间隔设置。
8、4. 上述方案中，位于所述竖板的外壁上设置有一用于驱动转轴转动的电机。
9、由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
10、本技术瞬态抑制二极管上料机构，其位于底座的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴的竖板，转轴的外壁上固定安装有一上料辊，此上料辊沿转轴长度方向间隔设置有两个，沿上料辊的周向侧壁间隔设置有若干个凸条，从而在相邻凸条之间形成一用于半导体引脚放置的限位槽，平行于转轴且在竖板上滑动连接有一t型杆，且该t型杆靠近上料辊的一端固定安装有一电磁铁，通过在转轴上间隔设置有两个上料辊，且在两个上料辊之间形成供半导体主体放置的容置空间，沿上料辊的周向侧壁间隔设置有若干个限位槽，从而可以将半导体放置在限位槽中，伴随转轴旋转带动上料辊转动，实现了半导体的旋转上料，还可以通过控制电磁铁的通电，使得电磁铁与上料辊吸合，保证了停机时上料辊的稳定性，既缩短了传输距离，又减小了占地面积，从而节约了空间资源，还可以实现转动的止位，避免了加工不稳定的情况，提高了装置整体的可靠性。
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1.一种瞬态抑制二极管上料机构，包括：底座（1），其特征在于：位于所述底座（1）的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴（3）的竖板（2），所述转轴（3）的外壁上固定安装有一上料辊（8），此上料辊（8）沿转轴（3）长度方向间隔设置有两个，且在两个上料辊（8）之间形成供半导体（6）主体放置的容置空间；
2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管上料机构，其特征在于：所述T型杆（5）的另一端与竖板（2）之间套设有一弹簧（4）。
3.根据权利要求2所述的瞬态抑制二极管上料机构，其特征在于：位于所述上料辊（8）的下方设置有一用于收集半导体（6）的集料箱（11）。
4.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管上料机构，其特征在于：所述限位槽（10）沿上料辊（8）的周向等距间隔设置。
5.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管上料机构，其特征在于：位于所述竖板（2）的外壁上设置有一用于驱动转轴（3）转动的电机（12）。
【技术特征摘要】
1.一种瞬态抑制二极管上料机构，包括：底座（1），其特征在于：位于所述底座（1）的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴（3）的竖板（2），所述转轴（3）的外壁上固定安装有一上料辊（8），此上料辊（8）沿转轴（3）长度方向间隔设置有两个，且在两个上料辊（8）之间形成供半导体（6）主体放置的容置空间；
2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管上料机构，其特征在于：所述t型杆（5）的另一端与竖板（2）之间套设有一弹簧（...
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