System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体发光元件及发光装置制造方法及图纸_技高网

当前位置: 首页 > 专利查询>厦门三安光电有限公司专利>正文

半导体发光元件及发光装置制造方法及图纸

技术编号：42206892 阅读：13 留言：0更新日期：2024-07-30 18:50

本发明专利技术提供一种半导体发光元件及发光装置，其中所述半导体发光元件，至少包括由下至上叠置的N型半导体层、发光层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和p型空穴注入层，其中所述发光层包含交替堆叠的阱层和势垒层。其中，所述第一电子阻挡层接触所述发光层的最后一个势垒层，其能级带隙高于所述第二电子阻挡层的能级带隙，所述第二电子阻挡层的能级带隙高于所述势垒层的能级带隙，所述p型空穴注入层的能级带隙低于所述势垒层的能级带隙，可以有效提升发光元件的抗光衰能力。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜同伟，陈燕春，黄少华，曾建尧，周启伦，蔡吉明，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人

相关技术

网友询问留言已有0条评论

还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1

发布您的意见

相关领域技术