荧光体制造技术

技术编号：42202604 阅读：10 留言：0更新日期：2024-07-30 18:48

本发明专利技术的一个方式提供一种荧光体，其主晶相具有与Li<subgt;2</subgt;MgGeO<subgt;4</subgt;晶相相同的结构，含有4价铬作为活化元素，且在漫反射吸收光谱中，使波长330～430nm的漫反射吸收光谱的积分值为X、波长600～800nm的漫反射吸收光谱的积分值为Y时，Y/X的值为3.8以上。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及荧光体。

技术介绍

1、具有发光二极管等发光元件的发光装置用于一般照明、液晶显示器用的背光源、led显示器和质量检查用途发光装置等。led显示器中，例如使用具有以蓝色进行发光的发光元件、以及吸收来自发光元件的一次光并发出波长相异的光的波长转换器的发光元件。而且，作为波长转换器，使用红色荧光体和绿色荧光体等各种荧光体。

2、近红外光由于也可以考虑作为热源的利用，因此有人进行了在近红外区域发光的荧光体的研究。而且，就在近红外区域发光的荧光体而言，可举出以铬为发光中心这样的荧光体作为候选。例如，专利文献1中公开了一种近红外发光荧光体，其含有：在化学组成1摩尔中，使gd与cr的合计的摩尔比为1，cr的摩尔比为0.0085～0.05的包含gd、cr、和al的氧化物；利用在380nm～480nm以下的范围内具有发光峰波长的光来激发，而在690nm～790nm以下的范围内具有发光峰波长。

3、另外，专利文献2中公开了一种发光装置，其具备发光光源以及荧光体，且上述荧光体至少含有受到激发会发出近红外光的近红外发光荧光体。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2020-041135号公报

7、专利文献2：日本特开2020-188044号公报

技术实现思路

1、如果是会发出近红外光且发光强度优异的荧光体，则是有用的。

2、本专利技术的目的在于提供发光强度优异的荧光体。

3、本申请提供以下[1]～[7]。

4、[1]一种荧光体，其主晶相具有与li2mggeo4晶相相同的结构，含有4价铬作为活化元素，且

5、在漫反射吸收光谱中，使波长330～430nm的漫反射吸收光谱的积分值为x、波长600～800nm的漫反射吸收光谱的积分值为y时，y/x的值为3.8以上。

6、[2]根据[1]所述的荧光体，其中，上述主晶相以通式：a2b(c1－xcrx)o4表示(通式中，a、b、c表示彼此不同的金属元素)，

7、cr的含量以c和cr的合计量为基准计为8mol％以下。

8、[3]根据[2]所述的荧光体，其中，上述cr的含量为6mol％以下。

9、[4]根据[2]或[3]所述的荧光体，其中，上述通式中的a包含li，a中的li的含量为90mol％以上。

10、[5]根据[2]～[4]中任一项所述的荧光体，其中，上述通式中的b包含mg，b中的mg的含量为90mol％以上。

11、[6]根据[2]～[5]中任一项所述的荧光体，其中，上述通式中的c包含ge，c中的ge的含量为90mol％以上。

12、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的荧光体，其中，粉末x射线衍射图案中，使衍射角(2θ)为17.0～19.5°的区域中的峰强度的最大值为α、衍射角为20.5～23.5°的区域中的峰强度的最大值为β时，α/β的值为0.047以下。

13、本专利技术的一个方式提供一种荧光体，其主晶相具有与li2mggeo4晶相相同的结构，含有4价铬作为活化元素，且在漫反射吸收光谱中，使波长330～430nm的漫反射吸收光谱的积分值为x、波长600～800nm的漫反射吸收光谱的积分值为y时，y/x的值为3.8以上。

14、上述荧光体通过使漫反射吸收光谱中的特定波长区域的积分强度的比成为预定范围内，从而可展现优异的发光强度。另外，在漫反射吸收光谱中，330～430nm的波长区域观测到的峰对应6价铬的吸收，600～800nm的波长区域观测到的峰对应4价铬的吸收，上述y/x的值为规定值以上是指荧光体中的4价铬的比例高。

15、上述主晶相以通式：a2b(c1－xcrx)o4(通式中，a、b、c表示彼此不同的金属元素)表示，cr的含量以c和cr的合计量为基准计可以是8mol％以下(相当于上述通式中x为0.08以下)，也可以是6mol％以下。

16、可以是上述通式中的a包含li，且a中的li的含量为90mol％以上。另外，可以是上述通式中的b包含mg，且b中的mg的含量为90mol％以上。另外，可以是上述通式中的c包含ge，且c中的ge的含量为90mol％以上。

17、对于上述荧光体而言，在粉末x射线衍射图案中，使衍射角(2θ)为17.0～19.5°的区域中的峰强度的最大值为α、衍射角为20.5～23.5°的区域中的峰强度的最大值为β时，α/β的值可以是0.047以下。

18、根据本专利技术，能够提供发光强度优异的荧光体。

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【技术保护点】

1.一种荧光体，其主晶相具有与Li2MgGeO4晶相相同的结构，

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述主晶相以通式：A2B(C1－xCrx)O4表示，且通式中A、B、C表示彼此不同的金属元素，

3.根据权利要求2所述的荧光体，其中，所述Cr的含量为6mol％以下。

4.根据权利要求2或3所述的荧光体，其中，所述通式中的A包含Li，A中的Li的含量为90mol％以上。

5.根据权利要求2或3所述的荧光体，其中，所述通式中的B包含Mg，B中的Mg的含量为90mol％以上。

6.根据权利要求2或3所述的荧光体，其中，所述通式中的C包含Ge，C中的Ge的含量为90mol％以上。

7.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，粉末X射线衍射图案中，使衍射角即2θ为17.0～19.5°的区域中的峰强度的最大值为α、衍射角为20.5～23.5°的区域中的峰强度的最大值为β时，α/β的值为0.047以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种荧光体，其主晶相具有与li2mggeo4晶相相同的结构，

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述主晶相以通式：a2b(c1－xcrx)o4表示，且通式中a、b、c表示彼此不同的金属元素，

3.根据权利要求2所述的荧光体，其中，所述cr的含量为6mol％以下。

4.根据权利要求2或3所述的荧光体，其中，所述通式中的a包含li，a中的li的含量为90mol％以上。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：中嶋良良歌，坂野广树，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：

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