【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于生成晶片抛光量的设备及其测量方法，该设备能够精确地测量和管理晶片抛光量。
技术介绍
1、通常，广泛地用作用于制造半导体元件的材料的晶片指的是以多晶硅为原材料而制成的单晶硅薄板。
2、这种晶片通过切片过程、研磨过程、蚀刻过程、抛光过程和清洗过程来制造，其中，切片过程使多晶硅生长成单晶硅锭，然后以晶片的形式切割硅锭；研磨过程使晶片的厚度均匀化，使得晶片平整；蚀刻过程去除和减轻由机械抛光导致的损伤；抛光过程使晶片的表面镜面化；清洗过程清洗晶片。
3、抛光过程是非常重要的过程，因为抛光过程是在将晶片引入设备工序之前，生成最终的平整度和表面粗糙度的过程。
4、在抛光过程中，吸附于头部的晶片在压力作用下在抛光垫上旋转，使得晶片的表面机械地平坦化，此外，执行化学反应的浆料供应到抛光垫上，使得晶片的表面化学地平坦化。
5、在第2007-066964号日本专利公布(于2008年9月25日公布)中公开了一种用于晶片的双面抛光设备，该双面抛光设备测量晶片的中心部分的厚度，且能够高可靠性地进行厚度测量。
6、当窗形成在顶板上，且顶板旋转时，厚度测量设备设置在支撑框架上，该支撑框架设置在穿过支撑框架的窗的上部。厚度测量设备包括：发光部件，用于朝向窗发射激光；物镜，用于通过驱动设备来移动，以使从发光部件发射的激光聚焦；光接收部件，用于接收反射到晶片的表面和后表面的反射光；以及计算部件，光接收信号从光接收部件输入计算部件，以根据晶片的表面和后表面上的各反射光的峰值来计算晶片的厚
7、根据现有技术，虽然在抛光设备中设置光学厚度测量设备以实时测量晶片的抛光量，但是由于通过抛光过程产生的晶片的抛光量较小，因此即使以光学方式测量抛光量，能够对分辨率进行分类的辨别能力也会退化。
8、如上所述，由于无法足够精确地测量晶片的抛光量，以满足抛光过程的抛光精度，因此难以累积晶片的抛光量的数据，以管理抛光过程，且存在在抛光过程之后，无法改善晶片的缺陷或平整度质量的问题。
技术实现思路
1、技术问题
2、提出本专利技术以解决现有技术的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种用于测量晶片的抛光量的设备及其测量方法，该设备能够精确地测量和管理晶片的抛光量
3、技术方案
4、本专利技术的实施例提供一种用于测量晶片抛光量的设备，该设备包括：第一称重单元，配置成测量在容纳抛光之前的晶片之前/之后的装载盒的重量；第二称重单元，配置成测量在容纳抛光之后的晶片之前/之后的卸载盒的重量；以及控制单元，配置成根据第一称重单元的测量值和第二称重单元的测量值，计算一片晶片的抛光量。
5、第一称重单元可构造为支撑装载盒的负载单元。
6、第二称重单元可构造为支撑卸载盒的负载单元。
7、第一称重单元可测量在装载盒中容纳一片晶片之前/之后装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，控制单元可根据从第一称重单元输入的第一测量值和第二测量值的变化，计算一片晶片在抛光之前的重量。
8、第二称重单元可测量在卸载盒中容纳一片晶片之前/之后卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)，控制单元可根据从第二称重单元输入的第三测量值和第四测量值的变化，计算一片晶片在抛光之后的重量。
9、控制单元可包括计算部件，计算部件配置成根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算该晶片的抛光量。
10、控制单元可包括命令部件，命令部件配置成将晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
11、命令部件可生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制信号。
12、本专利技术的实施例提供一种用于测量晶片的抛光量的方法，该方法包括：第一步骤，测量在容纳抛光之前的晶片之前/之后的装载盒的重量；第二步骤，测量在容纳抛光之后的晶片之前/之后的卸载盒的重量；以及第三步骤，根据第一步骤的测量值和第二步骤的测量值，计算一片晶片的抛光量。
13、第一步骤可包括通过支撑装载盒的负载单元来执行测量的过程。
14、第二步骤可包括通过支撑卸载盒的负载单元来执行测量的过程。
15、第一步骤可包括测量在装载盒中容纳一片晶片之前/之后装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，第三步骤可包括第一过程：根据第一步骤中输入的第一测量值和第二测量值的变化，计算一片晶片在抛光之前的重量。
16、第二步骤可包括测量在卸载盒中容纳一片晶片之前/之后卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)的过程，第三步骤可包括第二过程：根据第二步骤中输入的第三测量值和第四测量值的变化，计算一片晶片在抛光之后的重量。
17、第三步骤还可包括第三过程：根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算一片晶片的抛光量，一片晶片在抛光之前/之后的重量在第一过程和第二过程中计算。
18、第三步骤还可包括第四过程：将在第三过程中计算出的晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
19、在第四过程中，可生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制信号。
20、有益效果
21、在根据本实施例的测量晶片的抛光量的设备及其测量方法中，可使用负载单元精确地测量装载盒的重量和卸载盒的重量，且可通过卸载盒的重量的变化和装载盒的重量的变化，精确地计算晶片的细微抛光量。
22、此外，可以以数据累积并管理每个晶片的抛光量，以根据晶片的抛光量生成控制信号，从而实时控制抛光过程，且可有效地改善抛光过程中可能发生的晶片的缺陷或平整度质量。
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1.一种用于测量晶片抛光量的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元被构造为支撑所述装载盒的负载单元。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二称重单元被构造为支撑所述卸载盒的负载单元。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元测量在所述装载盒中容纳一片晶片之前/之后所述装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第二称重单元测量在所述卸载盒中容纳一片晶片之前/之后所述卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)，
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述控制单元包括计算部件，所述计算部件被配置成根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算该一片晶片的抛光量。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制单元包括命令部件，所述命令部件被配置成将所述晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述命令部件生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制
9.一种用于测量晶片的抛光量的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一步骤包括通过支撑所述装载盒的负载单元来执行测量的过程。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二步骤包括通过支撑所述卸载盒的负载单元来执行测量的过程。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一步骤包括测量在所述装载盒中容纳一片晶片之前/之后所述装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)的过程，
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二步骤包括测量在所述卸载盒中容纳一片晶片之前/之后所述卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)的过程，
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三步骤还包括第三过程：根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算一片晶片的抛光量，所述一片晶片在抛光之前/之后的重量在所述第一过程和所述第二过程中计算。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第三步骤还包括第四过程：将在所述第三过程中计算出的所述晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述第四过程中，生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制信号。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于测量晶片抛光量的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元被构造为支撑所述装载盒的负载单元。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二称重单元被构造为支撑所述卸载盒的负载单元。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元测量在所述装载盒中容纳一片晶片之前/之后所述装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第二称重单元测量在所述卸载盒中容纳一片晶片之前/之后所述卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)，
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述控制单元包括计算部件，所述计算部件被配置成根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算该一片晶片的抛光量。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制单元包括命令部件，所述命令部件被配置成将所述晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述命令部件生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制信号。
9.一种用于测量晶片的抛光量的方法，所述方法包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李相昊，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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