【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、铜制程后端的tfr（薄膜电阻器）器件在作为电阻层的crsi（铬硅）层沉积后，一般需要退火工艺来优化电阻层的性能，以提高产品的竞争力。但在退火工艺过程中，crsi层会挥发附着在腔室（chamber）的内壁表面，对腔室的内壁表面造成污染，对crsi层退火后的腔室无法处理铝制程的产品，即上述涉及的铜制程无法与铝制程使用同一退火处理的腔室进行处理，从而导致成本较高且产能较低。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种半导体结构及其制备方法，解决了现有技术中存在的热退火工艺过程中crsi层挥发对腔室的内壁表面造成污染，从而导致的成本较高且产能较低的问题，具有可以阻挡电阻层退火工艺过程中的挥发，不会对腔室的内壁表面造成污染，多种制程的退火工艺可以在同一腔室内进行，降低了成本，提高了产能的优点。
2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：第一方面，本申请提供了一种半导体结构，半导体结构包括：
3、衬底结构；
4、电阻层，位于衬底结构的上表面；
5、阻挡层，覆盖电阻层的上表面，用于阻挡电阻层的挥发。
6、本申请的半导体结构中，在电阻层的上表面形成阻挡层，在半导体结构进行退火处理时，可以阻挡电阻层的挥发，避免对腔室的内壁表面造成污染，多种制程的退火工艺可以在同一腔室内进行，降低了成本，提高了产能。
7、在其中一个实施例中，阻挡层还覆盖电阻层的侧壁，和
8、在其中一个实施例中，阻挡层包括铬掺杂低介电材料层。
9、在其中一个实施例中，衬底结构包括：
10、基底；
11、层间介质层，位于衬底的上表面；
12、导电插塞，位于层间介质层内，且沿厚度方向贯穿层间介质层；
13、金属层，位于层间介质层的上表面，且与导电插塞相接触；
14、覆盖介质叠层，位于层间介质层的上表面，且覆盖金属层。
15、在其中一个实施例中，覆盖介质叠层包括：
16、第一氮掺杂碳化硅层，位于层间介质层的上表面，且位于金属层的外围；
17、中间介质层，位于第一氮掺杂碳化硅层的上表面，且位于金属层的外围；
18、第二氮掺杂碳化硅层，覆盖中间介质层的上表面及金属层的上表面。
19、第二方面，本申请还提供一种半导体结构的制备方法，半导体结构的制备方法包括：
20、形成衬底结构；
21、于衬底结构的上表面形成电阻层；
22、形成阻挡层，阻挡层覆盖电阻层的上表面，用于阻挡电阻层的挥发。
23、本申请的半导体结构的制备方法中，在电阻层的上表面形成阻挡层，在半导体结构进行退火处理时，可以阻挡电阻层的挥发，避免对腔室的内壁表面造成污染，多种制程的退火工艺可以在同一腔室内进行，降低了成本，提高了产能。
24、在其中一个实施例中，阻挡层还覆盖电阻层的侧壁；于衬底结构的上表面形成电阻层，包括：
25、于衬底结构的上表面形成电阻材料层，电阻材料层覆盖衬底结构的上表面；
26、对电阻材料层进行刻蚀，以得到电阻层，电阻层在衬底结构上表面的正投影位于衬底结构的上表面，且与衬底结构的上表面具有间距。
27、在其中一个实施例中，形成阻挡层之后，还包括：将所得结构置于腔室内进行退火处理。
28、在其中一个实施例中，形成衬底结构，包括：
29、提供基底；
30、于基底的上表面形成层间介质层；
31、于层间介质层内形成互连通孔；
32、于互连通孔内形成导电插塞；
33、于层间介质层的上表面形成金属层及覆盖介质叠层，金属层位于层间介质层的上表面，且与导电插塞相接触；覆盖介质叠层位于层间介质层的上表面，且覆盖金属层。
34、在其中一个实施例中，于层间介质层的上表面形成金属层及覆盖介质叠层，包括：
35、于层间介质层的上表面形成第一氮掺杂碳化硅层；
36、于第一氮掺杂碳化硅层的上表面形成中间介质层；
37、刻蚀中间介质层及所述第一氮掺杂碳化硅层，以形成开口，开口暴露出导电插塞；
38、于开口内形成金属层；
39、形成第二氮掺杂碳化硅层，第二氮掺杂碳化硅层覆盖中间介质层的上表面及金属层的上表面。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层还覆盖所述电阻层的侧壁，和/或所述电阻层包括CrSi层，所述阻挡层包括低介电材料层或铬层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层包括铬掺杂低介电材料层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖介质叠层包括：
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层还覆盖所述电阻层的侧壁；所述于所述衬底结构的上表面形成电阻层，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成阻挡层之后，还包括：将所得结构置于腔室内进行退火处理。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成衬底结构，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层还覆盖所述电阻层的侧壁，和/或所述电阻层包括crsi层，所述阻挡层包括低介电材料层或铬层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层包括铬掺杂低介电材料层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖介质叠层包括：
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘贲，库尔班·阿吾提，沈安星，许艳，党文，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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