【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频集成电路，尤其涉及一种射频开关esd保护结构。
技术介绍
1、射频收发开关通常连接着功率放大器、低噪声放大器和天线，作为新一代无线通信设备的关键元件，其具有广阔的应用前景，但也面临着前所未有的挑战。在收发开关中，基于soi cmos和gaas phemt等工艺技术实现的射频开关可提供非常低的插入损耗、良好的功率和线性度性能，同时占用较少的面积。然而，无论是何种工艺技术用于实现射频开关，它们通常可靠性较低，esd保护能力较弱。
2、为了满足通信系统esd防护要求，射频开关必须添加esd保护结构。
3、目前，在射频开关中广泛使用的一种esd保护结构是在射频端口和地之间串联堆叠的正反二极管，该方案的缺点在于，需要较多的二极管进行堆叠，这将显著增加芯片的尺寸和成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，为了解决现有射频开关esd保护结构中需要较多的二极管进行堆叠，进而导致芯片尺寸大和成本高的技术问题，本专利技术提出一种射频开关esd保护结构，包括第一电容、第一钳位esd保护单元、tx串联开关、rx串联开关、第二电容、第二钳位esd保护单元、第三电容、第三钳位esd保护单元、tx并联开关、rx并联开关、第四电容和第五电容，其中：
2、所述第一电容的第一端、所述第一钳位esd保护单元的第一端、所述tx串联开关的第一端和所述rx串联开关的第一端相连；
3、所述第一电容的第二端和所述第一钳位esd保护单元的第二端相连；
4、所述
5、所述第二电容的第二端和所述第二钳位esd保护单元的第二端相连；
6、所述tx并联开关的第二端和所述第四电容的第一端相连；
7、所述rx串联开关的第二端、所述第三电容的第一端、所述第三钳位esd保护单元的第一端和所述rx并联开关的第一端相连；
8、所述第三电容的第二端和所述第三钳位esd保护单元的第二端相连；
9、所述rx并联开关的第二端和所述第五电容的第一端相连。
10、在一些实施例中，还包括第四钳位esd保护单元和第五钳位esd保护单元，其中：
11、所述第四钳位esd保护单元的第一端和所述第四电容的第一端相连，所述第四钳位esd保护单元的第二端和所述第四电容的第二端相连；
12、所述第五钳位esd保护单元的第一端和所述第五电容的第一端相连，所述第五钳位esd保护单元的第二端和所述第五电容的第二端相连。
13、在一些实施例中，所述第一钳位esd保护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第二电阻，其中：
14、所述第一晶体管的栅极和所述第一电阻的第一端相连，所述第一晶体管的漏极和所述第一电容的第二端相连；
15、所述第二晶体管的栅极和所述第二电阻的第一端相连，所述第二晶体管的漏极和所述第一电容的第一端相连；
16、所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极、所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端相连。
17、在一些实施例中，所述第二钳位esd保护单元的结构和所述第三钳位esd保护单元的结构均与所述第一钳位esd保护单元的结构相同。
18、在一些实施例中，所述第四钳位esd保护单元的结构和所述第五钳位esd保护单元的结构均与所述第一钳位esd保护单元的结构相同。
19、在一些实施例中，还包括：
20、所述第一电容的第二端与ant端口连接；
21、所述第二电容的第二端与tx端口连接；
22、所述第三电容的第二端与rx端口连接；
23、所述第四电容的第二端接地，所述第五电容的第二端接地。
24、在一些实施例中，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容和所述第五电容均为隔直电容。
25、在一些实施例中，在发射模式下，所述tx串联开关和所述rx并联开关均处于导通状态，所述tx并联开关和所述rx串联开关均处于断开状态；在接收模式下，所述tx串联开关和所述rx并联开关均处于断开状态，所述tx并联开关和所述rx串联开关均处于导通状态。
26、基于上述方案，本专利技术提供了一种射频开关esd保护结构，通过引入钳位esd保护单元，改变esd的释放通路，解决现有esd保护结构存在的尺寸大及引入端口失配等问题。本专利技术一方面不显著增加芯片尺寸，另一方面不引入额外的端口失配，能够实现低的插入损耗，以及具备高功率处理的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，包括第一电容、第一钳位ESD保护单元、TX串联开关、RX串联开关、第二电容、第二钳位ESD保护单元、第三电容、第三钳位ESD保护单元、TX并联开关、RX并联开关、第四电容和第五电容，其中：
2.根据权利要求1所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，还包括第四钳位ESD保护单元和第五钳位ESD保护单元，其中：
3.根据权利要求2所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，所述第一钳位ESD保护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第二电阻，其中：
4.根据权利要求3所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，所述第二钳位ESD保护单元的结构和所述第三钳位ESD保护单元的结构均与所述第一钳位ESD保护单元的结构相同。
5.根据权利要求3所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，所述第四钳位ESD保护单元的结构和所述第五钳位ESD保护单元的结构均与所述第一钳位ESD保护单元的结构相同。
6.根据权利要求1所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于，还包括：
7.
8.根据权利要求1所述一种射频开关ESD保护结构，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关esd保护结构，其特征在于，包括第一电容、第一钳位esd保护单元、tx串联开关、rx串联开关、第二电容、第二钳位esd保护单元、第三电容、第三钳位esd保护单元、tx并联开关、rx并联开关、第四电容和第五电容，其中：
2.根据权利要求1所述一种射频开关esd保护结构，其特征在于，还包括第四钳位esd保护单元和第五钳位esd保护单元，其中：
3.根据权利要求2所述一种射频开关esd保护结构，其特征在于，所述第一钳位esd保护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第二电阻，其中：
4.根据权利要求3所述一种射频开关esd保护结构，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志浩，程炜，陈梓雅，章国豪，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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