合成高敏感多用途数字探测头制造技术

一种合成高敏感多用途数字探测头，探测头中间孔的两边穿绕线圈，线圈连接电源正端、三极管Ｇ１，三极管Ｇ１与电阻Ｒ３、电容Ｃ１、电阻Ｒ４、电容Ｃ２、电阻Ｒ２、电容Ｃ３、电容Ｃ４相连，电容Ｃ２电阻Ｒ２另一端连接电源负端，电容Ｃ３另一端连接电源负端，电容Ｃ４另一端连接电阻Ｒ７二极管Ｄ１负端，二极管Ｄ１正端连接电源负端，电阻Ｒ７另一端连接电阻Ｒ８电容Ｃ５，电容Ｃ５另一端连接电源负端，电阻Ｒ８另一端连接电容Ｃ６电容Ｃ７输入端，电容Ｃ７另一端连接输出端，三极管Ｇ２连接电容Ｃ６、电阻Ｒ９、电阻Ｒ５，电源正端，电阻Ｒ９另一端连接电源负端，电阻Ｒ５另一端连接电阻Ｒ４。可测量弱交流磁场，弱直流磁场，磁力线的扭曲角度。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种合成高敏多用途数字探测头，监测天然地震震前预报的仪器 探测头。
技术介绍
目前国内现有的各类测磁场的磁力仪器使用的探测头，普遍使用的单一材料，敏 感度低，功耗大，都不能接收监测天然地震震前的地壳局部应力挤压到极限及物质开始破 裂摩擦时发出的弱交流磁场，弱直流磁场，磁力线的扭曲角度，不能适合做监测天然地震震 前预兆预报的仪器探测头。
技术实现思路
本技术的目的提供一种合成高敏感多用途数字探测头，其特征是采用多种 磁性材料合成的探测头，由电子元件组成，具有高敏感度，可测量弱交流磁场，弱直流磁场， 磁力线的扭曲角度，改进了以往的测磁场的仪器使用的探测头的缺陷。本技术的目的是这样实现的一个合成高敏感多用途数字探测头，其特征是 由多种磁性材料合成的探测头(Ni)的中间孔的两边有穿绕线圈(Li)，有穿绕线圈(L2)，线 圈(Li) 一端连接直流电源正端，线圈(Li)另一端连接三极管(Gl)集电极，线圈(L2) —端 连接三极管(Gl)基极，线圈(L2)另一端连接三极管(Gl)发射极，三极管(Gl)发射极连接 电阻(R3)，电阻(R3)另一端连接电源负端，三极管(Gl)基极连接电容(Cl)，电容(Cl)另 一端连接电阻(Rl)，电阻(Rl)另一端连接电源正端，三极管(Gl)基极连接电容(C2)电阻 (R2)，电容(C2)电阻(R2)另一端连接电源负端，三极管(Gl)集电极连接电容(C3)电容 (C4)电阻(R4)，电容(C3)另一端连接电源负端，电容(C4)另一端连接电阻(R7) 二极管 (Dl)负端，二极管(Dl)正端连接电源负端，电阻(R7)另一端连接电阻(R8)电容(C5)，电 容(C5)另一端连接电源负端，电阻(R8)另一端连接电容(C6)电容(C7)输入(0)端，电容 (C7)另一端连接输出(F)端，电容(C6)另一端连接三极管(G2)发射极，三极管(G2)发射 极连接电阻(R9) —端，电阻(R9)另一端连接电源负端，三极管(G2)基极连接电阻(R5)，电 阻(R5)另一端连接电阻(R4)，三极管(G2)集电极连接电源正端。以下结合附图对本技术的合成高敏感多用途数字探测头做进一步说明。附图说明图1是本技术，合成高敏感多用途数字探测头的电路图。具体实施方式图1中合成高敏感多用途数字探测头，由多种磁性材料合成的探测头(Ni)的中间孔的两边有穿绕线圈(Li)，有穿绕线圈(L2)，线圈(Li) 一端连接直流电源正端，线圈(Li)另一端连接三极管(Gl)集电极，线圈(L2) —端连接三极管(Gl)基极，线圈(L2)另 一端连接三极管(Gl)发射极，三极管(Gl)发射极连接电阻(R3)，电阻(R3)另一端连接电 源负端，三极管(Gl)基极连接电容(Cl)，电容(Cl)另一端连接电阻(Rl)，电阻(Rl)另一 端连接电源正端，三极管(Gl)基极连接电容(C2)电阻(R2)，电容(C2)电阻(R2)另一端 连接电源负端，三极管(Gl)集电极连接电容(C3)电容(C4)电阻(R4)，电容(C3)另一端 连接电源负端，电容(C4)另一端连接电阻(R7) 二极管(Dl)负端，二极管(Dl)正端连接电 源负端，电阻(R7)另一端连接电阻(R8)电容(C5)，电容(C5)另一端连接电源负端，电阻 (R8)另一端连接电容(C6)电容(C7)输入(O)端，电容(C7)另一端连接输出(F)端，电容 (C6)另一端连接三极管(G2)发射极，三极管(G2)发射极连接电阻(R9) —端，电阻(R9)另 一端连接电源负端，三极管(G2)基极连接电阻(R5)，电阻(R5)另一端连接电阻(R4)，三极 管(G2)集电极连接电源正端，从而实现合成高敏感多用途数字探测头的功能。权利要求一种合成高敏感多用途数字探测头，其特征是由探测头N1中间孔的两边穿绕线圈L1，穿绕线圈L2，线圈L1一端连接直流电源正端，线圈L1另一端连接三极管G1集电极，线圈L2一端连接三极管G1基极，线圈L2另一端连接三极管G1发射极，三极管G1发射极连接电阻R3，电阻R3另一端连接电源负端，三极管G1基极连接电容C1，电容C1另一端连接电阻R1，电阻R1另一端连接电源正端，三极管G1基极连接电容C2电阻R2，电容C2电阻R2另一端连接电源负端，三极管G1集电极连接电容C3电容C4电阻R4，电容C3另一端连接电源负端，电容C4另一端连接电阻R7二极管D1负端，二极管D1正端连接电源负端，电阻R7另一端连接电阻R8电容C5，电容C5另一端连接电源负端，电阻R8另一端连接电容C6电容C7输入0端，电容C7另一端连接输出F端，电容C6另一端连接三极管G2发射极，三极管G2发射极连接电阻R9一端，电阻R9另一端连接电源负端，三极管G2基极连接电阻R5，电阻R5另一端连接电阻R4，三极管G2集电极连接电源正端。专利摘要一种合成高敏感多用途数字探测头，探测头中间孔的两边穿绕线圈，线圈连接电源正端、三极管G1，三极管G1与电阻R3、电容C1、电阻R4、电容C2、电阻R2、电容C3、电容C4相连，电容C2电阻R2另一端连接电源负端，电容C3另一端连接电源负端，电容C4另一端连接电阻R7二极管D1负端，二极管D1正端连接电源负端，电阻R7另一端连接电阻R8电容C5，电容C5另一端连接电源负端，电阻R8另一端连接电容C6电容C7输入端，电容C7另一端连接输出端，三极管G2连接电容C6、电阻R9、电阻R5，电源正端，电阻R9另一端连接电源负端，电阻R5另一端连接电阻R4。可测量弱交流磁场，弱直流磁场，磁力线的扭曲角度。文档编号G01V3/40GK201555957SQ20092021817公开日2010年8月18日 申请日期2009年10月20日 优先权日2009年10月20日专利技术者孟昭福 申请人:孟昭福本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合成高敏感多用途数字探测头，其特征是：由探测头Ｎ１中间孔的两边穿绕线圈Ｌ１，穿绕线圈Ｌ２，线圈Ｌ１一端连接直流电源正端，线圈Ｌ１另一端连接三极管Ｇ１集电极，线圈Ｌ２一端连接三极管Ｇ１基极，线圈Ｌ２另一端连接三极管Ｇ１发射极，三极管Ｇ１发射极连接电阻Ｒ３，电阻Ｒ３另一端连接电源负端，三极管Ｇ１基极连接电容Ｃ１，电容Ｃ１另一端连接电阻Ｒ１，电阻Ｒ１另一端连接电源正端，三极管Ｇ１基极连接电容Ｃ２电阻Ｒ２，电容Ｃ２电阻Ｒ２另一端连接电源负端，三极管Ｇ１集电极连接电容Ｃ３电容Ｃ４电阻Ｒ４，电容Ｃ３另一端连接电源负端，电容Ｃ４另一端连接电阻Ｒ７二极管Ｄ１负端，二极管Ｄ１正端连接电源负端，电阻Ｒ７另一端连接电阻Ｒ８电容Ｃ５，电容Ｃ５另一端连接电源负端，电阻Ｒ８另一端连接电容Ｃ６电容Ｃ７输入０端，电容Ｃ７另一端连接输出Ｆ端，电容Ｃ６另一端连接三极管Ｇ２发射极，三极管Ｇ２发射极连接电阻Ｒ９一端，电阻Ｒ９另一端连接电源负端，三极管Ｇ２基极连接电阻Ｒ５，电阻Ｒ５另一端连接电阻Ｒ４，三极管Ｇ２集电极连接电源正端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟昭福，
申请(专利权)人：孟昭福，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]