【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器，更具体地，涉及一种传感器及电子产品。
技术介绍
1、现有技术中，为了提高传感器的灵敏度，通常采用较薄的振膜固定在基底上来获得较高的灵敏度。然而，在振膜固定在基底后，振膜与基底的连接处容易产生应力集中，进而导致振膜发生断裂失效，严重影响传感器的可靠性。
2、因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的是提供一种传感器及电子产品的新技术方案。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种传感器，其中，所述传感器包括：
3、基底，所述基底设置有第一通孔；
4、背极，所述背极设置有第二通孔，所述背极通过绝缘层与所述基底连接，并且与所述基底之间形成容纳腔；
5、振膜，所述振膜设置于所述容纳腔，所述振膜能够将所述容纳腔分隔为与所述第一通孔连通的第一腔室和与所述第二通孔连通的第二腔室；所述振膜包括固定区域和振动区域，所述固定区域与所述绝缘层连接；
6、加强筋，所述加强筋包括第一端和第二端，所述第一端固定于所述固定区域与所述绝缘层之间，所述第二端固定于所述振动区域。
7、可选地，所述加强筋为条状、圆环、三角形、圆头矩形和蛇形中的至少一种。
8、可选地，所述振膜与所述加强筋为一体结构；
9、或者，所述振膜包括凹槽，所述加强筋设置于所述凹槽。
10、可选地，所述振膜的材质为si，所述加强筋的材质为si、sio2和sin
11、可选地，所述加强筋的宽度范围为0.1μm～10μm。
12、可选地，包括多个加强筋，多个加强筋在所述振膜上沿第一方向间隔排布，
13、或者多个加强筋在所述振膜上沿第二方向间隔排布；
14、其中，所述第一方向和所述第二方向为相交的两个方向。
15、可选地，所述振膜的厚度范围为0.1μm～20μm。
16、可选地，所述振动区域包括凸起部，所述凸起部设置于所述振动区域朝向所述基底的一侧。
17、可选地，所述绝缘层的材质包括sio2。
18、根据本专利技术的第二方面，提供一种电子产品，其中，包括如第一方面任一项所述的传感器。
19、根据本专利技术的一个实施例提供的一种传感器，所述传感器包括基底、背极、振膜和加强筋，所述基底设置有第一通孔；所述背极设置有第二通孔，所述背极通过绝缘层与所述基底连接，并且与所述基底之间形成容纳腔；所述振膜设置于所述容纳腔，所述振膜能够将所述容纳腔分隔为与所述第一通孔连通的第一腔室和与所述第二通孔连通的第二腔室；所述振膜包括固定区域和振动区域，所述固定区域与所述绝缘层连接；所述加强筋包括第一端和第二端，所述第一端固定于所述固定区域与所述绝缘层之间，所述第二端固定于所述振动区域；通过加强筋的设置，有效地降低了振膜的应力集中，提升了传感器的可靠性。
20、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强筋(5)为条状、圆环、三角形、圆头矩形和蛇形中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振膜(4)与所述加强筋(5)为一体结构；
4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振膜(4)的材质为Si，所述加强筋(5)的材质为Si、SiO2和SiNX中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强筋(5)的宽度范围为0.1μm～10μm。
6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括多个加强筋(5)，多个加强筋(5)在所述振膜(4)上沿第一方向间隔排布，或者多个加强筋(5)在所述振膜(4)上沿第二方向间隔排布；
7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振膜(4)的厚度范围为0.1μm～20μm。
8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振动区域(42)包括凸起部(421)，所述凸起部(421)设置于所述振动区域(42)朝向所述基底(1)的一侧。
...【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强筋(5)为条状、圆环、三角形、圆头矩形和蛇形中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振膜(4)与所述加强筋(5)为一体结构；
4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述振膜(4)的材质为si，所述加强筋(5)的材质为si、sio2和sinx中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强筋(5)的宽度范围为0.1μm～10μm。
6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹宏超，卢笛，崔广超，陈瑞言，艾鹭，邱冠勋，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。