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用于半导体封装的高温反偏检测装置制造方法及图纸

技术编号:42186120 阅读:9 留言:0更新日期:2024-07-30 18:38
本申请提供了用于半导体封装的高温反偏检测装置,涉及高温反偏检测技术领域,该装置包括:微处理控制器,用于接收控制方案数据,并生成响应控制信号;响应控制单元,执行响应控制信号,开始测试计时;监测单元,执行测试的半导体的数据采集,建立时序数据集;中心处理器,将时序对齐后的响应控制信号和时序数据集执行异常分析,生成异常分析结果;异常响应单元,根据半导体数据和异常分析结果进行批次测试分析,生成批次异常结果,将批次异常结果报出。通过本申请可以解决现有技术中由于高温反偏检测过程中测试准确性较低,导致生产效率和质量较差的技术问题,实现提高测试准确性的技术目标,达到提高生产效率和生产质量的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及高温反偏检测,尤其涉及用于半导体封装的高温反偏检测装置


技术介绍

1、用于半导体封装的高温反偏检测是指在半导体器件封装完成后进行的一种可靠性测试,模拟器件在高温环境中的工作条件,并通过施加反向偏置电压来检测器件在极端条件下的性能,评估半导体器件在高温条件下的电气性能。在封装完成后,半导体器件在高于正常工作温度的环境中接收反向偏置电压的测试,有助于确保器件在高温环境下保持稳定的性能,并能够识别和排除在高温下性能不佳的器件。通过高温反偏检测,可以提高批次产品的整体质量,并减少后期故障的风险。目前,现有的检测过程中大多没有有效进行异常检测,导致误判或漏检,从而影响半导体器件的质量评估。忽视温度控制和异常验证导致设备过热、性能不稳定或甚至损坏。同时,如果没有自动化和数据驱动的异常分析,会导致生产过程中的不必要的延误和停机。没有批次测试分析和异常报告,会导致批次中出现不合格的器件,影响产品质量和用户满意度。因此,现需要一种装置解决上述问题。

2、综上所述,现有技术中存在由于高温反偏检测过程中未有效执行异常分析,导致测试准确性下降和设备故障风险增加,进一步影响生产效率和质量控制的技术问题。


技术实现思路

1、本申请的目的是提供用于半导体封装的高温反偏检测装置,用以解决现有技术中存在由于高温反偏检测过程中未有效执行异常分析,导致测试准确性下降和设备故障风险增加,进一步影响生产效率和质量控制的技术问题。

2、鉴于上述问题,本申请提供了用于半导体封装的高温反偏检测装置。

3、本申请提供了用于半导体封装的高温反偏检测装置,其中,所述装置包括:微处理控制器,用于接收控制方案数据,并生成响应控制信号;响应控制单元,用于接收所述响应控制信号,并在接收半导体信号正常后,执行所述响应控制信号,开始测试计时;监测单元,当测试计时被激活后,同步激活所述监测单元,执行测试的半导体的数据采集,建立时序数据集;中心处理器,用于接收所述响应控制信号和所述时序数据集,并在进行时序对齐后,将时序对齐后的响应控制信号和时序数据集输入至异常分析网络,执行异常分析,生成异常分析结果,所述异常分析包括瞬态响应分析和偏置响应分析;异常响应单元,用于接收所述异常分析结果,并获取半导体的半导体数据,根据所述半导体数据和异常分析结果进行批次测试分析,生成批次异常结果,将所述批次异常结果报出。

4、本申请中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:

5、通过微处理控制器,用于接收控制方案数据,并生成响应控制信号;响应控制单元,用于接收所述响应控制信号,并在接收半导体信号正常后,执行所述响应控制信号,开始测试计时;监测单元,当测试计时被激活后,同步激活所述监测单元,执行测试的半导体的数据采集,建立时序数据集;中心处理器,用于接收所述响应控制信号和所述时序数据集,并在进行时序对齐后,将时序对齐后的响应控制信号和时序数据集输入至异常分析网络,执行异常分析,生成异常分析结果,所述异常分析包括瞬态响应分析和偏置响应分析;异常响应单元,用于接收所述异常分析结果,并获取半导体的半导体数据,根据所述半导体数据和异常分析结果进行批次测试分析,生成批次异常结果,将所述批次异常结果报出,实现提高测试准确性和降低设备故障风险的技术目标,达到提高生产效率和生产质量的技术效果。

6、上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本申请的范围。本申请的其他特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

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【技术保护点】

1.用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述高温反偏检测装置包括:

2.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述将时序对齐后的响应控制信号和时序数据集输入至异常分析网络,执行异常分析,生成异常分析结果,还包括:

3.如权利要求2所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述根据偏置异常验证结果生成异常分析结果,还包括:

4.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述异常响应单元还用于:

5.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述高温反偏检测装置还包括:

6.如权利要求5所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述根据一致性认证结果建立温度响应补偿,还包括:

7.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述监测单元还用于:

8.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述高温反偏检测装置还包括:

【技术特征摘要】

1.用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述高温反偏检测装置包括:

2.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述将时序对齐后的响应控制信号和时序数据集输入至异常分析网络,执行异常分析,生成异常分析结果,还包括:

3.如权利要求2所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所述根据偏置异常验证结果生成异常分析结果,还包括:

4.如权利要求1所述的用于半导体封装的高温反偏检测装置,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑剑华苏建国张元元孙彬朱建
申请(专利权)人:南通华隆微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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