本发明专利技术是一种采用ＤＷＥＬＬ的中红外锑化物激光器结构，即阱中量子点（ＤＷＥＬＬ）中红外激光器结构，即在量子阱（ＷＥＬＬ）中嵌入量子点（ＤＯＴ），通过增加器件中ＤＷＥＬＬ的有效周期数目提升器件效率。减少有源区Ｉｎ组分和优化量子点、阱宽度和覆盖层，将外延层的应变减至最小。由于量子点的发射效率、光增益都强于量子阱；ＤＷＥＬＬ对电子的俘获能力、反射率和光限制能力强于单层量子点和多量子阱结构，所以这种ＤＷＥＬＬ结构具有较高的发射效率。ＤＷＥＬＬ结构的中红外激光器兼备了传统量子阱和量子点激光器的特点，在ＤＷＥＬＬ中载流子复合效率更高，可以在更高温度下工作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器材料
，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。
技术介绍
中红外波段在光电子器件应用领域表现了巨大应用潜力，特别是2-10iim波 段大气光学检测和环境监测，自由空间光通讯，红外测试，清洁能源，生物技术和热成 像。例如，许多污染物和有毒气体、液体的指纹特征谱线都落在这个波段甲烷(3.3iim)， C02(4. 6 ii m) ， C0(4. 2 ii m) ， N0X(6. 5 y m)在各种复杂环境、高浓度和大范围(ppb倒100% ) 下的多组件在线精确测量。中红外波段也在要求高感应度和高灵敏度的医药品，生物医学 成像上也表现了独特的应用价值，而且中红外波段的激光器在新一代光纤通信领域也有着 重要的应用前景。 GaSb基材料是2-10 y m中红外波段光电器件的首选材料。世界上许多重要的大学 和科研机构都在这方面投入了研究，如美国麻省理工学院林肯实验室、Sarnoff公司、海军实验室、休斯顿大学、德国Fraunhofer研究所、慕尼黑工业大学、法国Montpellier II大学等。 锑化物材料和器件的研究存在相当的难度窄禁带中红外半导体器件的载流子吸 收、俄歇复合、表面复合等效应较大，影响了器件性能。量子点中红外激光器是一种颇有前 景的器件，相比于同类竞争的量子阱器件，这种低维结构的器件同时拥有高效率和无需冷 却的优点，但是单个量子点层的效率低，仅仅通过简单地生长更多的量子点层来改正这个 缺点并不容易，因为这将在外延层中产生应变位错。 本专利技术设计了一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构，即在量子阱(WELL)中 嵌入量子点(DOT)，通过增加器件中DWELL的有效周期数目提升器件效率。DWELL结构的中 红外激光器兼备了传统量子阱和量子点激光器的特点，可以在更高温度下工作。
技术实现思路
本专利技术是一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构，减少有源区In组分和优 化量子点、阱宽度和覆盖层，将外延层的应变减至最小，优化的势垒宽度提高DWELL结构效 率。由于量子点的发射效率、光增益都强于量子阱；DWELL对电子的俘获能力、反射率和光 限制能力强于单层量子点和多量子阱结构，所以这种DWELL结构具有较高的发射效率。 本专利技术是一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构。本专利技术是这样实现 的，见图l所示，DWELL的中红外半导体激光器结构包括GaSb衬底(1)， GaSb缓冲层 (2)， Al。.9Ga。.^s。.。3Sb。.97下限制层(3)， Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98下波导层(4)， DWELL层(5)， Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98上波导层(9)，Al。.9Ga。.^s。.。3Sb。.97上限制层(10)，GaSb欧姆层(11)。其 中DWELL层(5)由势垒层Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98(6)，量子阱层In。.2Ga。.8As。.。2Sb。.98(7)，以及嵌 在其中的InGaSb量子点层(8)构成。所采用的设备为分子束外延设备(MBE)。3 本专利技术的技术效果在于通过增加器件中的有效周期数目提升了效率，提高激光器 的电光转换效率，从而提高激光器的整体性能。具体实施例方式如图1所示， 一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构包括n型GaSb衬底 (1) ， n型GaSb缓冲层(2) ， n型Al0.9Ga0.#0.0>0.97下限制层(3) ， n型Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98 下波导层(4)， DWELL层(5)， DWELL层(5)包括势垒层Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98(6)，量子阱层 In。.2Ga。.8As。.。2Sb。.98(7) ， InGaSb量子点层(8) ， p型Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98上波导层(9) ， p型 Al。.9Ga。」As。.。3Sb。.97上限制层(10)，p+型GaSb欧姆层(11)。衬底(1)为材料外延生长的基 底，采用Te掺杂的GaSb衬底；生长0. 5 y m的Te掺杂GaSb缓冲层(2);下限制层为厚度为 1. 2 ii m，Al含量0. 9的Al。.gGa。」As。.。3Sb。.97层(3);下波导层为厚度为0. 35 y m，Al含量0. 3 WAl0.3Gao.7AS,Sb0』(4);有源区为利用3-5个周期DWELL层(5);上波导层为厚度为 0. 35 ii m，Al含量0. 3的Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98层(9);上限制层为厚度为1. 2 y m，Al含量0. 9 的八10 0.0>0.97层(10);欧姆接触层为200nm的p型GaSb层(11)。其中DWELL(5) 为3-5个周期的40nm势垒层Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98(6) ， 15nm量子阱层In。.2Ga。.8As。.。2Sb。.98(7)， 以及嵌在其中的2. 5原子层的InGaSb量子点层(8)。 下面结合实例说明本专利技术，采用的设备为分子束外延设备(MBE)。 衬底(1)为(100)取向、Te掺杂浓度1 2 X 1018cm—3的GaSb晶体材料；GaSb缓冲层(2)，生长温度56(TC，n(Te)掺杂2 X 1018cm—3，厚度0. 5 y m ; Al。.9Ga。. iAs。.。3Sb。.97下限制层(3)，生长温度540°C ，生长温度540°C ， Te掺杂，浓度为5X1018cm—3，生长1. 2iim。 Al。. 3Ga。. 7As。.。2Sb。.98下波导层(4)，生长温度540°C ，生长温度540°C ，生长O. 35 y m。 3-5周期DWELL层(5) :40nm势垒层Al。. 3Ga。.7As。.。2Sb。.98 (6)，生长温度540°C; 15nm 量子阱层In。.2Ga。.8As。.。2Sb。.98 (7)，以及嵌在其中的2. 5原子层的InGaSb量子点层(8)，生长 温度420°C。 Al。.3Ga。.7As。.。2Sb。.98上波导层(9)，厚度为0. 35 y m，生长温度540°C ; Al含量0. 9的Al。. 9Ga。. !As。. 。3Sb。. 97上限制层(10)，厚度为1. 2 y m，生长温度540°C ，Be掺杂，浓度为5 X 1018cm—3，厚度为1. 2 y m ; 欧姆接触层为200nm的p型GaSb层(11)，生长温度540°C， Be掺杂，浓度为 2X1019cm—3。 附图说明图1为一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构示意图。权利要求一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构包括n型GaSb衬底(1)，n型GaSb缓冲层(2)，n型Al0.9Ga0.1As0.03Sb0.97下限制层(3)，n型Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98下波导层(4)，3-5个周期的DWELL层(5)，DWELL层(5)包括势垒层Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.98(6)，量子阱层In0.2Ga0.8As0.02Sb0.98(7)，InGaSb量子点层(8)，p型Al0.3Ga0.7As0.02Sb0.9本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种采用ＤＷＥＬＬ的中红外锑化物激光器结构包括：ｎ型ＧａＳｂ衬底（１），ｎ型ＧａＳｂ缓冲层（２），ｎ型Ａｌ↓［０．９］Ｇａ↓［０．１］Ａｓ↓［０．０３］Ｓｂ↓［０．９７］下限制层（３），ｎ型Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］下波导层（４），３－５个周期的ＤＷＥＬＬ层（５），ＤＷＥＬＬ层（５）包括势垒层Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］（６），量子阱层Ｉｎ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］（７），ＩｎＧａＳｂ量子点层（８），ｐ型Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］上波导层（９），ｐ型Ａｌ↓［０．９］Ｇａ↓［０．１］Ａｓ↓［０．０３］Ｓｂ↓［０．９７］上限制层（１０），ｐ＋型ＧａＳｂ欧姆层（１１）。衬底（１）为材料外延生长的基底，采用Ｔｅ掺杂的ＧａＳｂ衬底；生长０．５μｍ的Ｔｅ掺杂ＧａＳｂ缓冲层（２）；下限制层为厚度为１．２μｍ，Ａｌ含量０．９的Ａｌ↓［０．９］Ｇａ↓［０．１］Ａｓ↓［０．０３］Ｓｂ↓［０．９７］层（３）；下波导层为厚度为０．３５μｍ，Ａｌ含量０．３的Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］层（４）；有源区为利用３－５个周期ＤＷＥＬＬ层（５）；上波导层为厚度为０．３５μｍ，Ａｌ含量０．３的Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］层（９）；上限制层为厚度为１．２μｍ，Ａｌ含量０．９的Ａｌ↓［０．９］Ｇａ↓［０．１］Ａｓ↓［０．０３］Ｓｂ↓［０．９７］层（１０）；欧姆接触层为２００ｎｍ的ｐ型ＧａＳｂ层（１１）。其中ＤＷＥＬＬ（５）为４０ｎｍ势垒层Ａｌ↓［０．３］Ｇａ↓［０．７］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］（６），１５ｎｍ量子阱层Ｉｎ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ↓［０．０２］Ｓｂ↓［０．９８］（７），以及嵌在其中的２．５原子层ＩｎＧａＳｂ量子点层（８）。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尤明慧，高欣，李占国，刘国军，李林，李梅，王勇，乔忠良，邹永刚，邓昀，王晓华，李联合，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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