【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶炉晶棒生产，尤其涉及一种单晶炉热场用导气罩。
技术介绍
1、单晶硅晶棒的生产就是利用单晶炉及炉内热场将多晶硅熔化，用直拉法生长无错位单晶硅晶棒。随着光伏产业的快速发展，国内单晶硅产能迅速增长，行业内竞争激烈。降低生产成本是企业提高利润率的主要方式之一，单晶硅生产过程耗电量大，现有热场基础上，优化热场部件结构，能够达到降低功耗的目的。
2、现有导气筒为直筒状结构，如图1所示，上方安装导气罩，导气筒、导气罩都为石墨材质，导热系数大，由于导气筒直通炉底，热量损耗大。导气罩为侧向进气结构，因此，导气罩必须安装于热场保温毡上方。现有大热场需要更大的底加热器产生更多的热量，当使用石墨导气罩时，底加热器结构需避让导气罩，导致底加热器发热面积减少。
3、在现有热场结构基础上，不断升级大容量坩埚，为有效利用热场内空间，通过改变底加热器结构，取消导气罩，可增大坩埚高度，实现大容量坩埚，提高生产效率。但若取消导气罩，炉内热场通过导气筒直通炉底排气系统，热量损耗更大。
技术实现思路
1、本技术目的就是为了解决现有导气罩热量损耗大的问题，提供了一种单晶炉热场用导气罩，采用上下进气方式，不占用炉内热场空间，在实现大容量坩埚的前提下降低功耗，减少热量损失。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种单晶炉热场用导气罩，包括导气罩的筒体，筒体的上部和下部分别连有上隔板和下隔板，上隔板上设有一组扇形孔洞一，其扇形夹角为50°，扇形孔洞一沿
4、下隔板的结构与上隔板相同，其包括一组扇形孔洞二，扇形孔洞二的扇形夹角亦为50°~80°，扇形孔洞二沿下隔板周向均布，相邻两个扇形孔洞二之间设有筋板二；
5、扇形孔洞一与扇形孔洞二上下交错分布，即扇形孔洞二的位置与上隔板的筋板一的位置对齐。
6、进一步地，所述筒体的底部连有缩口的定位止口，定位止口与筒体位于同一轴线上，且其直径小于筒体的直径，定位止口与下方的导气筒相互配合。
7、进一步地，所述上隔板与筒体的上沿齐平，下隔板水平设于定位止口上方与筒体的连接处，上隔板和下隔板的轴线均与筒体的轴线相互重合，且上隔板和下隔板的直径小于筒体的内径。
8、进一步地，所述上隔板、下隔板与筒体之间为拼接结构，采用拼接条将筒体分别与上隔板、下隔板通过铆钉连接。
9、进一步地，所述定位止口与筒体、下隔板之间为拼接结构，采用拼接条将筒体和下隔板分别与定位止口通过铆钉连接。
10、进一步地，所述筒体为圆筒状，为长方形板材卷制而成的拼接结构，接缝处利用拼接条通过铆钉连接。
11、进一步地，所述扇形孔洞一和扇形孔洞二分别设有2~4个。
12、与现有技术相比，本技术的技术方案的优点具体在于：
13、（1）本技术导气罩为圆筒结构，其内设上、下两层隔板，隔板上设有扇形孔洞，且上、下隔板孔洞错位布置，避免了热场直通炉底排气系统造成的热量损失，减少热场热量损耗，降低单晶生产功耗；
14、（2）本技术的导气罩使得热场温度更稳定，降低了单晶断线率，提高了生产效率和日单产。
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1.一种单晶炉热场用导气罩，包括导气罩的筒体（21），其特征在于：
2.根据权利要求1所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
4.根据权利要求1~3任一项所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
5.根据权利要求2或3所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
7.根据权利要求1~3任一项所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉热场用导气罩，包括导气罩的筒体（21），其特征在于：
2.根据权利要求1所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的单晶炉热场用导气罩，其特征在于：
4.根据权利要求1~3任一项所述的单...
【专利技术属性】
技术研发人员：王燕飞，文勇，王军磊，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：
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