System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置制造方法及图纸_技高网

海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置制造方法及图纸

技术编号:42165579 阅读:9 留言:0更新日期:2024-07-27 00:13
本申请公开海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置,其中海尔贝克磁铁阵列方向检测方法包括以下步骤:S10,将待测试磁铁阵列放置于一固定位置;S20,利用多个霍尔元件分别在多个不同的检测气隙范围内对所述待测试磁铁阵列进行检测,并对检测值进行放大处理,得到多个相对应的检测判断值;S30,判断多个相对应的检测判断值是否均在一预定的阈值范围之内,若满足条件,则输出正确结果,若任意一个检测判断值不满足条件,则输出错误结果,即说明所述待测试磁铁阵列的顺序安装错误,其中不同的检测气隙范围对应不同的阈值范围。本申请提供的检测方法和检测装置可以快速检测磁铁阵列顺序是否安装错误,还可以消除偏差带来的误差,检测精确度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁铁方向检测,尤其涉及海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置


技术介绍

1、海尔贝克阵列是由不同充磁方向的永磁体按照一定规律排列组成,能够在磁体一侧汇聚磁力线,而在另一侧削弱磁力线,从而获得比较理想的单边磁场。

2、目前,海尔贝克阵列在安装时极易装错排列顺序进而造成产品不良。针对磁铁阵列安装顺序的检测,一种是人工检测,比较费时费力,还有一种是通过专业的检测设备进行检测,检测设备的成本已经超过磁铁的原有价值,除非进行大批量的磁铁阵列检测,否则得不偿失。


技术实现思路

1、本专利技术的一个优势在于提供一种海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置,其中通过多个霍尔元件同时检测磁铁阵列不同位置处的磁场值,然后在判断多个磁场值是否都在阈值范围之内,可以快速检测磁铁阵列顺序是否安装错误,同时还可以消除偏差带来的误差,检测精确度高,另外,通过检测气隙范围进行磁场检测,并不直接接触磁铁,可以有效防护磁铁阵列。

2、本专利技术的一个优势在于提供一种海尔贝克磁铁阵列方向检测方法和检测装置,其中通过自学习机制配合多个沿预定方向均匀分布的检测孔可以检测多种尺寸规格的磁铁阵列,适用范围广泛。

3、为达到本专利技术以上至少一个优势,第一方面,本专利技术提供一种海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,包括以下步骤:

4、s10,将待测试磁铁阵列放置于一固定位置;

5、s20,利用多个霍尔元件分别在多个不同的检测气隙范围内对所述待测试磁铁阵列进行检测,并对检测值进行放大处理,得到多个相对应的检测判断值;

6、s30,判断多个相对应的检测判断值是否均在一预定的阈值范围之内,若满足条件,则输出正确结果,若任意一个检测判断值不满足条件,则输出错误结果,即说明所述待测试磁铁阵列的顺序安装错误,其中不同的检测气隙范围对应不同的阈值范围。

7、根据本专利技术一实施例,在步骤s20中,利用两个霍尔元件分别在两个不同的检测气隙范围内对所述待测试磁铁阵列进行检测,得到两个相对应的检测判断值。

8、根据本专利技术一实施例,在步骤s20中,通过窗口比较器判断检测判断值是否在对应的阈值范围之内,若在所述阈值范围之内,则视为正确电压,通过一个与门输出高电平,若不在所述阈值范围之内,则视为错误,通过一个与门输出低电平。

9、根据本专利技术一实施例,在通过一个与门输出高电平时,控制绿色测试灯亮起;在通过一个与门输出低电平时,控制红色测试灯亮起。

10、根据本专利技术一实施例,在放置所述待测试磁铁阵列的固定位置的上方设置多个沿所述待测试磁铁阵列的长度方向均匀分布的检测孔,其中所述检测孔构成所述检测气隙范围,使用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔。

11、根据本专利技术一实施例,在测试不同尺寸的磁铁阵列前,首先以所述不同尺寸的磁铁阵列对应的标准磁铁进行自学习,在自学习完成后,再利用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,然后选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔,进行磁铁阵列方向检测。

12、第二方面,本专利技术还提供一种执行前述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法的检测装置,包括底板、方形限位壳、检测块和霍尔元件,其中所述方形限位壳固定设置在所述底板的顶部,且所述方形限位壳的壳腔的高度与所述待测试的磁铁阵列的高度相适配,其中所述方形限位壳的顶部沿所述待测试的磁铁阵列的长度方向均匀设置有多个检测孔,所述检测块和所述检测孔相配合,并分别连接所述霍尔元件,所述霍尔元件分别连接有窗口比较器,通过所述窗口比较器判断所述检测判断值是否在所述阈值范围之内,若在所述阈值范围之内,则视为正确电压,通过一个与门输出高电平,若不在所述阈值范围之内,则视为错误,通过一个与门输出低电平。

13、根据本专利技术一实施例,所述方形限位壳于所述待测试的磁铁阵列的长度方向的一端设置有移动板,所述移动板构成所述方形限位壳的端壁,所述底板于所述移动板的外侧设置有第一固定板,并于所述第一固定板上以螺纹配合的方式垂直连接有调节把柄,所述调节把柄贯穿所述第一固定板后垂直连接所述移动板。

14、根据本专利技术一实施例,所述调节把柄远离所述移动板的一端同轴设置有圆柱状柄头,所述调节把柄上套设有弹簧,所述弹簧以受压的方式设置在所述移动板和所述圆柱状柄头之间。

15、根据本专利技术一实施例,所述底板于远离所述调节把柄的另一端垂直连接有第二固定板,所述第二固定板通过固定杆固定连接所述方形限位壳。

16、本专利技术的这些和其它目的、特点和优势,通过下述的详细说明,得以充分体现。

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【技术保护点】

1.海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在步骤S20中,利用两个霍尔元件分别在两个不同的检测气隙范围内对所述待测试磁铁阵列进行检测,得到两个相对应的检测判断值。

3.如权利要求2所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在步骤S20中,通过窗口比较器判断检测判断值是否在对应的阈值范围之内,若在所述阈值范围之内,则视为正确电压,通过一个与门输出高电平,若不在所述阈值范围之内,则视为错误,通过一个与门输出低电平。

4.如权利要求3所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在通过一个与门输出高电平时,控制绿色测试灯亮起;在通过一个与门输出低电平时,控制红色测试灯亮起。

5.如权利要求2所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在放置所述待测试磁铁阵列的固定位置的上方设置多个沿所述待测试磁铁阵列的长度方向均匀分布的检测孔,其中所述检测孔构成所述检测气隙范围,使用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔。

6.如权利要求5所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在测试不同尺寸的磁铁阵列前,首先以所述不同尺寸的磁铁阵列对应的标准磁铁进行自学习,在自学习完成后,再利用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,然后选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔,进行磁铁阵列方向检测。

7.执行权利要求5或6所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法的海尔贝克磁铁阵列方向检测装置,其特征在于,包括底板、方形限位壳、检测块和霍尔元件,其中所述方形限位壳固定设置在所述底板的顶部,且所述方形限位壳的壳腔的高度与所述待测试的磁铁阵列的高度相适配,其中所述方形限位壳的顶部沿所述待测试的磁铁阵列的长度方向均匀设置有多个检测孔,所述检测块和所述检测孔相配合,并分别连接所述霍尔元件,所述霍尔元件分别连接有窗口比较器,通过所述窗口比较器判断所述检测判断值是否在所述阈值范围之内,若在所述阈值范围之内,则视为正确电压,通过一个与门输出高电平,若不在所述阈值范围之内,则视为错误,通过一个与门输出低电平。

8.如权利要求7所述海尔贝克磁铁阵列方向检测装置,其特征在于,所述方形限位壳于所述待测试的磁铁阵列的长度方向的一端设置有移动板,所述移动板构成所述方形限位壳的端壁,所述底板于所述移动板的外侧设置有第一固定板,并于所述第一固定板上以螺纹配合的方式垂直连接有调节把柄,所述调节把柄贯穿所述第一固定板后垂直连接所述移动板。

9.如权利要求8所述海尔贝克磁铁阵列方向检测装置,其特征在于,所述调节把柄远离所述移动板的一端同轴设置有圆柱状柄头,所述调节把柄上套设有弹簧,所述弹簧以受压的方式设置在所述移动板和所述圆柱状柄头之间。

10.如权利要求8所述海尔贝克磁铁阵列方向检测装置,其特征在于,所述底板于远离所述调节把柄的另一端垂直连接有第二固定板,所述第二固定板通过固定杆固定连接所述方形限位壳。

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【技术特征摘要】

1.海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在步骤s20中,利用两个霍尔元件分别在两个不同的检测气隙范围内对所述待测试磁铁阵列进行检测,得到两个相对应的检测判断值。

3.如权利要求2所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在步骤s20中,通过窗口比较器判断检测判断值是否在对应的阈值范围之内,若在所述阈值范围之内,则视为正确电压,通过一个与门输出高电平,若不在所述阈值范围之内,则视为错误,通过一个与门输出低电平。

4.如权利要求3所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在通过一个与门输出高电平时,控制绿色测试灯亮起;在通过一个与门输出低电平时,控制红色测试灯亮起。

5.如权利要求2所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在放置所述待测试磁铁阵列的固定位置的上方设置多个沿所述待测试磁铁阵列的长度方向均匀分布的检测孔,其中所述检测孔构成所述检测气隙范围,使用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔。

6.如权利要求5所述海尔贝克磁铁阵列方向检测方法,其特征在于,在测试不同尺寸的磁铁阵列前,首先以所述不同尺寸的磁铁阵列对应的标准磁铁进行自学习,在自学习完成后,再利用高斯计测试每个检测孔内的磁场值,然后选出磁场值最高的两个检测孔作为分别放置所述霍尔元件的检测孔,进行磁铁阵列方向检测。

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【专利技术属性】
技术研发人员:葛军祖杜典园
申请(专利权)人:驭芯科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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