System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 启用电荷泵的电路保护开关制造技术_技高网
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启用电荷泵的电路保护开关制造技术

技术编号:42163718 阅读:4 留言:0更新日期:2024-07-27 00:12
设备(攻击者设备)的射频(RF)发射器可无意地将高功率输出信号发射到接收设备(受害者设备)的天线。在一些RF系统中,受害者设备在该设备的天线和集成电路中的晶体管之间可能没有或几乎没有保护。晶体管的性能或使用寿命可能由于大电压摆动而受到负面影响,该大电压摆动是由从该攻击者设备接收的高功率信号引起的。为了防止或减轻由于该大电压摆动而对该晶体管的性能或使用寿命的影响,包括开关和直流(DC)电源(例如,电荷泵)的保护电路可在该受害者设备的接收器的输入处实现以分流来自该受害者设备的敏感电路部件的功率。

【技术实现步骤摘要】


技术介绍

1、本公开整体涉及无线通信,并且更具体地涉及射频(rf)收发器中的电路保护。

2、rf发射器可向受害者设备的天线发射高功率电平。在一些rf系统中,受害者设备在天线和集成电路的敏感电路部件(例如,晶体管)之间可能没有保护。由于与天线处的高功率电平相关联的大电压摆动,晶体管可能会经历使用寿命缩短和性能下降(例如,由于电压漂移)。不管受害者设备是开启还是关闭,这种设备压力都可能会发生。


技术实现思路

1、下面阐述本文所公开的某些实施方案的概要。应当理解,呈现这些方面仅仅是为了向读者提供这些特定实施方案的简明概要,并且这些方面并非旨在限制本公开的范围。实际上,本公开可涵盖下文可能未作阐述的多个方面。

2、在一个实施方案中,一种电子设备包括:多个天线;接收电路c,该接收电路c耦合到该多个天线并且被配置为接收信号,该接收电路包括一个或多个电路部件;晶体管,该晶体管耦合在该多个天线和该接收电路之间;和电荷泵,该电荷泵耦合在该多个天线和该晶体管之间,其中该电荷泵的输入电耦合到该晶体管的漏极端子,并且该电荷泵的输出电耦合到该晶体管的栅极端子。

3、在另一实施方案中,一种过电压保护电路包括晶体管;和电荷泵,该电荷泵耦合到接收器的输入和该晶体管的栅极端子,该电荷泵被配置为使得该晶体管能够基于所接收的信号的功率电平而分流来自一个或多个电路部件的多余功率。

4、在又一实施方案中,收发器包括发射器和接收器。该接收器包括多个电路部件、晶体管和电荷泵。该电荷泵的输入耦合到该多个电路部件并且该电荷泵的输出耦合到该晶体管的栅极端子,并且该电荷泵被配置为使该晶体管基于输入信号将功率从该多个电路部件分流出去。

5、对上述特征的各种改进可能相对于本公开的各个方面而存在。也可在这些各个方面中结合其他特征。这些改进和附加特征可单独存在,也可以任何组合的形式存在。例如,下面讨论的与所示实施方案中的一个或多个实施方案相关的各种特征可单独地或以任何组合形式结合到本公开上述方面中的任一个方面中。上文所呈现的简要概要仅旨在使读者熟悉本公开实施方案的特定方面和上下文,并不限制要求保护的主题。

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【技术保护点】

1.一种电子设备,所述电子设备包括:

2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为使所述晶体管基于在所述接收电路处接收的信号而分流来自所述接收电路的所述一个或多个电路部件的多余功率。

3.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为基于包括比阈值电压大的电压的所述信号来激活所述晶体管。

4.根据权利要求3所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为基于包括比所述阈值电压大的所述电压的所述信号来将所述信号转换为直流(DC)电压。

5.根据权利要求4所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为向所述晶体管的所述栅极端子提供所述DC电压。

6.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述接收电路包括缓冲器,所述缓冲器耦合到所述电荷泵的输出。

7.根据权利要求6所述的电子设备,所述电子设备包括附加晶体管,所述附加晶体管耦合到所述缓冲器的输出,其中所述附加晶体管的漏极端子电耦合到负载晶体管的栅极端子。

8.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为经由所述缓冲器接通所述附加晶体管,并且所述附加晶体管被配置为偏置所述负载晶体管以减小所述负载晶体管处的电压摆动。

9.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述接收电路包括附加电阻器,所述附加电阻器耦合在所述附加晶体管的所述漏极端子和所述负载晶体管的所述栅极端子之间。

10.一种过电压保护电路,所述过电压保护电路包括:

11.根据权利要求10所述的过电压保护电路,所述过电压保护电路包括电阻器,所述电阻器耦合到所述栅极端子并且被配置为使得所述晶体管能够分流所述多余功率。

12.根据权利要求10所述的过电压保护电路,所述过电压保护电路包括缓冲器,所述缓冲器耦合到所述电荷泵的输出;和

13.根据权利要求12所述的过电压保护电路,其中所述电荷泵被配置为通过经由所述缓冲器将电压信号传递到所述附加晶体管来经由所述缓冲器接通所述附加晶体管,并且所述附加晶体管被配置为偏置所述负载晶体管以减小所述负载晶体管处的电压摆动。

14.根据权利要求12所述的过电压保护电路,所述过电压保护电路包括附加电阻器,所述附加电阻器耦合在所述附加晶体管的所述漏极端子和所述负载晶体管的所述栅极端子之间。

15.根据权利要求12所述的过电压保护电路,所述过电压保护电路包括阻抗匹配网络,所述阻抗匹配网络电耦合到所述晶体管的所述漏极端子和所述负载晶体管的所述栅极端子,所述阻抗匹配网络被配置为将所述负载晶体管的所述栅极端子处的阻抗与所接收的信号的阻抗匹配。

16.根据权利要求10所述的过电压保护电路,其中所述电荷泵被配置为通过将所接收的信号转换为直流(DC)信号来使得所述晶体管能够分流所述多余功率,并且将所述DC信号作为栅极电压提供给所述晶体管。

17.一种收发器,所述收发器包括:

18.根据权利要求17所述的收发器,其中所述电荷泵被配置为将输入信号转换为直流(DC)电压并且将所述DC电压提供到所述晶体管。

19.根据权利要求17所述的收发器,其中所述多个电路部件至少包括第一负载晶体管和电感器。

20.根据权利要求17所述的收发器,其中所述电荷泵包括电压倍增电荷泵。

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【技术特征摘要】

1.一种电子设备,所述电子设备包括:

2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为使所述晶体管基于在所述接收电路处接收的信号而分流来自所述接收电路的所述一个或多个电路部件的多余功率。

3.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为基于包括比阈值电压大的电压的所述信号来激活所述晶体管。

4.根据权利要求3所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为基于包括比所述阈值电压大的所述电压的所述信号来将所述信号转换为直流(dc)电压。

5.根据权利要求4所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为向所述晶体管的所述栅极端子提供所述dc电压。

6.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述接收电路包括缓冲器,所述缓冲器耦合到所述电荷泵的输出。

7.根据权利要求6所述的电子设备,所述电子设备包括附加晶体管,所述附加晶体管耦合到所述缓冲器的输出,其中所述附加晶体管的漏极端子电耦合到负载晶体管的栅极端子。

8.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述电荷泵被配置为经由所述缓冲器接通所述附加晶体管,并且所述附加晶体管被配置为偏置所述负载晶体管以减小所述负载晶体管处的电压摆动。

9.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述接收电路包括附加电阻器,所述附加电阻器耦合在所述附加晶体管的所述漏极端子和所述负载晶体管的所述栅极端子之间。

10.一种过电压保护电路,所述过电压保护电路包括:

11.根据权利要求10所述的过电压保护电路,所述过电压保护电路包括电阻器,所述电阻器耦合到所述栅极端子并且被配置为使得...

【专利技术属性】
技术研发人员:D·M·辛诺夫汪飞吴克飞胡嵩M·尼克关翔
申请(专利权)人:苹果公司
类型:发明
国别省市:

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