【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种背接触异质结太阳能电池制作方法。
技术介绍
1、交叉背接触太阳电池(interdigitated back contact，ibc)将正面异质结发射极移至背面形成交叉背接触的结构，这样不仅有效提升了电池对短波段的响应，还可以避免前金属电极的遮光损失，大大提高了短路电流，同时异质结的结构，也使得开路电压也得到了极大地提高。
2、虽然ibc-shj太阳电池的结构及材料特性使得其性能表现一直远远超过其他结构的电池，目前主要是采用光刻胶作为掩膜。用光刻胶工艺制备ibc-shj,其工艺复杂冗长，单位时间产能低，制作成本很高，不利于规划化量产。为了能够使得ibc-shj太阳电池能够进行量产，制备工艺必须简单化，目前有研究人员采用硬掩膜(如金属掩膜、玻璃掩膜、陶瓷掩膜)进行制备ibc-shj电池。虽然这种制备工艺简单，有利于规模化量产，但采用硬掩膜工艺在镀膜过程中存在“绕镀”问题，影响到产品的性能。如何减少“绕镀”及解决“绕镀”问题，是目前企业所面临的问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决现有技术中的技术问题之一。为此，本专利技术通过在单晶硅片镀膜前，采用磨削设备对单晶硅片进行单面抛光，以减少单晶硅片的平整度，由此可以有效的减少硬掩膜与单晶硅片之间的缝隙，大大减少了镀膜过程中的绕镀现象，从而确保电池的性能。
2、技术方案：本专利技术提供了一种背接触异质结太阳能电池制作方法，包括：
3、对单晶硅片进行单面打
4、对打磨抛光后的单晶硅片进行清洗，以去除抛光产生的颗粒；
5、对单晶硅片进行制绒和清洗；
6、对单晶硅片的两个表面分别制备本征非晶硅薄膜；
7、对所述单晶硅片上进行过单面打磨抛光的一侧进行硬掩膜遮蔽处理，并制备相应薄膜。
8、进一步的，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光之后还包括：检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件，若不符合，则重新进行打磨抛光，直至抛光面的平整度符合条件。
9、进一步的，所述检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件包括检测单晶硅片抛光面的波峰与波谷的差值是否小于20um。
10、进一步的，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光包括：
11、对单晶硅片进行吸附；
12、移动单晶硅片至磨削位；
13、启动磨削设备，磨削设备与单晶硅片推进装置配合进行打磨抛光，其中，所述单晶硅片推进装置用于控制单晶硅片进行移动。
14、进一步的，所述对单晶硅片的两个表面分别制备本征非晶硅薄膜之后还包括对单晶硅片的非抛光面采用cvd工艺制备n型薄膜。
15、进一步的，所述对单晶硅片的非抛光面采用cvd工艺制备n型薄膜之后还包括采用cvd工艺对该表面制备sin薄膜。
16、进一步的，所述对所述单晶硅片上进行过单面打磨抛光的一侧进行硬掩膜遮蔽处理，并制备相应薄膜包括分别采用硬掩膜一和硬掩膜二对本征非晶硅薄膜进行遮蔽，并采用cvd工艺制备相应n型薄膜和p型薄膜，所述n型薄膜和p型薄膜之间预留有间隙，其中，n型薄膜为n型非晶硅薄膜或n型微晶硅薄膜或n型纳米晶薄膜，p型薄膜为p型非晶硅薄膜或p型微晶硅薄膜或p型纳米晶薄膜。
17、进一步的，所述制备相应n型薄膜和p型薄膜之后还包括采用硬掩膜三对所述间隙进行遮蔽，并采用pvd工艺制备tco薄膜。
18、进一步的，所述制备tco薄膜之后还包括，采用硬掩膜四对所述tco薄膜进行遮蔽，将n型薄膜和p型薄膜之间预留的间隙镀上绝缘层。
19、进一步的，所述将n型薄膜和p型薄膜之间预留的间隙镀上绝缘层之后还包括在tco薄膜上采用丝网印刷ag电极。
20、有益效果：本专利技术通过在单晶硅片镀膜前，采用磨削设备对单晶硅片进行单面抛光，以减少单晶硅片的平整度，由此可以有效的减少硬掩膜与单晶硅片之间的缝隙，大大减少了镀膜过程中的绕镀现象，从而确保电池的性能。
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1.一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光之后还包括：检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件，若不符合，则重新进行打磨抛光，直至抛光面的平整度符合条件。
3.根据权利要求2所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件包括检测单晶硅片抛光面的波峰与波谷的差值是否小于20um。
4.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光包括：
5.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片的两个表面分别制备本征非晶硅薄膜之后还包括对单晶硅片的非抛光面采用CVD工艺制备N型薄膜。
6.根据权利要求5所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片的非抛光面采用CVD工艺制备N型薄膜之后还包括采用CVD工艺对该表面制备SiN薄膜。
7.根据权利要
8.根据权利要求7所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述制备相应N型薄膜和P型薄膜之后还包括采用硬掩膜三对所述间隙进行遮蔽，并采用PVD工艺制备TCO薄膜。
9.根据权利要求8所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述制备TCO薄膜之后还包括，采用硬掩膜四对所述TCO薄膜进行遮蔽，将N型薄膜和P型薄膜之间预留的间隙镀上绝缘层。
10.根据权利要求9所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述将N型薄膜和P型薄膜之间预留的间隙镀上绝缘层之后还包括在TCO薄膜上采用丝网印刷Ag电极。
...【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光之后还包括：检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件，若不符合，则重新进行打磨抛光，直至抛光面的平整度符合条件。
3.根据权利要求2所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述检查单晶硅片抛光面的平整度是否符合条件包括检测单晶硅片抛光面的波峰与波谷的差值是否小于20um。
4.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片进行单面打磨抛光包括：
5.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片的两个表面分别制备本征非晶硅薄膜之后还包括对单晶硅片的非抛光面采用cvd工艺制备n型薄膜。
6.根据权利要求5所述的一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述对单晶硅片的非抛光面采用cvd工艺制备n型薄膜之后还包括采用cvd工艺对该表面制备sin薄膜。
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【专利技术属性】
技术研发人员：萧生刚，王策，余勇，
申请(专利权)人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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