【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及一种化学物分配设备和用于向反应腔室分配化学物的方法。本公开尤其涉及含氯物种的储存和含氯物种向供用于反应腔室中的氯气气相的转化。
技术介绍
1、用于半导体装置结构的制造中的一些半导体制造工艺可利用高腐蚀性和高毒性化学物种。此类有害化学物种可能需要与用于安全储存、处理和弃置的合适程序相关的复杂安全方案。
2、通常用于半导体制造工艺中的毒性化学物种的非限制性实例为氯气(cl2)气相。举例来说，氯气气相可用于清洗工艺、蚀刻工艺和沉积工艺，其中每个半导体工艺需要对氯气气相和任何氯类反应副产物进行专业化储存、处理和弃置。众所周知，氯气气相极具腐蚀性，并且因此，储存，并且具体来说，长期稳定的储存可能需要抗腐蚀的专用储存容器和纯度监测程序。另外，氯气气相为攻击呼吸系统以及眼睛和皮肤的高毒性气体。因此，在半导体装置结构的制造中可利用替代氯气气相的化学物种的设备和方法为合乎需要的。
技术实现思路
1、提供本[
技术实现思路
]从而以简化形式引入一系列概念。这些概念会在以下本公开的实例实施例的详细描述中加以进一步详述。本[
技术实现思路
]并不意图指出所要求的主题的关键特征或基本特征，也并不意图用于限制所要求的主题的范围。
2、在一些实施例中，提供一种化学物分配设备，其用于向反应腔室提供氯气气相。所述设备可包括：配置成用于储存含氯化学物种的化学物储存容器；与化学物储存容器流体连通的储集容器，所述储集容器配置成用于将含氯化学物种转化成氯气气相；和与储集容器流体连通的反应腔室
3、本公开的实施例还可提供用于将氯气气相供应到反应腔室的方法。所述方法可包含：提供化学物储存容器，所述化学物储存容器含有含氯化学物种；使含氯化学物种从化学物储存容器流到储集容器；在储集容器内将含氯化学物种转化成氯气气相；且使氯气气相流入反应腔室中。
4、出于概述本专利技术和优于现有技术而实现的优势的目的，上文中已描述本专利技术的某些目标和优势。当然，应理解，未必所有此类目标或优势都可根据本专利技术的任一特定实施例实现。因此，举例来说，所属领域的技术人员将认识到，本专利技术可以按实现或优化如本文中所教示或建议的一种优势或一组优势，但不一定实现如本文中可能教示或建议的其它目标或优势的方式来实施或进行。
5、所有这些实施例意图在本文中所公开的本专利技术的范围内。对于所属领域的技术人员来说，这些和其它实施例将从参考附图的某些实施例的以下详细描述变得显而易见，本专利技术不受限于所公开的任何特定实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种化学物分配设备，其向反应腔室提供氯气气相，所述化学物分配设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反应腔室包括原子层蚀刻设备的反应腔室。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述化学物储存容器包括石英材料。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述化学物储存容器包括涂布有氟类膜的内表面，其中所述氟类膜包括以下中的至少一种：聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、全氟烷氧基(PFA)、聚对苯二甲酸乙二酯共聚物(PETG)或聚酰胺类共聚物。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述储集容器进一步包括一个或多个加热单元，其配置成用于热分解所述含氯化学物种。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包括用于储存所述氯气的气相储存单元，所述气相储存单元布置在所述储集容器与所述反应腔室之间。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述储集容器进一步包括化学试剂，其配置成与所述含氯化学物种反应以产生所述氯气。
8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括一个或多个加热单元，其配置成用于
...【技术特征摘要】
1.一种化学物分配设备，其向反应腔室提供氯气气相，所述化学物分配设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反应腔室包括原子层蚀刻设备的反应腔室。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述化学物储存容器包括石英材料。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述化学物储存容器包括涂布有氟类膜的内表面，其中所述氟类膜包括以下中的至少一种：聚四氟乙烯(ptfe)、氟化乙烯丙烯共聚物(fep)、全氟烷氧基(pfa)、聚对苯二甲酸乙二酯共聚物(petg)或聚酰胺类共聚物。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·沙尔马，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。