System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 锆和铪的氧化物的各向同性热原子层蚀刻制造技术_技高网

锆和铪的氧化物的各向同性热原子层蚀刻制造技术

技术编号:42149684 阅读:11 留言:0更新日期:2024-07-27 00:03
所公开和要求保护的主题涉及(1)用于进行包括ZrO<subgt;2</subgt;、HfO<subgt;2</subgt;、(Hf‑Zr)O<subgt;2</subgt;合金或不要求使用等离子体或腐蚀性卤化化学的类似材料的膜的热原子层蚀刻(ALE)的方法和(2)具有通过独特的介电处理方法实现的独特特性的金属‑绝缘体‑金属电容器(MIMcap)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.用于蚀刻金属氧化物基底的表面的热ALE方法,其包括进行以下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其进一步包括步骤(vii)后处理以去除保留在所述表面上的杂质。

3.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包含ZrO2、HfO2、HfxZr1-xO2(其中x是0至1的值)、TiO2、Al2O3及其组合中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括ZrO2。

5.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括HfO2。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括HfxZr1-xO2。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括TiO2。

8.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括Al2O3。

9.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包含一种或多种金属氟化物。

10.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括VF5、NbF5、TaF5、MoF6、WF6、ReF6和ReF7中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括VF5。

12.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括NbF5。

13.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括TaF5。

14.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括MoF6。

15.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括WF6。

16.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括ReF6。

17.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括ReF7。

18.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括AsF5、SbF5和TeF6中的一种或多种。

19.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括AsF5。

20.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括SbF5。

21.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括TeF6。

22.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒至约30秒。

23.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒。

24.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约1秒。

25.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约5秒。

26.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约10秒。

27.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约15秒。

28.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约20秒。

29.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约25秒。

30.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约30秒。

31.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂以约1sccm至约200sccm流动。

32.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(i)在约0.5托至约100托的压力下进行。

33.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二甲基氯化铝(DMAC;Al(CH3)2Cl)、二乙基氯化铝(DEAC;Al(C2H5)2Cl)、四氯化钛(TiCl4)、三氯化硼(BCl3)及其组合中的一种或多种。

34.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二甲基氯化铝(DMAC;Al(CH3)2Cl)。

35.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二乙基氯化铝(DEAC;Al(C2H5)2Cl)...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.用于蚀刻金属氧化物基底的表面的热ale方法,其包括进行以下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其进一步包括步骤(vii)后处理以去除保留在所述表面上的杂质。

3.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包含zro2、hfo2、hfxzr1-xo2(其中x是0至1的值)、tio2、al2o3及其组合中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括zro2。

5.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括hfo2。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括hfxzr1-xo2。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括tio2。

8.如权利要求1所述的方法,其中,所述金属氧化物包括al2o3。

9.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包含一种或多种金属氟化物。

10.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括vf5、nbf5、taf5、mof6、wf6、ref6和ref7中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括vf5。

12.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括nbf5。

13.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括taf5。

14.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括mof6。

15.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括wf6。

16.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括ref6。

17.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括ref7。

18.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括asf5、sbf5和tef6中的一种或多种。

19.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括asf5。

20.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括sbf5。

21.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂包括tef6。

22.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒至约30秒。

23.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒。

24.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约1秒。

25.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约5秒。

26.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约10秒。

27.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约15秒。

28.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约20秒。

29.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约25秒。

30.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)所述一种或多种氟化剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约30秒。

31.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(i)一种或多种氟化剂以约1sccm至约200sccm流动。

32.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(i)在约0.5托至约100托的压力下进行。

33.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二甲基氯化铝(dmac;al(ch3)2cl)、二乙基氯化铝(deac;al(c2h5)2cl)、四氯化钛(ticl4)、三氯化硼(bcl3)及其组合中的一种或多种。

34.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二甲基氯化铝(dmac;al(ch3)2cl)。

35.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括二乙基氯化铝(deac;al(c2h5)2cl)。

36.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括四氯化钛(ticl4)。

37.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂包括三氯化硼(bcl3)。

38.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒至约30秒。

39.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约0.5秒。

40.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约1秒。

41.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约5秒。

42.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约10秒。

43.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约15秒。

44.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约20秒。

45.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约25秒。

46.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)所述一种或多种氯配体供应剂对所述金属氧化物的表面的暴露时间是约30秒。

47.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(iii)一种或多种氯配体供应剂以约1sccm至约500sccm流动。

48.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(iii)在约0.5托至约100托的压力下进行。

49.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括氧气(o2)、臭氧(o3)、一氧化氮(no)、水(h2o)蒸气、过氧化氢(h2o2)、氧等离子体(o*)及其组合中的一种或多种。

50.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括氧气(o2)。

51.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括臭氧(o3)。

52.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括一氧化氮(no)。

53.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括水(h2o)蒸气。

54.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括过氧化氢(h2o2)。

55.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂包括氧等离子体(o*)。

56.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约1秒至约60秒。

57.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约1秒。

58.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约5秒。

59.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约10秒。

60.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约15秒。

61.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约20秒。

62.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约30秒。

63.如权利要求1所述的方法,其中,所述一种或多种氧化剂的所述步骤(v)暴露时间是约60秒。

64.如权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(v)一种或多种氧化剂以约10sccm至约1000sccm流动。

65.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(v)在约0.5托至约100托的压力下进行。

66.如权利要求1所述的方法,其中,所述方法包括约100至约1000次循环。

67.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:M·E·麦克布里阿提B·祖佩程岚霞S·黄
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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