System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 传感器校准方法、装置、设备及可读存储介质制造方法及图纸_技高网

传感器校准方法、装置、设备及可读存储介质制造方法及图纸

技术编号:42147069 阅读:7 留言:0更新日期:2024-07-27 00:02
本申请公开了一种传感器校准方法、装置、设备及可读存储介质,涉及传感器技术领域,包括:获取待校准传感器的初始灵敏度;获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压,将所述最优偏置电压作为第一偏置电压,其中,所述最优偏置电压用于指示所述待校准传感器满足预设不吸膜特性时可施加的最大偏置电压,所述预设不吸膜特性包括处于预设测试环境时所述待校准传感器不吸膜;将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压,若所述第一偏置电压小于所述第二偏置电压,则基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准。本申请降低了校准后传感器的吸膜风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及传感器,尤其涉及一种传感器校准方法、装置、设备及可读存储介质


技术介绍

1、在工业自动化技术、检测技术及信息处理等领域,由于传感器本身存在硬件误差,并且与之联用的其他硬件系统也存在硬件误差,所以在实际应用中一般需要进行参数校准才能够保证检测精度。

2、相关技术中,首先批量收集不同吸膜电压档位的传感器的初始灵敏度,然后根据校准目标预先设置偏置电压表用于查询烧录,实际对传感器进行校准时,测量传感器的初始灵敏度,然后在预先设置的偏置电压表中查询与该初始灵敏度对应的偏置电压,以该查询到的偏置电压对传感器进行校准。然而以这种查表校准方式校准后的传感器可能会直接出现吸膜问题或者处于某种特定环境(如高温、高湿或高压等环境)时出现吸膜问题。

3、因此,如何降低校准后传感器的吸膜风险是本
亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种传感器校准方法、装置、设备及可读存储介质,旨在解决如何降低校准后传感器的吸膜风险的技术问题。

2、为实现上述目的,本申请提供一种传感器校准方法,所述传感器校准方法包括以下步骤:

3、获取待校准传感器的初始灵敏度;

4、获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压,将所述最优偏置电压作为第一偏置电压,其中,所述最优偏置电压用于指示所述待校准传感器满足预设不吸膜特性时可施加的最大偏置电压,所述预设不吸膜特性包括处于预设测试环境时所述待校准传感器不吸膜;

5、将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压,若所述第一偏置电压小于所述第二偏置电压,则基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准。

6、在一实施例中,所述获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压的步骤,包括:

7、获取所述待校准传感器的吸膜电压,基于所述吸膜电压确定最优偏置电压,其中,所述最优偏置电压与所述吸膜电压之间的比值为预设最大比值。

8、在一实施例中,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤,包括:

9、查找所述预设偏置电压表中各偏置电压与所述第一偏置电压匹配的目标偏置电压,其中,所述目标偏置电压为各所述偏置电压中与所述第一偏置电压的电压差值最小的偏置电压;

10、将所述目标偏置电压烧写至所述待校准传感器中,以通过所述目标偏置电压对所述待校准传感器进行校准。

11、在一实施例中,所述将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压的步骤之后,所述方法还包括:

12、若所述第一偏置电压大于或等于所述第二偏置电压,则基于所述第二偏置电压对所述待校准传感器进行校准。

13、在一实施例中,所述获取待校准传感器的初始灵敏度的步骤之后,所述方法还包括:

14、若所述初始灵敏度处于预设阈值范围内,则执行获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压的步骤;

15、若所述初始灵敏度处于预设阈值范围外,则结束对所述待校准传感器的校准。

16、在一实施例中,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤之后,所述方法还包括:

17、获取所述待校准传感器的目标灵敏度,并检测以所述第一偏置电压对所述待校准传感器校准后所述待校准传感器的过程灵敏度;

18、计算所述目标灵敏度与所述过程灵敏度之间的灵敏度差值,查找预设增益表中所述灵敏度差值对应的增益;

19、基于所述增益再次对所述待校准传感器进行校准,检测以所述增益再次对所述待校准传感器进行校准后所述待校准传感器的最终灵敏度;

20、若所述最终灵敏度与预设合格灵敏度阈值匹配,则确定所述待校准传感器校准成功。

21、在一实施例中,所述待校准传感器包括贴装在一起的振动组件和麦克风组件,所述振动组件用于感知外界的振动信息,所述麦克风组件用于采集所述振动组件振动时产生的振动信号,并将所述振动信号转换为电信号。

22、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种传感器校准装置,所述传感器校准装置包括:

23、获取模块,用于获取待校准传感器的初始灵敏度;

24、计算模块,用于获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压,将所述最优偏置电压作为第一偏置电压,其中,所述最优偏置电压用于指示所述待校准传感器满足预设不吸膜特性时可施加的最大偏置电压,所述预设不吸膜特性包括处于预设测试环境时所述待校准传感器不吸膜;

25、选择校准模块,用于将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压,若所述第一偏置电压小于所述第二偏置电压,则基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准。

26、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种传感器校准设备,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的传感器校准程序,所述传感器校准程序被所述处理器执行时实现如上述的传感器校准方法的步骤。

27、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种可读存储介质,所述可读存储介质包括计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有传感器校准程序,传感器校准程序被处理器执行时实现如上述的传感器校准方法的步骤。

28、传感器的偏置电压较小时,其实际的初始灵敏度本该较高,但由于测量误差或者传感器自身结构(比如骨声纹传感器中振膜较紧)等问题,导致实际测量到的初始灵敏度较低,此时基于测量的初始灵敏度查表得到的偏置电压较高,就会导致以该较高的偏置电压校准传感器后出现吸膜问题。基于此,本申请中获取待校准传感器的初始灵敏度;获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压,将所述最优偏置电压作为第一偏置电压,其中,所述最优偏置电压用于指示所述待校准传感器满足预设不吸膜特性时可施加的最大偏置电压,所述预设不吸膜特性包括处于预设测试环境时所述待校准传感器不吸膜;将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压,若所述第一偏置电压小于所述第二偏置电压,则基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准。如此,与直接基于初始灵敏度查表匹配偏置电压,以查表得到偏置电压对传感器进行校准的校准方式相比,本申请实施例将待校准传感器处于预设测试环境时不吸膜可施加的最大偏置电压作为第一偏置电压,将该第一偏置电压与基于初始灵敏度查询预设偏置电压表得到的第二偏置电压进行比较,当第一偏置电压小于第二偏置电压时,使用处于预设测试环境时仍不存在吸膜问题的第一偏置电压对待校准传感器进行校准,而不是直接使用查询偏置电压表得到的第二偏置电压对待校准传感器进行校准,从而降低了校准后传感器的吸膜风险。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种传感器校准方法,其特征在于,所述传感器校准方法包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压的步骤,包括:

3.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤,包括:

4.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压的步骤之后,所述方法还包括:

5.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述获取待校准传感器的初始灵敏度的步骤之后,所述方法还包括:

6.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤之后,所述方法还包括:

7.如权利要求1至6任一项所述的传感器校准方法,其特征在于,所述待校准传感器包括贴装在一起的振动组件和麦克风组件,所述振动组件用于感知外界的振动信息,所述麦克风组件用于采集所述振动组件振动时产生的振动信号,并将所述振动信号转换为电信号。p>

8.一种传感器校准装置,其特征在于,所述传感器校准装置包括:

9.一种传感器校准设备,其特征在于,所述传感器校准设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的传感器校准程序,所述传感器校准程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的传感器校准方法的步骤。

10.一种可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质包括计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有传感器校准程序,所述传感器校准程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的传感器校准方法的步骤。

...

【技术特征摘要】

1.一种传感器校准方法,其特征在于,所述传感器校准方法包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述获取所述待校准传感器对应的最优偏置电压的步骤,包括:

3.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤,包括:

4.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述将预设偏置电压表中所述初始灵敏度对应的偏置电压作为第二偏置电压的步骤之后,所述方法还包括:

5.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述获取待校准传感器的初始灵敏度的步骤之后,所述方法还包括:

6.如权利要求1所述的传感器校准方法,其特征在于,所述基于所述第一偏置电压对所述待校准传感器进行校准的步骤之后,所述方法还包括:

7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:毕训训端木鲁玉闫文明
申请(专利权)人:歌尔微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1