【技术实现步骤摘要】
本技术涉及液晶显示器，具体地涉及一种高分辨率的tft-lcd阵列基板。
技术介绍
1、随着生活质量的提升，大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器是越来越受到人们的青睐。然而高分辨率的液晶显示器要求像素更小，即面内的金属排线越密集，储存电容的容量就越小；这样带来的问题就是画素电极和周边金属线的耦合效应越来越大，但是由于储存电容的容量减小，本身存储的电荷变少，所以画素电极上的电势在显示阶段更容易偏离当前灰阶画面的值，这样就会造成画面失真。
2、tft-lcd在正常工作过程时，数据信号经过tft器件从源极经过有源层再到漏极，然后写入到画素电极，当画素电极与公共电极形成的储存电容充满电后，意味着充电的结束，电荷被储存在画素电极上。然后tft器件关闭，进入显示阶段，画素电极理想状态下是与外界断开的，这时电容上储存的电荷维持画素电极上的电势大小直到下一帧画面信号写入。但是实际在显示过程中，tft器件是不能做到完全关闭的，漏电流会一直存在，这也就是意味着画素电极上储存的电荷会逐渐减少；正常要求是一帧画面时间内减少电荷量造成的电势变化小于相邻灰阶画面画素电极的压差就可以；当一帧画面时间内减少电荷量造成的电势变化大于等于相邻灰阶画面画素电极的压差，就为显示画面失真。
3、如图1所示，传统tft-lcd阵列基板的结构示意图；tft-lcd阵列基板制成液晶显示器的分辨率作得越高，像素就越小，画素电极与公共电极形成的储存电容的容量就越小，储存电容在充满电后所存储的电荷就越少；由于tft器件关闭后存在漏电流，画素电极上的储存电荷会逐
4、因此，如何提升储存电容的容量，防止高分辨率液晶显示器的显示画面失真，是目前本领域亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，提升储存电容的容量，防止高分辨率液晶显示器的显示画面失真。
2、本技术是这样实现的：一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，包括：
3、玻璃衬底；
4、第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；
5、第一绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面；
6、有源层，固定设置在所述第一绝缘层的上表面，并且位于所述栅极的正上方；
7、透明导电层，固定设置在所述第一绝缘层的上表面，还位于所述栅极的斜侧方；
8、第二金属层，固定设置在所述第一绝缘层的上表面，形成源极和漏极，所述源极与所述有源层的左端连接，所述漏极与所述有源层的右端连接；
9、第二绝缘层，固定设置在所述第二金属层、所述透明导电层与所述有源层的上表面，所述第二绝缘层开设有第一连接孔；
10、画素电极，固定设置在所述第二绝缘层的上表面，还位于所述透明导电层的正上方，并且通过所述第一连接孔与所述漏极连接；
11、第三绝缘层，固定设置在所述画素电极与所述第二绝缘层的上表面，所述第三绝缘层开设有第二连接孔；
12、公共电极，固定设置在所述第三绝缘层的上表面，还位于所述画素电极的正上方，并且通过所述第二连接孔与所述透明导电层连接。
13、进一步地，所述第二金属层还形成tp走线，所述tp走线与所述透明导电层连接，所述公共电极通过所述第二连接孔与所述tp走线连接。
14、进一步地，还包括：
15、第三金属层，固定设置在所述第二绝缘层的上表面，形成tp走线，所述tp走线还位于所述源极或漏极的正上方；
16、所述第三绝缘层开设有第三连接孔；
17、所述公共电极通过所述第三连接孔与所述tp走线连接。
18、进一步地，所述透明导电层是由透明金属氧化物半导体使用离子注入工艺而成。
19、进一步地，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是mo/al/mo叠层、ti/al/ti叠层。
20、进一步地，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料都是siox单层或者sinx/siox双层。
21、进一步地，所述画素电极与所述公共电极的材料都是ito。
22、本技术的优点在于：1、在画素电极的正下方设置透明导电层，透明导电层与公共电极的电位相同，透明导电层与画素电极形成新的储存电容，从而在画素电极与公共电极形成传统储存电容的基础上，增加一个新的储存电容，提升储存电容的容量，可以将液晶显示器的像素设计得更小来实现液晶显示器的高分辨率，防止高分辨率液晶显示器的显示画面失真。
23、2、透明导电层和有源层是在同一道工艺中完成，材料都是选用透明的金属氧化物半导体，工艺上要求对透明导电层的金属氧化物半导体进行导体化处理，并与tp走线连接，使其电势大小和公共电极一直维持在同一准位；由于透明导电层是透明的，所以沉积在画素电极下方的透明导电层对于背光源光线强度的影响不大。
24、3、tp走线和源极、漏极不做在同一层，这样做的优势是面板的开口率更高。
25、4、第二连接孔和第三连接孔是在同一道干刻工艺完成，两个连接孔完成后进行离子注入工艺，目的有两个：一是使透明导电层导体化，二是由于两个连接孔干刻深度不一样，tp走线上方的连接孔会存在过刻的情况，造成tp走线的金属遭到干刻影响带来的接触阻抗增大的问题，这时候刚好通过离子化处理解决tp走线在连接孔处接触面由于过刻带来的阻抗增大问题。
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1.一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还形成TP走线，所述TP走线与所述透明导电层连接，所述公共电极通过所述第二连接孔与所述TP走线连接。
3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述透明导电层是由透明金属氧化物半导体使用离子注入工艺而成。
5.根据权利要求3所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是MO/AL/MO叠层、Ti/AL/Ti叠层。
6.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料都是SiOx单层或者SiNx/SiOx双层。
7.根据权利要求1所述的一种高分辨率的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述画素电极与所述公共电极的材料都是ITO。
...【技术特征摘要】
1.一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还形成tp走线，所述tp走线与所述透明导电层连接，所述公共电极通过所述第二连接孔与所述tp走线连接。
3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的一种高分辨率的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述透明导电层是由透明金属氧化物半导体使用离子注入工...
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