【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氧化镍与氧化镓之间的异质结。
技术介绍
1、由于电力、汽车电子和家用电器行业的快速发展，对高性能功率半导体器件的需求激增。由于正在进行的研究，包括碳化硅和氮化镓的超宽带半导体已经实现了比硅基功率半导体更高的性能。然而，它们具有块状单晶生长困难和高生产成本的缺点。
2、氧化镓是继碳化硅和氮化镓之后新兴的超宽带半导体材料，具有约4.7ev至约4.9ev的带隙，远超过碳化硅和氮化镓的带隙宽度，以及8mv/cm的理论击穿电场。与其他超宽带半导体材料相比，氧化镓尤其能够以相对低的成本生长衬底和外延层。然而，由于适当的p型掺杂剂的有效空穴质量大并且受主活化能高，因此，难以实现基于pn同质结的β-ga2o3器件。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成nio-ga2o3异质结的方法。所述方法可以包括：通过使用蚀刻掩模蚀刻在n型氧化镓衬底上外延生长的n型氧化镓外延层来形成沟槽，通过在氩气与氧气的混合气体气氛中在n型氧化镓外延层上溅射氧化镍靶来在沟槽的底部上形成p型氧化镍区域，和通过在氩气气氛中在n型氧化镓外延层上溅射镍靶来在p型氧化镍区域上形成镍层。
2、在一个实施方案中，所述蚀刻掩模可以由n型氧化镓外延层上的硬掩模和在所述硬掩模上形成的光致抗蚀剂掩模组成。
3、在一个实施方案中，所述蚀刻掩模可以形成45度到70度的范围内的所述沟槽的侧壁坡度。
4、在一个实施方案中，所述光致抗蚀剂掩模在所述n型氧化镓外延层中形成
5、在一个实施方案中，所述混合气体中的氧气流量比在9.0％至23.0％的范围内。
6、在一个实施方案中，所述混合气体中的所述氧气流量比在16.6％至23.0％的范围内。
7、根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造氧化镍-氧化镓异质结二极管的方法，包括：通过使用蚀刻掩模蚀刻在n型氧化镓衬底上外延生长的n型氧化镓外延层来在有源区和边缘区中形成多个沟槽，通过在氩气与氧气的混合气体气氛中在所述n型氧化镓外延层上溅射氧化镍靶来在所述多个沟槽的底部上形成p型氧化镍区域，在所述边缘区中形成限定所述有源区的绝缘层，通过在氩气气氛中在所述有源区和所述边缘区中溅射镍靶来在所述p型氧化镍区域和所述n型氧化镓外延层上形成镍层，和在所述镍层的上表面上形成阳极并且在所述n型氧化镓衬底的下表面上形成阴极。
8、在一个实施方案中，所述p型氧化镍区域可以包括：在所述有源区中形成的第一p型氧化镍区域、跨所述有源区和所述边缘区形成的第二p型氧化镍区域、和在所述边缘区中形成的第三p型氧化镍区域。
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1.一种形成NiO-Ga2O3异质结的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻掩模由在所述n型氧化镓外延层上的硬掩模和在所述硬掩模上形成的光致抗蚀剂掩模组成，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂掩模在所述n型氧化镓外延层中形成第一沟槽区域，并且所述硬掩模形成具有从所述第一沟槽区域的侧壁延伸的侧壁的第二沟槽区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合气体中的氧气流量比在9.0％至23.0％的范围内。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述混合气体中的所述氧气流量比在16.6％至23.0％的范围内。
6.一种制造氧化镍-氧化镓异质结二极管的方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述蚀刻掩模由在所述n型氧化镓外延层上的硬掩模和在所述硬掩模上形成的光致抗蚀剂掩模组成，
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂掩模在所述n型氧化镓外延层中形成第一沟槽区域，并且所述硬掩模形成具有从所述第一沟槽区域的侧壁延伸的侧壁的第二沟槽区域。
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10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述混合气体中的所述氧气流量比在16.6％至23.0％的范围内。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述p型氧化镍区域包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成nio-ga2o3异质结的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻掩模由在所述n型氧化镓外延层上的硬掩模和在所述硬掩模上形成的光致抗蚀剂掩模组成，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂掩模在所述n型氧化镓外延层中形成第一沟槽区域，并且所述硬掩模形成具有从所述第一沟槽区域的侧壁延伸的侧壁的第二沟槽区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合气体中的氧气流量比在9.0％至23.0％的范围内。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述混合气体中的所述氧气流量比在16.6％至23.0％的范围内。
6.一种制造氧化镍-氧化镓异质结二...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜兑咏，庆信秀，南太镇，郑有燮，
申请(专利权)人：电导魔方股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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