【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于气体绝缘金属封闭设备，特别是涉及一种静触头、gil、gis及母线。
技术介绍
1、gis(气体绝缘金属封闭开关设备)和gil(气体绝缘金属封闭输电线路)产品在制造、装配过程中不可避免地会产生金属微粒，设备通电后金属微粒将会在电场力的作用下沿着筒壁向绝缘子移动，或者沿着导电杆向绝缘子移动，或者在筒壁与导电杆之间往复跳动并逐渐向绝缘子移动，金属微粒运动至绝缘子表面并堆积后将容易出现闪络现象。
2、为解决上述技术问题，现有申请公布号为cn110883016a、申请公布日为2020年03月17日的中国专利技术专利申请公开了一种gil装置及微粒捕捉器，该gil装置包括筒体，筒体内设有中心导体，筒体的端部设置有用于支撑中心导体的绝缘子，筒体端部的内壁上设有微粒捕捉器，微粒捕捉器为筒形且开设有供金属微粒穿过的开孔，微粒捕捉器与筒体内壁之间具有间隔而形成用于收集微粒的屏蔽区。
3、上述技术方案中微粒捕捉器设置在筒体端部的内壁上，主要对沿筒壁向绝缘子移动的金属微粒进行捕捉，而对围绕中心导体跳跃或者沿中心导体移动以及在筒壁和导电杆之间往复跳动的金属微粒的捕捉效果较差，围绕中心导体跳跃或者沿中心导体移动以及在筒壁和导电杆之间往复跳动的金属微粒仍容易在绝缘子表面堆积而引发闪络现象，gis及气体绝缘金属封闭母线也存在上述的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于提供一种静触头，以解决现有技术中gil及gis产品中设置在筒体端部的内壁上的微粒捕捉器对围绕中心导体
2、本专利技术的目的之一在于提供一种gil，以解决上述技术问题。
3、本专利技术的目的之一在于提供一种gis，以解决上述技术问题。
4、本专利技术的目的之一在于提供一种母线，以解决上述技术问题。
5、为实现上述目的，本专利技术所提供的静触头的技术方案是：
6、一种静触头，包括静触头本体，静触头本体的外壁上设置有用于阻断金属微粒与静触头本体之间电荷交换的绝缘层。
7、作为进一步地改进，绝缘层为套装在静触头外的筒状的绝缘套。
8、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且绝缘套为弹性绝缘套。
9、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且开设有便于绝缘套的轴向端部变形以将绝缘套安装在静触头上的豁口。
10、作为进一步地改进，绝缘层为涂覆在静触头外壁上的绝缘涂层或绝缘层为与静触头一体浇铸的绝缘结构。
11、作为进一步地改进，绝缘层构成用于缓冲金属微粒的缓冲层。
12、本专利技术所提供的静触头的有益效果是：该静触头是对现有技术的改进。由于静触头本体上设置了绝缘层，因此在导电杆与筒体间往复跳动的金属微粒以及沿导电杆移动的金属微粒到达静触头的位置后，将会与绝缘层接触而非直接与带电的静触头本体接触，绝缘层能够起到阻断金属微粒与静触头之间的电荷交换的作用，防止金属微粒携带与静触头相同的电荷从而被加速弹开，有助于降低金属微粒的运动速度；另外设置绝缘缓冲体后，会使筒体内该处的电场强度减弱，减小驱动金属微粒运动的力。金属微粒的运动速度减小后，将会在重力的作用下沉降，从而被微粒捕捉器捕捉，有效地提高了微粒捕捉器对围绕中心导体跳跃或者沿中心导体移动的金属微粒的捕捉效果，降低了绝缘子出现闪络现象的风险。
13、为实现上述目的，本专利技术所提供的gil的技术方案是：
14、一种gil，包括筒体及设置在筒体内的导电杆，筒体的端部设置有绝缘子，绝缘子上设置有用于支撑导电杆的静触头，筒体的内壁上设有微粒捕捉器，静触头包括静触头本体，静触头本体的外壁上设置有用于阻断金属微粒与静触头本体之间电荷交换的绝缘层，微粒捕捉器位于静触头下方。
15、作为进一步地改进，绝缘层为套装在静触头外的筒状的绝缘套。
16、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且绝缘套为弹性绝缘套。
17、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且开设有便于绝缘套的轴向端部变形以将绝缘套安装在静触头上的豁口。
18、作为进一步地改进，绝缘层为涂覆在静触头外壁上的绝缘涂层或绝缘层为与静触头一体浇铸的绝缘结构。
19、作为进一步地改进，绝缘层构成用于缓冲金属微粒的缓冲层。
20、本专利技术所提供的gil的有益效果是：该gil是对现有技术的改进。由于静触头本体上设置了绝缘层，因此在导电杆与筒体间往复跳动的金属微粒以及沿导电杆移动的金属微粒到达静触头的位置后，将会与绝缘层接触而非直接与带电的静触头本体接触，绝缘层能够起到阻断金属微粒与静触头之间的电荷交换的作用，防止金属微粒携带与静触头相同的电荷从而被加速弹开，有助于降低金属微粒的运动速度；另外设置绝缘缓冲体后，会使筒体内该处的电场强度减弱，减小驱动金属微粒运动的力。金属微粒的运动速度减小后，将会在重力的作用下沉降，从而被微粒捕捉器捕捉，有效地提高了微粒捕捉器对围绕中心导体跳跃或者沿中心导体移动的金属微粒的捕捉效果，降低了绝缘子出现闪络现象的风险。
21、为实现上述目的，本专利技术所提供的gis的技术方案是：
22、一种gis，包括筒体及设置在筒体内的导电杆，筒体的端部设置有绝缘子，绝缘子上设置有用于支撑导电杆的静触头，筒体的内壁上设有微粒捕捉器，静触头包括静触头本体，静触头本体的外壁上设置有用于阻断金属微粒与静触头本体之间电荷交换的绝缘层，微粒捕捉器位于静触头下方。
23、作为进一步地改进，绝缘层为套装在静触头外的筒状的绝缘套。
24、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且绝缘套为弹性绝缘套。
25、作为进一步地改进，绝缘套的轴向端部为缩口结构且开设有便于绝缘套的轴向端部变形以将绝缘套安装在静触头上的豁口。
26、作为进一步地改进，绝缘层为涂覆在静触头外壁上的绝缘涂层或绝缘层为与静触头一体浇铸的绝缘结构。
27、作为进一步地改进，绝缘层构成用于缓冲金属微粒的缓冲层。
28、本专利技术所提供的gis的有益效果是：该gis是对现有技术的改进。由于静触头本体上设置了绝缘层，因此在导电杆与筒体间往复跳动的金属微粒以及沿导电杆移动的金属微粒到达静触头的位置后，将会与绝缘层接触而非直接与带电的静触头本体接触，绝缘层能够起到阻断金属微粒与静触头之间的电荷交换的作用，防止金属微粒携带与静触头相同的电荷从而被加速弹开，有助于降低金属微粒的运动速度；另外设置绝缘缓冲体后，会使筒体内该处的电场强度减弱，减小驱动金属微粒运动的力。金属微粒的运动速度减小后，将会在重力的作用下沉降，从而被微粒捕捉器捕捉，有效地提高了微粒捕捉器对围绕中心导体跳跃或者沿中心导体移动的金属微粒的捕捉效果，降低了绝缘子出现闪络现象的风险。
29、为实现上述目的，本专利技术所提供的母线的技术方案是：
30、一种母本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静触头，包括静触头本体，其特征是，静触头本体的外壁上设置有用于阻断金属微粒与静触头本体之间电荷交换的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的静触头，其特征是，绝缘层为套装在静触头外的筒状的绝缘套。
3.根据权利要求2所述的静触头，其特征是，绝缘套的轴向端部为缩口结构且绝缘套为弹性绝缘套。
4.根据权利要求2所述的静触头，其特征是，绝缘套的轴向端部为缩口结构且开设有便于绝缘套的轴向端部变形以将绝缘套安装在静触头上的豁口。
5.根据权利要求1所述的静触头，其特征是，绝缘层为涂覆在静触头外壁上的绝缘涂层或绝缘层为与静触头一体浇铸的绝缘结构。
6.根据权利要求1-5任一项所述的静触头，其特征是，绝缘层构成用于缓冲金属微粒的缓冲层。
7.一种GIL，包括筒体及设置在筒体内的导电杆，筒体的端部设置有绝缘子，绝缘子上设置有用于支撑导电杆的静触头，筒体的内壁上设有微粒捕捉器，其特征是，静触头为权利要求1-6任一项所述的静触头，微粒捕捉器位于静触头下方。
8.一种GIS，包括筒体及设置在筒体内的导电杆，筒体的端部
9.一种母线，包括筒体及设置在筒体内的导电杆，筒体的端部设置有绝缘子，绝缘子上设置有用于支撑导电杆的静触头，筒体的内壁上设有微粒捕捉器，其特征是，静触头为权利要求1-6任一项所述的静触头，微粒捕捉器位于静触头下方。
...【技术特征摘要】
1.一种静触头，包括静触头本体，其特征是，静触头本体的外壁上设置有用于阻断金属微粒与静触头本体之间电荷交换的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的静触头，其特征是，绝缘层为套装在静触头外的筒状的绝缘套。
3.根据权利要求2所述的静触头，其特征是，绝缘套的轴向端部为缩口结构且绝缘套为弹性绝缘套。
4.根据权利要求2所述的静触头，其特征是，绝缘套的轴向端部为缩口结构且开设有便于绝缘套的轴向端部变形以将绝缘套安装在静触头上的豁口。
5.根据权利要求1所述的静触头，其特征是，绝缘层为涂覆在静触头外壁上的绝缘涂层或绝缘层为与静触头一体浇铸的绝缘结构。
6.根据权利要求1-5任一项所述的静触头，其特征是，绝缘层构成用于缓冲金属微粒的缓冲层...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺永明，钟建英，谭盛武，魏建巍，白玮，于丽琴，谢世超，王刚，刘龙，贾彩玲，井琼琼，
申请(专利权)人：平高集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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