【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及半导体技术，更具体地，涉及一种半导体器件及一种用于制造该类半导体器件的方法。
技术介绍
1、由于消费者希望他们的电子产品更小、更快、性能更高，以及具有越来越多的功能封装在单个设备中，半导体行业一直面临着复杂集成的挑战。其中一种解决方案是系统级封装(system-in-package,sip)。sip是一种功能性电子系统或子系统，在单个封装中包含两个或多个异构半导体芯片，例如逻辑芯片、存储器、集成无源器件(ipd)、rf滤波器、传感器、散热器或天线。特别是在5g设备中，多层系统级封装将成为许多新的5g应用(例如5g、无线区域网络(wran)、雷达传感器和成像等)必不可少的技术。然而，在系统级封装中形成再分布层的传统方法工艺复杂，成本高，而且采用这种传统方法形成的半导体器件性能和密度有限。
2、因此，需要一种成本降低的制造半导体器件的方法。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种以降低的成本制造半导体器件的方法。
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体组件，所述半导体组件包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中第一互连结构电耦合到所述第一半导体裸片，第二互连结构电耦合到所述第二半导体裸片；在所述半导体组件上方沉积密封剂层以密封所述第一互连结构和所述第二互连结构，其中所述密封剂层包括可由激光激活的添加物；在所述密封剂层中形成互连通道，并通过激光图案化激活所述互连通道中密封剂层的添加物作为籽
3、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体组件，所述半导体组件包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中第一互连结构和第二互连结构分别电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片；密封剂层，所述密封剂层在所述半导体组件上方，其中所述密封剂层密封所述第一互连结构和所述第二互连结构，其中所述密封剂层包括可由激光激活的添加物；导电层，所述导电层形成于所述密封剂层中，其中所述导电层互连所述半导体组件的第一互连结构和第二互连结构；其中所述导电层是通过使用激光图案化激活所述密封剂层的添加物作为籽晶层并随后在所述籽晶层上镀层而形成的；以及外层，所述外层形成于所述密封剂层上以覆盖所述导电层。
4、应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图说明了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
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1.一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述外层是再分布层；所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述外层是外密封剂层，所述外密封剂层包括可由激光激活的添加物；所述方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述导电通孔的开口通过激光烧蚀形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的接触焊盘。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的再分布层上的导电结构。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是形成
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述外层是再分布层；所述半导体器件还包括导电通孔，所述导电通孔在所述密封剂层中，所述导电通孔电耦合到所述多个连接结构。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，其中所述外层是外密封剂层，所述外密封剂层包括可由激光激活的添加物；所述半导体器件还包括导电通孔，所述导电通孔在所述密封剂层和所述外密封剂层中，所述导电通孔电耦合到所述多个连接结构。
11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于，所述导电通孔通过激光烧蚀和随后的导电材料填充形成。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的接触焊盘。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的再分布层上的导电结构。
14.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的一个再分布层上的导电结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述外层是再分布层；所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体组件还包括多个连接结构，所述多个连接结构电耦合到所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述外层是外密封剂层，所述外密封剂层包括可由激光激活的添加物；所述方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述导电通孔的开口通过激光烧蚀形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的接触焊盘。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是分别形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的再分布层上的导电结构。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构是形成在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上的一个再分布层上的导电结构。
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑珍熙，金昌伍，李喜秀，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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