System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种医用钴基合金氮元素控制方法技术_技高网

一种医用钴基合金氮元素控制方法技术

技术编号:42124960 阅读:4 留言:0更新日期:2024-07-25 00:41
本发明专利技术公开一种医用钴基合金氮元素控制方法。本发明专利技术在合金熔化过程中,加入氮化铬中间合金,在合金中引入氮元素,通过控制氮化铬的含量来确保合金中氮元素的精确控制,表面活性剂的引入有助于提高氮元素在合金中的分散度,等离子体增强化学气相沉积则能够形成更均匀、致密的氮化层,有助于提高合金的表面硬度、耐磨性和腐蚀抗性,更好地控制氮元素的分布,能够更精细地控制合金的微观结构,提高合金的强度、韧性和疲劳寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钴基材料,具体涉及一种医用钴基合金氮元素控制方法


技术介绍

1、钴铬钼合金是一种以钴为基体,辅以铬和钼合金化,合金中虽然加入较多的合金元素,但其仍保持钴的晶体结构特征(高温为面心立方结构,而中低温转变为密排六方结构),应用于人体的生物变形结构材料,钴铬钼合金中马氏体的存在,极大地提高了合金的变形难度,严重影响该合金的应用。

2、在公开号为cn 106011542 a的中国专利中,提到了一种医用全奥氏体钴铬钼合金,按质量百分比包括如下组分:铬26-33份、钼4.5-7.5份、氮0.08-0.25份、余量为钴和杂质。本专利技术还公开了医用全奥氏体钴铬钼合金的制备方法是在1490~1600℃的条件下熔炼得到液态合金,凝固冷却至1050℃~1250℃保温2.5~3小时后空冷得到全奥氏体钴基合金铸锭。本专利技术的目的是提供可锻造、可热处理、非磁性的全奥氏体钴基合金,尽管上述方案有益效果诸多,但是该方案中,氮元素添加含量难以精确控制,其制成的钴基合金中氮化层分布不均匀,从而导致合金的性能不理想,存在局限性。

3、因此,亟待一种医用钴基合金氮元素控制方法,用以解决上述问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种医用钴基合金氮元素控制方法,本方法中氮元素添加量精确控制,制备得到的钴基合金中氮化层分布均匀,合金的表面硬度、耐磨性和腐蚀抗性俱佳,从而导致合金的性能优越。

2、为实现上述目的,本专利技术所述一种医用钴基合金氮元素控制方法,包括以下步骤:

3、s1、合金准备,将纯度大于99.9%以上的钴、钼和铬合金以及氮化铬中间合金,置于真空感应加热炉中,其中合金含量以质量份数计:钼 5-8份、铬31-38份、钴54-64份;

4、s2、合金熔炼,先将真空感应加热炉抽至真空,使其内部真空度低于10-2kpa,启动真空感应加热炉,对钴、钼和铬合金进行加热,加热温度为1500℃~1700℃,使得合金熔化;

5、s3、引入氮元素,在合金熔化过程中,控制反应温度,反应温度为1300℃~1500℃,加入氮化铬中间合金,在合金中引入氮元素,所述氮含量在1450~1500ppm;

6、s4、氮元素分散,在合金熔炼过程中,加入表面活性剂,确保均匀涂覆在合金表面,表面活性剂为阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和两性表面活性剂中的一种或多种,提高氮元素在合金中的分散度,增强其均匀性;

7、s5、等离子体增强化学气相沉积,在表面活性剂处理后,引入等离子体增强氮气,并进行氮化层的沉积,通过等离子体生成的活性物种,实现更均匀、致密的氮化层,随后进行热处理,进一步改善合金的性能;

8、s6、均匀冷却,待合金熔化均匀后,将合金钢液倒入铸模,进行冷却凝固,得到医用钴基合金。

9、所述合金中总氮含量计算如下:

10、

11、其中c表示合金中氮含量百分比,mn表示氮的质量,ma表示合金的总质量,控制氮含量在1450~1500ppm。

12、所述s2中合金熔炼时间为40~50min。

13、所述s3中反应时间为5~8h。

14、所述表面活性剂与合金的质量比为2-5:100。

15、所述阳离子表面活性剂为十二烷基三甲基氯化氨、十二烷基二甲基苄基氯化氨和双十二烷基二甲基氯化氨;

16、所述阴离子表面活性剂如油酸钠、烷基琥珀酸酐钠盐,椰子油酸钠;

17、所述两性表面活性剂如椰油酰胺丙基甜菜碱、十二烷基甜菜碱、十二烷基二甲基氧化氨。

18、所述s5中热处理表示为:

19、

20、其中q为热处理过程中吸收的热量,c为热处理物料的热容量,m是合金的质量,δt是热处理温度的变化。

21、所述s5中氮化层的沉积速率为:

22、

23、其中dr为沉积速率,ct是沉积层厚度,dt是沉积时间。

24、本专利技术所述一种医用钴基合金氮元素控制装置,包括:

25、真空感应炉,所述真空感应炉内含有中频熔炼炉,为氧化铝或者氧化镁坩埚,用于承载合金;

26、加料口,用于添加合金到中频熔炼炉中;

27、表面活性剂处理装置,用于在合金表面引入表面活性剂,控制表面活性剂的浓度、温度和处理时间;

28、等离子体增强化学气相沉积装置,用于沉积更均匀、致密的氮化层,控制反应条件,控制气氛、气体流量、等离子体功率和反应温度;

29、流体控制系统,用于控制表面活性剂处理和等离子体增强化学气相沉积,精确控制液体或气体的流量。

30、本专利技术所述一种医用钴基合金氮元素控制方法,其有益效果在于:本专利技术方法在合金熔化过程中,加入氮化铬中间合金,在合金中引入氮元素,通过控制氮化铬的含量来确保合金中氮元素的精确控制,表面活性剂的引入有助于提高氮元素在合金中的分散度,等离子体增强化学气相沉积则能够形成更均匀、致密的氮化层,有助于提高合金的表面硬度、耐磨性和腐蚀抗性,更好地控制氮元素的分布,能够更精细地控制合金的微观结构,提高合金的强度、韧性和疲劳寿命。

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【技术保护点】

1.一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述合金中总氮含量计算如下:

3.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述S2中合金熔炼时间为40~50min。

4.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述S3中反应时间为5~8h。

5.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述阳离子表面活性剂为十二烷基三甲基氯化氨、十二烷基二甲基苄基氯化氨和双十二烷基二甲基氯化氨;

6.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述表面活性剂与合金的质量比为2-5:100。

7.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述S5中热处理表示为:

8.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:S5中氮化层的沉积速率为:

【技术特征摘要】

1.一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述合金中总氮含量计算如下:

3.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述s2中合金熔炼时间为40~50min。

4.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮元素控制方法,其特征在于:所述s3中反应时间为5~8h。

5.根据权利要求1所述的一种医用钴基合金氮...

【专利技术属性】
技术研发人员:马玉天程少逸王江张东马磊邓洪民周华陈韩锋卢苏君周文政陈旭军杜辰宇
申请(专利权)人:金川镍钴研究设计院有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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