【技术实现步骤摘要】
本公开属于射频，具体涉及一种应用于n79频段的子带滤波电路及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、在移动通信领域，因为分配下来总的可用频率范围较窄，且用于移动通信的频段较多，相邻频段间的间距很窄(约几兆赫兹至几十兆赫兹)、单个频段的带宽很窄(几十兆赫兹)，要求用于手机中的滤波器必须具备带内波纹小、带外抑制大、矩形度好的性能特征。常规的微带滤波器体积较大、带外抑制不够大、矩形度差，无法对应；腔体滤波器体积很大，无法对应；介质滤波器带内插损较大、矩形度差，无法对应；ipd滤波器带内波纹大、矩形度较差，无法对应。
2、体声波谐振器作为体声波滤波器的基本构成结构单元，现有的体声波谐振器采用硅晶圆作为衬底材料，其上采用三明治结构自下而上为第一电极、压电材料、第二电极。工作原理是射频信号从谐振器一端的电极传入，然后在压电材料与金属电极的界面处通过逆压电效应转换成机械振动的声波信号，该声波信号在第一电极、压电材料、第二电极的三明治结构中形成谐振的具有一定频率的驻波，射频信号的频率与谐振器的谐振频率相等，声波信号传至谐振器另一端的电极处，在金属电极与压电材料的界面处再通过压电效应将声波信号转换成射频信号。谐振器具有固定的谐振频率，当射频信号的频率等于谐振器的谐振频率时，射频信号→声波信号→射频信号的转换效率高；当射频信号的频率不等于谐振器的谐振频率时，射频信号→声波信号→射频信号的转换效率很低，绝大部分的射频信号均不能从谐振器传输过去，即谐振器相当于一个滤波器的功能，对射频信号进行滤波。
技术实现思路b>
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种应用于n79频段的子带滤波电路及其制备方法、电子设备。
2、本公开实施例提供一种应用于n79频段的子带滤波电路，其包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；所述第一体声波谐振器包括第一介质基板和设置在所述第一介质基板上的第一信号转换模块；所述第二体声波谐振器包括第二介质基板和设置在所述第二介质基板上的第二信号转换模块；其中，
3、所述第一信号转换模块沿所述第一介质基板厚度方向的厚度，与所述第二信号转换模块沿所述第二介质基板厚度方向的厚度不同。
4、其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一槽部和第一支撑层；所述第一槽部贯穿第一表面，所述第一支撑层设置在所述第一表面，所述第一信号转换模块设置在所述第一支撑层背离所述介质基板的一侧；所述第一支撑层在所述第二表面所在平面的正投影覆盖所述第一槽部在所述第二表面所在平面的正投影；
5、所述第二体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第二槽部和第二支撑层；所述第二槽部均贯穿所述第一表面，所述第二支撑层设置在所述第一表面，所述第二信号转换模块设置在所述第二支撑层背离所述介质基板的一侧；所述第二支撑层在所述第二表面所在平面的正投影覆盖所述第二槽部在所述第二表面所在平面的正投影。
6、其中，所述第一信号转换模块包括沿背离所述第一支撑层一侧依次设置的第一电极、第一压电层和第二电极；所述第二信号转换模块包括沿背离所述第二支撑层一侧依次设置的第三电极、第二压电层和第四电极；所述第二电极和所述第四电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度不同。
7、其中，所述第一电极和所述第三电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度相同；和/或，所述第一压电层和所述第二压电层在沿所述介质基板厚度方向的厚度相同。
8、其中，所述第一信号转换模块包括沿背离第一支撑层一侧依次设置的第一电极、第一压电层、第二电极和第一频率补偿层；所述第二信号转换模块包括沿背离所述第二支撑层一侧依次设置的第三电极、第二压电层、第四电极和第二频率补偿层；所述第一频率补偿层和所述第二频率补偿层在沿所述介质基板厚度方向上的厚度不同。
9、其中，所述第一信号转换模块和所述第二信号转换模块满足以下条件至少之一：
10、所述第一电极和所述第三电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度相同；
11、所述第一压电层和所述第二压电层在沿所述介质基板厚度方向的厚度相同；
12、所述第二电极和所述第四电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度相同。
13、其中，所述第一体声波谐振器还包括设置在所述第一支撑层和所述第一表面之间的第一温度补偿层；所述第二体声波谐振器还包括设置在和所述第二支撑层和所述第一表面之间的第二温度补偿层。
14、其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一腔体；所述第二体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第二腔体；所述第一信号转换模块设置在所述第一表面，且在所述第二表面所在平面上的正投影覆盖所述第一腔体在所述第二表面所在平面上的正投影；所述第二信号转换模块设置在所述第一表面，且在所述第二表面所在平面上的正投影覆盖所述第二腔体在所述第二表面所在平面上的正投影。
15、其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括设置在所述第一表面和所述第一信号转换模块之间的至少一层第一反射镜结构；所述第二体声波谐振器还包括设置在所述第一表面和所述第二信号转换模块之间的至少一层第二反射镜结构；所述第一反射镜结构和所述第二反射镜结构均包括沿背离所述介质基板方向依次设置的第一子结构层和第二子结构层，且所述第一子结构层的材料的声阻抗大于第二子结构层的材料的声阻抗。
16、本公开实施例还提供一种应用于n79频段的子带滤波电路的制备方法，所述子带滤波电路包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；其中，所述制备方法包括形成所述第一体声波谐振器和第二体声波谐振器的步骤；
17、形成所述第一体声波谐振器的步骤包括在第一介质基板上形成第一信号转换模块；形成所述第二体声波谐振器的步骤包括在第二介质基板上形成第二信号转换模块；其中，
18、所述第一信号转换模块沿所述第一介质基板厚度方向的厚度，与所述第二信号转换模块沿所述第二介质基板厚度方向的厚度不同。
19、其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种应用于N79频段的子带滤波电路，其包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；所述第一体声波谐振器包括第一介质基板和设置在所述第一介质基板上的第一信号转换模块；所述第二体声波谐振器包括第二介质基板和设置在所述第二介质基板上的第二信号转换模块；其中，
2.根据权利要求1所述的子带滤波电路，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一槽部和第一支撑层；所述第一槽部贯穿第一表面，所述第一支撑层设置在所述第一表面，所述第一信号转换模块设置在所述第一支撑层背离所述介质基板的一侧；所述第一支撑层在所述第二表面所在平面的正投影覆盖所述第一槽部在所述第二表面所在平面的正投影；
3.根据权利要求2所述的子带滤波电路，其中，
4.根据权利要求3所述的子带滤波电路，其中，所述第一电极和所述第三电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度相同；和/或，所述第一压电层和所述第二压电层在沿所述介质基板厚度方向的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的子带滤波电路，其中，所述第一信号转换模块包括沿背离第一支撑层一侧依次设置的第一电极、第一压电层、第二电极和第一频率补偿层；所述第二信号转换模块包括沿背离所述第二支撑层一侧依次设置的第三电极、第二压电层、第四电极和第二频率补偿层；所述第一频率补偿层和所述第二频率补偿层在沿所述介质基板厚度方向上的厚度不同。
6.根据权利要求5所述的子带滤波电路，其中，所述第一信号转换模块和所述第二信号转换模块满足以下条件至少之一：
7.根据权利要求3-6中任一项所述的子带滤波电路，其中，所述第一体声波谐振器还包括设置在所述第一支撑层和所述第一表面之间的第一温度补偿层；所述第二体声波谐振器还包括设置在和所述第二支撑层和所述第一表面之间的第二温度补偿层。
8.根据权利要求1所述的子带滤波电路，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一腔体；所述第二体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第二腔体；所述第一信号转换模块设置在所述第一表面，且在所述第二表面所在平面上的正投影覆盖所述第一腔体在所述第二表面所在平面上的正投影；所述第二信号转换模块设置在所述第一表面，且在所述第二表面所在平面上的正投影覆盖所述第二腔体在所述第二表面所在平面上的正投影。
9.根据权利要求1所述的子带滤波电路，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括设置在所述第一表面和所述第一信号转换模块之间的至少一层第一反射镜结构；所述第二体声波谐振器还包括设置在所述第一表面和所述第二信号转换模块之间的至少一层第二反射镜结构；所述第一反射镜结构和所述第二反射镜结构均包括沿背离所述介质基板方向依次设置的第一子结构层和第二子结构层，且所述第一子结构层的材料的声阻抗大于第二子结构层的材料的声阻抗。
10.一种应用于N79频段的子带滤波电路的制备方法，所述子带滤波电路包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；其中，所述制备方法包括形成所述第一体声波谐振器和第二体声波谐振器的步骤；
11.根据权利要求10所述的子带滤波电路的制备方法，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；
12.根据权利要求11所述的子带滤波电路的制备方法，其中，形成所述第一信号转换模块的步骤包括：沿背离所述第一支撑层一侧依次形成第一电极、第一压电层和第二电极；形成所...
【技术特征摘要】
1.一种应用于n79频段的子带滤波电路，其包括至少一条第一支路和至少一条第二支路；所述第一支路的第一端和第二端分别作为射频输入端和射频输出端，且在所述第一支路上配置有至少一个第一体声波谐振器；所述第二支路的第一端与所述第一支路电连接，第二端连接参考电源端，且所述第二支路上配置有至少一个第二体声波谐振器；所述第一体声波谐振器包括第一介质基板和设置在所述第一介质基板上的第一信号转换模块；所述第二体声波谐振器包括第二介质基板和设置在所述第二介质基板上的第二信号转换模块；其中，
2.根据权利要求1所述的子带滤波电路，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一槽部和第一支撑层；所述第一槽部贯穿第一表面，所述第一支撑层设置在所述第一表面，所述第一信号转换模块设置在所述第一支撑层背离所述介质基板的一侧；所述第一支撑层在所述第二表面所在平面的正投影覆盖所述第一槽部在所述第二表面所在平面的正投影；
3.根据权利要求2所述的子带滤波电路，其中，所述第一信号转换模块包括沿背离所述第一支撑层一侧依次设置的第一电极、第一压电层和第二电极；所述第二信号转换模块包括沿背离所述第二支撑层一侧依次设置的第三电极、第二压电层和第四电极；所述第二电极和所述第四电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度不同。
4.根据权利要求3所述的子带滤波电路，其中，所述第一电极和所述第三电极在沿所述介质基板厚度方向上的厚度相同；和/或，所述第一压电层和所述第二压电层在沿所述介质基板厚度方向的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的子带滤波电路，其中，所述第一信号转换模块包括沿背离第一支撑层一侧依次设置的第一电极、第一压电层、第二电极和第一频率补偿层；所述第二信号转换模块包括沿背离所述第二支撑层一侧依次设置的第三电极、第二压电层、第四电极和第二频率补偿层；所述第一频率补偿层和所述第二频率补偿层在沿所述介质基板厚度方向上的厚度不同。
6.根据权利要求5所述的子带滤波电路，其中，所述第一信号转换模块和所述第二信号转换模块满足以下条件至少之一：
7.根据权利要求3-6中任一项所述的子带滤波电路，其中，所述第一体声波谐振器还包括设置在所述第一支撑层和所述第一表面之间的第一温度补偿层；所述第二体声波谐振器还包括设置在和所述第二支撑层和所述第一表面之间的第二温度补偿层。
8.根据权利要求1所述的子带滤波电路，其中，所述第一介质基板和所述第二介质基板为一体结构的介质基板；所述介质基板包括包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述第一体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第一腔体；所述第二体声波谐振器还包括形成在所述介质基板上的第二腔体；所述第一信号转换...
【专利技术属性】
技术研发人员：王熙元，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。