【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及继电器，尤其涉及一种低漏电继电器。
技术介绍
1、用于高阻测量、辐射测量、真空度测量、质谱计等直流电流测量的原理电路主要有电阻式电流电压转换测量原理电路与电容式电流电压转换测量原理电路。如图1所示，电阻式电流电压转换器包括静电运算放大器和高值电阻，测量微小电流时高值电阻的阻值可达100gω甚至更高。为实现量程切换，通常需要在电路中设置继电器，通过数字接口产生的控制电信号，通过驱动隔离电路到达继电器，控制继电器的开闭，实现高值电阻总阻值的切换。
2、在上述电路中，为确保测量结果的准确性，通常要求接入电路的继电器具有低漏电特性和电磁屏蔽特性，以避免继电器中线包两端的与继电器通道间存在的电势差导致漏电流的产生，对高精度测量造成干扰。
3、因此，现有技术中的微弱电流测量或产生设备中，采用具有干簧管的高绝缘继电器作为通道开关，利用继电器本身线圈与通道间的绝缘性实现低漏电回路。但是干簧管存在接触电势大、价格成本高等问题，不能完全满足现有微弱电流测量或产生设备的使用要求。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种的低漏电继电器，解决了继电器线包与继电器通道间存在漏电流的问题，具有控制可靠、稳定性高、价格成本低的特点。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种低漏电继电器，包括继电器，还包括：
3、驱动器，其输入端与控制信号源电连接；
4、电容隔离电路，其一端与继电器的线包的第
5、所述线包的第二端接地。
6、根据本专利技术的一个技术方案，所述电容隔离电路包括第一隔离电容，所述第一隔离电容串联在所述驱动器和所述线包之间。
7、根据本专利技术的一个技术方案，所述继电器为单线圈磁保持线圈继电器，所述继电器的壳体上设有第一线包管脚和第二线包管脚；所述线包设置在所述继电器内，所述线包的两端分别与所述第一线包管脚和第二线包管脚连接，所述第二线包管脚接地。
8、根据本专利技术的一个技术方案，所述电容隔离电路包括：
9、第一隔离电路，包括第二隔离电容、第一二极管和第一mos管和第一电源，所述第一mos管为p沟道mos管，所述第二隔离电容的第一端与所述驱动器的输出端连接，所述第一二极管的正极与所述第二隔离电容的第二端连接，所述第一mos管的栅极与所述第二隔离电容的第二端连接，所述第一mos管的源极与所述第一二极管的负极连接，第一mos管的漏极与所述线包的第一端连接；所述第一电源的负极接地，所述第一电源的正极与所述第一mos管的源极连接；
10、第二隔离电路，包括第三隔离电容、第二二极管、第二mos管和第二电源，所述第二mos管为n道沟mos管，所述第三隔离电容的第一端与所述驱动器的输出端连接，所述第二二极管的负极与所述第三隔离电容的第一端连接，所述第二mos管的栅极与所述第三隔离电容的第二端连接，所述第二mos管的源极与所述第二二极管的正极连接，第二mos管的漏极与所述线包的第一端连接；所述第二电源的正极接地，所述第二电源的负极与所述第二mos管的源极连接。
11、根据本专利技术的一个技术方案，所述电容隔离电路还包括第一栅极电阻和第二栅极电阻，所述第一栅极电阻的两端分别与所述第一mos管的栅极和源极连接；所述第二栅极电阻的两端分别与所述第一mos管的栅极和源极连接。
12、本专利技术与现有技术相比，具有如下有益效果：
13、本专利技术提出了一种低漏电继电器，采用普通磁保持继电器替代进口高绝缘继电器，同时通过电容隔离电路驱动普通磁保持继电器，只需要通过2ms的电容放电脉冲尖峰即可实现继电器线包的驱动，实现继电器的断开和闭合控制，完成电路量程切换。电容隔离电路中设置隔离电容，通过隔离电容的充放电，消除了继电器线包两端的电势差，使继电器断开动作时线包与继电器通道间无电势差，进而避免了继电器线包和继电器通道之间泄漏电流的产生，解决了微弱电流检测过程中继电器漏电流的产生干扰检测准确性的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低漏电继电器，包括继电器(100)，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的低漏电继电器，其特征在于，所述电容隔离电路包括第一隔离电容，所述第一隔离电容串联在所述驱动器(200)和所述线包(109)之间。
3.根据权利要求1所述的低漏电继电器，其特征在于，所述继电器(100)为单线圈磁保持线圈继电器，所述继电器(100)的壳体上设有第一线包管脚和第二线包管脚；所述线包(109)设置在所述继电器(100)内，所述线包(109)的两端分别与所述第一线包管脚和第二线包管脚连接，所述第二线包管脚接地。
4.根据权利要求3所述的低漏电继电器，其特征在于，所述电容隔离电路(300)包括：
5.根据权利要求4所述的低漏电继电器，其特征在于，所述电容隔离电路(300)还包括第一栅极电阻(307)和第二栅极电阻(308)，所述第一栅极电阻(307)的两端分别与所述第一MOS管(303)的栅极和源极连接；所述第二栅极电阻(308)的两端分别与所述第一MOS管(303)的栅极和源极连接。
【技术特征摘要】
1.一种低漏电继电器，包括继电器(100)，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的低漏电继电器，其特征在于，所述电容隔离电路包括第一隔离电容，所述第一隔离电容串联在所述驱动器(200)和所述线包(109)之间。
3.根据权利要求1所述的低漏电继电器，其特征在于，所述继电器(100)为单线圈磁保持线圈继电器，所述继电器(100)的壳体上设有第一线包管脚和第二线包管脚；所述线包(109)设置在所述继电器(100)内，所述线包(109)的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑尚铭，刘杰强，佟亚珍，
申请(专利权)人：北京东方计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。