System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线制造技术_技高网

去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线制造技术

技术编号:42120033 阅读:35 留言:0更新日期:2024-07-25 00:38
本申请涉及一种去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线。去耦隔离件包括依次连接的多个隔离单元。各个隔离单元设置成非封闭式的谐振环,谐振环沿着其电流传输路径的长度L为去耦抑制频段的中心频点波长的0.15倍~0.65倍。一方面,在去耦隔离件的尺寸较大时,能实现优化特定频段第一辐射单元的隔离度;另一方面,各个隔离单元设置成非封闭式的谐振环,且谐振环的长度L根据去耦抑制频段的中心频点波长来相应设置,能实现去耦抑制频段辐射单元的辐射方向图具有透射效果,在多频段阵列天线小型化应用时,能够提升特定频段电路指标同时减少对去耦抑制频段辐射单元的辐射方向图的影响,能解决多频段多阵列天线小型化时的电路调试难度大问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及移动通信,特别是涉及一种去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线


技术介绍

1、多频段天线阵列的小型化和集成化已经成为天线行业的发展趋势。当不同频段的多个阵列高度集成时,面临着严重电磁耦合的影响。基于此,有在第一辐射单元上增设隔离件,隔离件能用于提高特定频段的隔离度,从而减小电磁耦合量,以提升天线性能。然而,隔离件例如因为自身尺寸较大,将会对其他频段的辐射指标和电路指标的影响极其严重。尤其是特定频段例如为低频频段,其他频段例如为高频频段,为了能较好地提高低频频段隔离度,隔离件的尺寸通常较大,然而会使得对高频频段的第一辐射单元产生一定的辐射干扰,导致较高频段的天线增益、波束宽度、驻波、隔离等各项指标严重恶化。


技术实现思路

1、基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线,它能够优化特定频段的隔离度同时减弱本身的存在导致其他频段天线方向图以及电路的不良影响,能实现天线小型化及集成化。

2、一种去耦隔离件,用于设置于特定频段的两个第一子阵列之间或者设置于特定频段的第一子阵列中的任意相邻两个第一辐射单元之间,所述去耦隔离件包括依次连接的多个隔离单元;各个所述隔离单元设置成非封闭式的谐振环,所述谐振环沿着其电流传输路径的长度l为去耦抑制频段的中心频点波长的0.15倍~0.65倍。

3、在其中一个实施例中,所述去耦隔离件沿所述隔离单元排布方向上的长度s为所述去耦抑制频段的中心频点波长的0.35倍~1.25倍。

4、在其中一个实施例中,全部所述隔离单元呈直线f依次排列。

5、在其中一个实施例中,所述谐振环包括主体部,所述主体部形成有缺口,所述主体部的轮廓形状设置为矩形、半圆形或半椭圆形。

6、在其中一个实施例中,所述谐振环包括形成有缺口的主体部及与所述主体部的端部相连的延伸部,所述延伸部位于所述主体部围合的区域内部。

7、在其中一个实施例中,所述延伸部包括直线段、弧线段及折线段中的一种或多种组合。

8、在其中一个实施例中,全部所述隔离单元设置为钣金件或压铸件;或者,全部所述隔离单元设置为电路板。

9、在其中一个实施例中,所述去耦隔离件还包括绝缘支撑件,全部所述隔离单元连接于所述绝缘支撑件上。

10、一种多频段天线阵列,所述多频段天线阵列包括至少一个所述的去耦隔离件,所述去耦隔离件设置于特定频段的两个第一子阵列之间或者设置于特定频段的第一子阵列中的任意相邻两个第一辐射单元之间。

11、在其中一个实施例中,两个所述第一子阵列之间依次间隔地布置有多个所述去耦隔离件;和/或,所述去耦隔离件沿两个所述第一子阵列之间的轴线布置。

12、在其中一个实施例中,各个所述第一子阵列的任意相邻两个所述第一辐射单元之间设置有至少一个所述去耦隔离件。

13、在其中一个实施例中,所述隔离单元与所述第一辐射单元的辐射面平行设置或呈夹角设置。

14、一种基站天线,所述基站天线包括所述的多频段天线阵列。

15、上述的去耦隔离件、多频段天线阵列及基站天线,一方面,在去耦隔离件的尺寸较大时,能实现优化特定频段第一辐射单元的隔离度;另一方面,由于包括依次连接的多个隔离单元,各个隔离单元设置成非封闭式的谐振环,且谐振环的长度l根据去耦抑制频段的中心频点波长进行灵活调整与设置,能实现去耦抑制频段辐射单元的辐射方向图具有透射效果,在多频段阵列天线小型化应用时,能够提升特定频段电路指标同时减少对去耦抑制频段辐射单元的辐射方向图的影响,能解决多频段多阵列天线小型化时的电路调试难度大问题。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去耦隔离件,其特征在于,用于设置于特定频段的两个第一子阵列之间或者设置于特定频段的第一子阵列中的任意相邻两个第一辐射单元之间,所述去耦隔离件包括依次连接的多个隔离单元;各个所述隔离单元设置成非封闭式的谐振环,所述谐振环沿着其电流传输路径的长度L为去耦抑制频段的中心频点波长的0.15倍~0.65倍。

2.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述去耦隔离件沿所述隔离单元排布方向上的长度S为所述去耦抑制频段的中心频点波长的0.35倍~1.25倍。

3.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,全部所述隔离单元呈直线f依次排列。

4.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述谐振环包括主体部,所述主体部形成有缺口,所述主体部的轮廓形状设置为矩形、半圆形或半椭圆形。

5.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述谐振环包括形成有缺口的主体部及与所述主体部的端部相连的延伸部,所述延伸部位于所述主体部围合的区域内部。

6.根据权利要求5所述的去耦隔离件,其特征在于,所述延伸部包括直线段、弧线段及折线段中的一种或多种组合。

7.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,全部所述隔离单元设置为钣金件或压铸件;或者,全部所述隔离单元设置为电路板。

8.根据权利要求1至7任一项所述的去耦隔离件,其特征在于,所述去耦隔离件还包括绝缘支撑件,全部所述隔离单元连接于所述绝缘支撑件上。

9.一种多频段天线阵列,其特征在于,所述多频段天线阵列包括至少一个如权利要求1至8任一项所述的去耦隔离件,所述去耦隔离件设置于特定频段的两个第一子阵列之间或者设置于特定频段的第一子阵列中的任意相邻两个第一辐射单元之间。

10.根据权利要求9所述的多频段天线阵列,其特征在于,两个所述第一子阵列之间依次间隔地布置有多个所述去耦隔离件;和/或,所述去耦隔离件沿两个所述第一子阵列之间的轴线布置。

11.根据权利要求9所述的多频段天线阵列,其特征在于,各个所述第一子阵列的任意相邻两个所述第一辐射单元之间设置有至少一个所述去耦隔离件。

12.根据权利要求9所述的多频段天线阵列,其特征在于,所述隔离单元与所述第一辐射单元的辐射面平行设置或呈夹角设置。

13.一种基站天线,其特征在于,所述基站天线包括如权利要求9至12任一项所述的多频段天线阵列。

...

【技术特征摘要】

1.一种去耦隔离件,其特征在于,用于设置于特定频段的两个第一子阵列之间或者设置于特定频段的第一子阵列中的任意相邻两个第一辐射单元之间,所述去耦隔离件包括依次连接的多个隔离单元;各个所述隔离单元设置成非封闭式的谐振环,所述谐振环沿着其电流传输路径的长度l为去耦抑制频段的中心频点波长的0.15倍~0.65倍。

2.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述去耦隔离件沿所述隔离单元排布方向上的长度s为所述去耦抑制频段的中心频点波长的0.35倍~1.25倍。

3.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,全部所述隔离单元呈直线f依次排列。

4.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述谐振环包括主体部,所述主体部形成有缺口,所述主体部的轮廓形状设置为矩形、半圆形或半椭圆形。

5.根据权利要求1所述的去耦隔离件,其特征在于,所述谐振环包括形成有缺口的主体部及与所述主体部的端部相连的延伸部,所述延伸部位于所述主体部围合的区域内部。

6.根据权利要求5所述的去耦隔离件,其特征在于,所述延伸部包括直线段、弧线段及折线段中的一种或多种组合。

7.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾飞飞于洋吴立曹杨长城孙善球
申请(专利权)人:京信通信技术广州有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1