【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶制造，尤其涉及一种用于单晶炉的导流筒和单晶炉。
技术介绍
1、目前，cz法生产硅单晶棒所使用的热场结构包括保温部分、坩埚支撑部分及热量供给部分等。其中热场部件中的导流筒成功导入到生产中，大幅度提高了单晶晶棒的生产效率。
2、在相关技术中，在单晶晶棒生产过程中导流筒主要有以下几点作用：
3、第一、导流筒为内外夹层结构，中间使用石墨软毡填充，安放在热场上部，对整个单晶硅拉制热场起到保温作用，避免热量的大幅流失，降低了生产功耗。
4、第二、导流筒口径根据所生产的单晶晶棒尺寸，设计为从上到下口径逐渐缩小的结构，炉台保护气体从炉台上部进入单晶炉后，在导流筒的引导下，大部分吹到长晶界面，带走炉台熔硅和石英坩埚的反应物、熔硅挥发物等的同时改变了长晶界面的温度梯度，另外进一步带走熔硅表面的氧气氛。
5、第三、单晶晶棒从液面生长出来后第一时间进入导流筒内部，再经导流筒逐步向上拉制，在这个过程中，单晶晶棒进入导流筒后，由于导流筒的存在，阻挡了来自加热器对晶棒的热辐射，改善了生长界面的热梯度，为晶棒高生长速度提供支撑。
6、在实际生产中，通常采用降低导流筒和生长界面的距离，减少来自石英坩埚壁的热量对生长界面的辐射，达到提高晶棒生产速度的效果，但是随着导流筒也生产界面距离的降低，保护气体在导流筒和生长界面的流通空间进一步变小，导致气体流速大，对生产界面的吹拂力增加，最终容易导致生长界面的熔硅内部对流发生改变，导致晶棒拉制困难、断线率高，进而导致生产效率降低。
【技术保护点】
1.一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述导流筒包括侧壁部和连接在所述侧壁部底部的底壁部，所述侧壁部环绕所述底壁部设置，所述底壁部形成有通孔，所述底壁部的底部形成有若干沿所述通孔的周向方向排列的分流孔，若干所述分流孔环绕所述通孔设置，所述分流孔沿所述底壁部延伸贯穿所述底壁部的外侧面。
2.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，若干所述分流孔所述通孔的周向方向均匀间隔设置。
3.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线相对于水平面向上倾斜设置。
4.根据权利要求3所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线与水平面之间的夹角为10°-30°。
5.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述底壁部包括倾斜段和弧形过渡段，所述倾斜段通过所述弧形过渡段与所述侧壁部连接，所述底壁部相对所述侧壁部向所述侧壁部的内侧倾斜设置，所述分流孔沿与所述倾斜段平行的方向延伸且贯穿所述弧形过渡段的外壁面。
6.根据权利要求5所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述倾斜段与水平面
7.根据权利要求5所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述底壁部还包括与所述倾斜段连接的平直段，所述平直段与水平面平行，所述平直段形成有所述通孔，所述分流孔的一端贯穿所述平直段的底部。
8.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述导流筒还包括设置在所述侧壁部顶部外侧的连接部，所述连接部上形成有安装孔。
9.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔为圆形孔或者方形孔。
10.一种单晶炉，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述导流筒包括侧壁部和连接在所述侧壁部底部的底壁部，所述侧壁部环绕所述底壁部设置，所述底壁部形成有通孔，所述底壁部的底部形成有若干沿所述通孔的周向方向排列的分流孔，若干所述分流孔环绕所述通孔设置，所述分流孔沿所述底壁部延伸贯穿所述底壁部的外侧面。
2.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，若干所述分流孔所述通孔的周向方向均匀间隔设置。
3.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线相对于水平面向上倾斜设置。
4.根据权利要求3所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线与水平面之间的夹角为10°-30°。
5.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述底壁部包括倾斜段和弧形过渡段，所述倾斜段通过所述弧...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘军明，张骏凯，张镇磊，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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