【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种标准单元、半导体结构和存储器。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，存储器逐渐向着小型化发展。目前，标准单元版图模板的面积仍然较大，影响了存储器的进一步发展。
技术实现思路
1、本公开提供了一种标准单元、半导体结构和存储器。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种标准单元，所述标准单元包括：
3、多个底层连接结构；
4、多个中间连接结构，且所述中间连接结构沿第二方向延伸；
5、多个第一层连接结构，且所述第一层连接结构沿第一方向延伸；
6、其中，所述标准单元应用于半导体结构，且所述半导体结构包括电容层，所述底层连接结构沿第三方向的最高处不高于述电容层沿第三方向的最低处；所述中间连接结构沿第三方向的最低处高于所述电容层沿第三方向的最低处，且所述中间连接结构沿第三方向的最高处不高于所述电容层沿第三方向的最高处；所述第一层连接结构沿第三方向的最低处高于所述电容层沿第三方向的最高处，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向垂直。
7、在一些实施例中，所述底层连接结构与所述第一层连接结构通过连接孔实现连接；或者，所述底层连接结构与所述中间连接结构通过连接孔实现连接，所述中间连接结构与所述第一层连接结构通过连接孔实现连接，以实现所述底层连接结构与所述第一层连接结构之间的连接。
8、在一些实施例中，所述标准单元还包括：
9、第一有源区和位于所述第一有源区正上方的第一栅极结
10、第二有源区和位于所述第二有源区正上方的第二栅极结构；其中，所述第二栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第一有源区和所述第二有源区沿第二方向排列；其中，所述第二方向和所述第三方向垂直；
11、其中，所述第一有源区的所在层、所述第一栅极结构的所在层、所述底层连接结构的所在层、所述中间连接结构的所在层和所述第一层连接结构的所在层沿第三方向依次排列；所述第二有源区和所述第一有源区位于同一层，所述第二栅极结构和所述第一栅极结构位于同一层。
12、在一些实施例中，所述底层连接结构沿第一方向或第二方向延伸。
13、在一些实施例中，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
14、在第二方向上，第1类所述中间连接结构的投影与所述第一有源区的投影至少存在部分重合；
15、在第二方向上，第2类所述中间连接结构的投影位于所述第一有源区的投影和所述第二有源区的投影之间；
16、在第二方向上，第3类所述中间连接结构的投影与所述第二有源区的投影至少存在部分重合。
17、在一些实施例中，所述标准单元还包括：
18、沿第一方向延伸的中间短接结构；
19、其中，所述中间短接结构与所述中间连接结构位于同一层；在第二方向上，所述中间短接结构位于所述第一有源区和所述第二有源区的之间。
20、在一些实施例中，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
21、在第二方向上，第1类所述底层连接结构位于所述第一有源区远离所述第二有源区的一侧，且第1类所述底层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
22、在第二方向上，第2类所述底层连接结构的投影与所述第一有源区的投影至少存在部分重合，且第2类所述底层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
23、在第二方向上，第3类所述底层连接结构的投影位于所述第一有源区的投影和所述第二有源区的投影之间；
24、在第二方向上，第4类所述底层连接结构的投影与所述第二有源区的投影至少存在部分重合，且第4类所述底层连接结构的投影与所述第一有源区的投影不重合；
25、在第二方向上，第5类所述底层连接结构位于所述第二有源区远离所述第一有源区的一侧，且第5类所述底层连接结构的投影与所述第一有源区的投影不重合；
26、其中，第1类和第5类所述底层连接结构均沿第一方向延伸，第2类所述底层连接结构和第4类所述底层连接结构均沿第二方向延伸，第3类所述底层连接结构沿第一方向或第二方向延伸。
27、在一些实施例中，所述底层连接结构均沿第一方向延伸。
28、在一些实施例中，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
29、在第二方向上，第1类所述中间连接结构的投影与所述第一有源区的投影至少存在部分重合，且第1类所述中间连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
30、在第二方向上，第2类所述中间连接结构的投影位于所述第一有源区的投影和所述第二有源区的投影之间；
31、在第二方向上，第3类所述中间连接结构的投影与所述第二有源区的投影至少存在部分重合，且第3类所述中间连接结构的投影与所述第一有源区的投影不重合；
32、在第二方向上，第4类所述中间连接结构的投影与所述第二有源区的投影至少存在部分重合，且第4类所述中间连接结构的投影与所述第一有源区的投影至少存在部分重合。
33、在一些实施例中，沿第一方向延伸的中间短接结构；
34、其中，所述中间短接结构与所述中间连接结构位于同一层；在第二方向上，所述中间短接结构位于所述第一有源区和所述第二有源区的之间。
35、在一些实施例中，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
36、在第二方向上，第1类所述底层连接结构位于所述第一有源区远离所述第二有源区的一侧，且第1类所述底层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
37、在第二方向上，第2类所述底层连接结构的投影位于所述第一有源区的投影和所述第二有源区的投影之间；
38、在第二方向上，第3类所述底层连接结构位于所述第二有源区远离所述第一有源区的一侧，且第1类所述底层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合。
39、在一些实施例中，所述第一层连接包括多个类别，其中：
40、在第二方向上，第1类所述第一层连接结构位于所述第一有源区远离所述第二有源区的一侧，且第1类所述第一层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
41、在第二方向上，第2类所述第一层连接结构的投影与所述第一有源区的投影至少部分重合；
42、在第二方向上，第3类所述第一层连接结构的投影位于所述第一有源区的投影和所述第二有源区的投影之间；
43、在第二方向上，第4类所述第一层连接结构位于所述第二有源区远离所述第一有源区的一侧，且第4类所述第一层连接结构的投影与所述第二有源区的投影不重合；
44、在第二方向上，第5类所述第一层连接结构的投影与所述第二有源区的投影至少部分重合。
45、在一些实施例中，所述标准单元至少是以下器件的一种：反相器、或门、或非门、与门、与非门、同或门、异或门、反熔丝单元。
46、第二方面，本公开实施例提供了一种半导体结构，该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
6.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
8.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
10.根据权利要求9所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
11.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
12.根据权利要求3-11任一项所述的标准单元，其特征在于，所述第一层连接包括多个类别，其中：
13.根据权利要
14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-13所述的标准单元。
15.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求14所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
6.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
8.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：窦心愿，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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