【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、由于对微型化电子器件和部件的需求不断增加，集成电路已发展成为复杂的2.5d和3d器件，可在单个芯片上包括数百万个晶体管、电容器和电阻器。芯片设计的发展导致了更大的电路密度，以提高集成电路的处理能力和速度。对具有更大电路密度的更快处理能力的需求对用于制造这种集成电路芯片的材料、结构和工艺提出了相应的要求。然而，除了这些朝着更高集成度和性能发展的趋势之外，还有对降低制造成本的不断追求。
2、常规地，由于易于穿过有机封装基板形成特征和连接，以及与有机复合材料相关的相对较低的封装制造成本，集成电路芯片已在有机封装基板上被制造。然而，随着电路密度的增加和电子器件的进一步小型化，由于在维持器件缩放和相关性能要求的材料结构化分辨率方面的限制，有机封装基板的利用变得不切实际。具体地，有机封装基板受到其体电阻率和传导率的限制，这两者都影响封装基板的插入损耗。
3、因此，本领域需要具有增加的体电阻率或热导率的改进的半导体封装和印刷电路板(pcb)芯组件及其形成方法。
技术实现思路
1、本公开的实施例总体涉及电子安装结构及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体封装和印刷电路板(pcb)组件及其形成方法。
2、在一个实施例中，提供了一种形成半导体器件封装的方法。所述方法通常包括将芯结构的第一侧暴露于注入工艺，以在芯结构的第一侧的表面上实现第一体电阻率。芯结构包含硅，注入工艺包含将掺杂剂注入到第一侧的表面中，并且掺杂剂选自包含金(au)、银(ag
3、在另一实施例中，提供了一种形成半导体器件封装的方法。所述方法通常包括将芯结构的第一侧暴露于注入工艺，以在芯结构的第一侧的表面上实现第一体传导率。芯结构包含硅，注入工艺包含将掺杂剂注入到第一侧的表面中，掺杂剂选自包含金(au)、银(ag)、钯(pd)、锰(mn)、氢(h)、砷(as)、氮(n)和氧(o)的群组。所述方法还包括在执行注入工艺之后使芯结构退火。所述方法还包括在芯结构中形成多个孔。多个孔从芯结构的第一侧延伸到与第一侧相对的第二侧，并且定位为允许在半导体器件封装内在第一侧与第二侧之间形成一个或多个导电互连。所述方法还包括将芯结构嵌入介电材料中。
4、在另一实施例中，提供了一种形成半导体器件组件的方法。所述方法通常包括在芯结构之上形成氧化层。芯结构具有小于约100μm的厚度。所述方法还包括将掺杂剂注入到芯结构中，以实现期望的体电阻率或期望的体传导率。所述方法还包括使芯结构退火。所述方法还包括在芯结构中形成多个孔和至少一个空腔。多个孔从芯结构的第一侧延伸到芯结构的第二侧。所述方法还包括经由损伤移除工艺从芯结构移除氧化层。所述方法还包括在至少一个空腔中设置管芯。管芯包含至少一个接触件。所述方法还包括在芯结构周围形成绝缘层。所述方法还包括在绝缘层和芯结构中形成至少一个接触孔。至少一个接触孔暴露至少一个接触件。所述方法还包括在芯结构的第一侧上形成第一再分布层。第一再分布层包含再分布连接，以将管芯的至少一个接触件电耦合到半导体器件组件的主表面。所述方法还包括在芯结构的第二侧上形成第二再分布层，其中第一再分布层和第二再分布层各自具有形成在其上的一个或多个导电接触件。
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1.一种形成半导体器件封装的方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述注入工艺之前在所述芯结构的所述第一侧的所述表面上形成氧化层。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包含以下步骤：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述芯结构中形成空腔，其中所述空腔形成在所述芯结构的所述第一侧中。
5.如权利要求4所述的方法，其中将所述芯结构嵌入介电材料中的步骤包含以下步骤：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一体电阻率为至少1kΩ-cm。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述注入工艺包含用离子束扫描所述芯结构的至少所述第一侧。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述注入工艺包含等离子体浸没工艺。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述注入工艺之前将所述芯结构减薄至小于约200μm的厚度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述芯结构包含单晶硅基板或单结晶硅基板。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述
12.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂为金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)或锰(Mn)中的至少一者。
13.如权利要求1所述的方法，其中使所述芯结构退火的步骤产生所述芯结构的所述第一侧的所述表面上的第二体电阻率。
14.如权利要求1所述的方法，其中在所述芯结构中形成所述多个孔之后，将所述芯结构的所述第一侧暴露于注入工艺。
15.一种形成半导体器件封装的方法，包含以下步骤：
16.如权利要求15所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述注入工艺之前，在所述芯结构的所述第一侧的所述表面上施加氧化层。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述第一体传导率为至少1W/mK的体热导率。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述第一体传导率为0.1S/m或更小的体电导率。
19.如权利要求15所述的方法，其中使所述芯结构退火的步骤产生在所述芯结构的所述第一侧的所述表面上的第二体传导率。
20.一种形成半导体器件组件的方法，包含以下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成半导体器件封装的方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述注入工艺之前在所述芯结构的所述第一侧的所述表面上形成氧化层。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包含以下步骤：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述芯结构中形成空腔，其中所述空腔形成在所述芯结构的所述第一侧中。
5.如权利要求4所述的方法，其中将所述芯结构嵌入介电材料中的步骤包含以下步骤：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一体电阻率为至少1kω-cm。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述注入工艺包含用离子束扫描所述芯结构的至少所述第一侧。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述注入工艺包含等离子体浸没工艺。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述注入工艺之前将所述芯结构减薄至小于约200μm的厚度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述芯结构包含单晶硅基板或单结晶硅基板。
11.如权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·索温，S·巴纳，N·迈蒂，O·那拉玛苏，G·E·迪肯森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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