【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及一种氮化物基半导体器件。更具体地说，本专利技术涉及一种侧面被导电层覆盖的氮化物基半导体器件。
技术介绍
1、近年来，高电子迁移率晶体管(hemt)的研究日益深入，尤其在高功率开关和高频应用方面。iii族氮化物基hemt利用两种具有不同带隙的材料之间的异质结界面形成量子阱结构，该结构可容纳二维电子气(2deg)区域，满足高功率/频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件示例还包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂场效应晶体管(modfet)。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮化物基半导体器件。氮化物基半导体器件包括氮化物基半导体芯片、多个第一连接层、多个第二连接层和金属层。氮化物基半导体芯片包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、顶面、多个第一导电垫、多个第二导电垫、底面和多个侧面。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙，在第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层之间的界面附近形成2deg区域。第一和第二导电垫嵌入顶面。第二导电垫位于第一导电垫之间。底面与顶面相对。侧面连接顶面和底面。侧面是倾斜的。第一连接层连接到第一导电垫。第二连接层连接第二电性接触垫，金属层设置于底面上，第一连接层覆盖侧面，且每个第二连接层的部分位于其中一第一连接层的正上方。
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮化物基半导体器件的制造
3、根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮化物基半导体器件。氮化物基半导体器件包括氮化物基半导体芯片、多个第一连接层和多个第二连接层。氮化物基半导体芯片包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、顶面和多个侧面。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙，在第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层之间的界面附近形成2deg区域。侧面连接到顶面。第一连接层通过顶面电连接到氮化物基半导体芯片。第二连接层通过顶面电连接到氮化物基半导体芯片。每个第一连接层覆盖其中一个侧面，并在其末端具有第一连接表面。每个第二连接层向上延伸，并在其末端具有第二连接表面。第一连接面位于第一高度，第二连接面位于第二高度，其中第二高度高于第一高度。
4、通过上述配置，氮化物基半导体芯片可通过第一连接层和第二连接层形成电连接，且第一连接层和第二连接层在芯片周围提供多个连接位置，氮化物基半导体芯片与其他器件之间的连接可容易且正确地形成，且连接的设计具有很高的灵活性。
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1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述氮化物基半导体芯片的底面大于所述氮化物基半导体芯片的顶面。
3.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述金属层的底面与所述第一连接层的第一连接面共面，且所述第一连接面位于每个第一连接层的末端。
4.如前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第一介电层，其中，所述第一介电层设置在所述侧面与所述第一连接层之间，且每个第一介电层的底部位于所述金属层与其中一个所述第一连接层之间。
5.如前述任一项权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中，每个第二连接层均具有第二连接面，所述第二连接面与所述氮化物基半导体芯片的顶面平行，且所述第二连接面位于所述氮化物基半导体器件的顶部。
6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第二介电层，其中，所述第二介电层设置在所述第一连接层与所述第二连接层之间。
7.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，每个所述第二介电层的顶面与所述氮化物基半导体芯片的
8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述金属层与所述第一连接层连接。
9.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接层的第一连接面与所述金属层的底面共面，且所述第一连接面围绕所述底面，所述第一连接面位于每个第一连接层的末端。
10.如前述任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第一介电层，所述第一介电层设置在所述氮化物基半导体芯片的侧面，且每个第一介电层均具有底部，所述底部环绕所述金属层，且每个第一连接层的第一连接面位于其中一个第一介电层的底部上方，所述第一连接层的第一连接面位于所述氮化物基半导体器件的侧面。
11.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述氮化物基半导体芯片具有多个位于所述侧面底部的突起结构，所述第一介电层的底部覆盖所述突起结构。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述侧面是直的且倾斜的。
13.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，每一个第一连接层均具有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部与其中一个第一导电垫连接，所述第二连接部设置在所述氮化物基半导体芯片的其中一个侧面上并与所述金属层连接，且所述第一连接部与所述第二连接部不连接。
14.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接层向所述氮化物基半导体器件的底部延伸，并且所述第二连接层向所述氮化物基半导体器件的顶部延伸。
15.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接层与所述第二连接层不连接。
16.一种制造氮化物基半导体器件的方法，包括：
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，在设置所述第一连接层的步骤之前，该方法还包括：
18.如前述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，设置所述第一连接层的步骤包括：
19.如前述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，设置所述第一连接层的步骤包括：
20.如前述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，设置所述第一连接层的步骤包括：
21.一种氮化物基半导体器件，包括：
22.根据权利要求21所述的氮化物基半导体器件，其中，所述氮化物基半导体芯片具有底面，且所述底面与所述顶面相对，侧面连接顶面与底面，且底面大于顶面。
23.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接层与所述第二连接层不连接。
24.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接面位于所述氮化物基半导体器件的底部。
25.根据前述权利要求中的任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接面位于所述氮化物基半导体器件的侧面。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述氮化物基半导体芯片的底面大于所述氮化物基半导体芯片的顶面。
3.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述金属层的底面与所述第一连接层的第一连接面共面，且所述第一连接面位于每个第一连接层的末端。
4.如前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第一介电层，其中，所述第一介电层设置在所述侧面与所述第一连接层之间，且每个第一介电层的底部位于所述金属层与其中一个所述第一连接层之间。
5.如前述任一项权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中，每个第二连接层均具有第二连接面，所述第二连接面与所述氮化物基半导体芯片的顶面平行，且所述第二连接面位于所述氮化物基半导体器件的顶部。
6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第二介电层，其中，所述第二介电层设置在所述第一连接层与所述第二连接层之间。
7.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，每个所述第二介电层的顶面与所述氮化物基半导体芯片的顶面平行，并且所述第二连接层覆盖所述第二介电层的顶面。
8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体器件，其中，所述金属层与所述第一连接层连接。
9.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述第一连接层的第一连接面与所述金属层的底面共面，且所述第一连接面围绕所述底面，所述第一连接面位于每个第一连接层的末端。
10.如前述任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，还包括多个第一介电层，所述第一介电层设置在所述氮化物基半导体芯片的侧面，且每个第一介电层均具有底部，所述底部环绕所述金属层，且每个第一连接层的第一连接面位于其中一个第一介电层的底部上方，所述第一连接层的第一连接面位于所述氮化物基半导体器件的侧面。
11.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中，所述氮化物基半导体芯片具有多个位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱尚青，曹凯，张建平，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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