【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率电子器件，特别涉及一种门极电阻、sic功率模块及动态均流控制方法。
技术介绍
1、sic(碳化硅)功率模块是一种高性能的功率电子器件，具有高温、高频、高压等优势，被广泛应用于新能源、电动汽车、工业驱动等领域。sic mosfet是sic功率模块的核心部件，其具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力等特点，可以实现高效率的功率转换。
2、在现有的sic功率模块中，为了提高单个模块的输出电流，经常会使用多个sic芯片并联，组成一个单元，由于走线布局原因，并联芯片的信号回路常常会不一致，同时也因为芯片本体的不一致性，会导致芯片开关速度不同，进而导致动态不均流；现有的方法常常是使用门级电阻的方式，用门级电阻消弱上述不一致性。同时在现有解决方案中，常常通过在amb上面布线的方式，占用了amb很多的空间，造成了尺寸上的浪费。同时因为amb制作和加工工艺的特点，会导致lg较大。
3、综上所述，现有技术中的解决方案在功率密度、信号走线和设计匹配等方面存在一定的问题和限制。因此，需要提供一种新的方法来解决这些问题，并提高sic功率模块的性能和可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种门极电阻、sic功率模块及动态均流控制方法，以精确的调整每个电阻的阻值，确保动态开关一致，进而提高sic功率模块的性能和可靠性。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、第一方面，本专利技术提供了一种门极电阻，包括：
4、
5、绝缘层，设置在所述金属层的上方；
6、第一回路金属层，设置在所述绝缘层的上方；
7、第二回路金属层，设置在所述绝缘层的上方，且与所述第一回路金属层不接触；
8、第三回路金属层，设置在所述绝缘层的上方，且与所述第一回路金属层和第二回路金属层均不接触；
9、电阻，设置在所述第二回路金属层和第三回路金属层之间，并与所述第二回路金属层和第三回路金属层接触。
10、可选的，所述第一回路金属层包括：
11、第一金属条和第二金属条，所述第一金属条的一端和第二金属条的一端连接。
12、可选的，所述第一金属条和第二金属条连接后形成直角。
13、可选的，所述电阻为可调电阻。
14、可选的，通过激光修阻法对所述电阻的阻值进行调节。
15、第二方面，本专利技术提供了一种sic功率模块，包括上述的门极电阻、sic mos芯片以及amb基板；
16、所述门极电阻、sic mos芯片以及amb基板组成sic功率单元；
17、所述门极电阻设置在所述amb基板上；
18、所述门极电阻还与所述sic mos芯片连接。
19、可选的，所述sic功率单元为多个，且多个所述sic功率单元并联。
20、第三方面，本专利技术提供了一种sic功率模块动态均流控制方法，所述控制方法应用于第二方面所述的sic功率模块，所述控制方法包括：
21、获取sic mos芯片的内阻、栅极电容、栅极电感以及栅极阻抗；
22、基于所述sic mos芯片的内阻、栅极电容、栅极电感以及栅极阻抗计算目标阻值；
23、基于所述目标阻值对电阻进行修阻，使所述电阻的阻值达到所述目标阻值。
24、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
25、本专利技术通过将门级电阻布置在amb正面，避免在amb上设计栅极回路和e极回路，减少了功率模块的体积，提高了功率密度；通过修阻方式匹配每个sic mos对应的门级电阻，确保动态开关一致，实现动态均流，提高了功率模块的稳定性和可靠性；电阻功能体可以通过激光等方法修阻，根据需要调整每个sic mos对应的门级电阻，提供了灵活可调的电阻值选择，满足不同应用需求；信号走线从电阻上走，避免了在amb上设计栅极回路和e极回路，简化了功率模块的设计过程，减少了设计复杂度。
26、综上所述，相比现有技术，本专利技术方案具有提高功率密度、实现动态均流、灵活可调的电阻值、减少设计复杂度和提高可维护性等优势。
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1.一种门极电阻，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，所述第一回路金属层包括：
3.根据权利要求2所述的门极电阻，其特征在于，所述第一金属条和第二金属条连接后形成直角。
4.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，所述电阻为可调电阻。
5.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，通过激光修阻法对所述电阻的阻值进行调节。
6.一种SiC功率模块，其特征在于，包括如权利要求1-5任意一项所述的门极电阻、SiCMOS芯片以及AMB基板；
7.根据权利要求6所述的SiC功率模块，其特征在于，所述SiC功率单元为多个，且多个所述SiC功率单元并联。
8.一种SiC功率模块动态均流控制方法，其特征在于，所述控制方法应用于如权利要求6-7任意一项所述的SiC功率模块，所述控制方法包括：
【技术特征摘要】
1.一种门极电阻，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，所述第一回路金属层包括：
3.根据权利要求2所述的门极电阻，其特征在于，所述第一金属条和第二金属条连接后形成直角。
4.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，所述电阻为可调电阻。
5.根据权利要求1所述的门极电阻，其特征在于，通过激光修阻法对所述电阻的阻值进行调节...
【专利技术属性】
技术研发人员：张若鸿，尹文东，郭艳兵，周洋，
申请(专利权)人：合肥阿基米德电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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