【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及干燥设备，尤其涉及一种钙钛矿真空干燥装置。
技术介绍
1、vcd（vacuum concentration drying），即真空干燥设备，是钙钛矿狭缝涂布的核心设备之一。其结构一般为一方体密闭腔体，将涂膜后的基板放入该腔体内，通过抽真空的方式降低腔室的气压，使基板表面的液膜迅速挥发，使钙钛矿液膜迅速进入过饱和状态，进而迅速成核，实现均匀涨晶。钙钛矿液膜进入vcd腔体以后，蒸发一部分溶剂后，一旦进入饱和态或过饱和态，成核和涨晶过程将同时开始，通过调节溶剂蒸发速率可以控制及调节成核涨晶过程，一般快速的蒸发速率可以加速成核，减少成核涨晶并存的时间，进而实现成核速率远远大于涨晶速率，当均匀成核以后即可通过加热退火缓慢涨晶，由于涨晶是在成核的基础上涨晶，故使涨晶过程可控。为了得到良好的钙钛矿薄膜，vcd需要满足两个关键条件，使溶剂快速蒸发，基板上各点蒸发速率均衡。
2、在现有技术中，真空泵通过管道对腔体进行抽气，并通过加大抽气功率，使溶剂快速蒸发。但是传统的vcd采用下抽式结构，对大面积钙钛矿液膜干燥时，会出现基板上各点蒸发速率不均衡的问题，即基板四周区域的溶剂蒸发快，而基板中心区域的溶剂蒸发慢，从而导致钙钛矿薄膜的质量下降，无法满足要求。即使vcd采用上抽式，对大面积钙钛矿液膜干燥时，也无法避免基板上各点蒸发速率不均衡的问题。
3、如何使真空干燥装置抽气更加均衡，是一件急需解决的难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种钙钛矿真空干燥装置
2、本专利技术的目的采用以下技术方案实现：
3、一种钙钛矿真空干燥装置，包括：
4、箱体，所述箱体具有真空腔室，所述真空腔室用于放置基板；
5、管道组件，所述管道组件的第一端与真空泵连接，所述管道组件的第二端具有至少一个接口，所述接口与所述真空腔室连通，每个所述接口到所述管道组件的第一端的距离相等；
6、层流板组件，所述层流板组件设置于所述真空腔室并设置于所述基板的上方，所述层流板组件至少包括一个层流板，所述层流板上设置有多个均匀分布的抽气孔；
7、其中，所述接口设置于所述抽气孔的上方，每个所述抽气孔到对应的所述接口的距离相等，以使每个所述抽气孔到所述管道组件的第一端的距离相等。
8、优选地，所述层流板上设置有至少一个通气通道，所述通气通道设置于所述层流板背向所述基板的一侧，所述抽气孔靠近所述通气通道的两端设置，所述通气通道将所述抽气孔连通，所述接口设置于所述通气通道的上方，每个所述抽气孔到对应的所述接口的距离相等，以使每个所述抽气孔到所述管道组件的第一端的距离相等。
9、优选地，每两个所述通气通道交叉设置并形成交叉点，每个所述抽气孔到对应的所述交叉点的距离相等，所述接口设置于所述交叉点的上方。
10、优选地，所述层流板组件包括第一层流板和设置于所述第一层流板上方的第二层流板；
11、所述第一层流板包括至少两个第一通气通道和多个第一抽气孔，每两个所述第一通气通道交叉设置并形成第一交叉点，每个所述第一抽气孔到对应的所述第一交叉点的距离相等；
12、所述第二层流板包括至少两个第二通气通道和多个第二抽气孔，每两个所述第二通气通道交叉设置并形成第二交叉点，每个所述第二抽气孔到对应的所述第二交叉点的距离相等，所述第二抽气孔设置于所述第一交叉点的上方，所述接口设置于所述第二交叉点的上方，以使所述第二抽气孔到所述管道组件的第一端的距离相等。
13、优选地，两个交叉设置的所述第一通气通道相互垂直设置，两个交叉设置的所述第二通气通道相互垂直设置。
14、优选地，所述第一层流板朝向所述基板的一侧具有自所述第一抽气孔向四周延伸的外扩状结构，所述外扩状结构与所述第一抽气孔对应设置。
15、优选地，所述层流板组件背向所述基板并朝向所述箱体的一侧与所述箱体紧密配合，以避免相邻所述接口之间相互干扰；或者，
16、所述接口直接与所述通气通道一一对应连接。
17、优选地，还包括承载组件，所述承载组件包括载物台，所述载物台设置于所述真空腔室并用于承载所述基板。
18、优选地，所述承载组件还包括驱动机构，所述驱动机构用于调节载物台的高度，以调节所述基板到所述层流板组件的距离。
19、优选地，所述管道组件包括依次连接的一级管道、二级管道、三级管道和四级管道，所述一级管道与所述真空泵连接，所述四级管道与所述真空腔室连通。
20、与现有技术相比，本专利技术的有益效果至少包括：
21、本专利技术的钙钛矿真空干燥装置，通过将接口设置于抽气孔的上方，每个抽气孔到对应的接口的距离相等，并使每个抽气孔到管道组件的第一端的距离相等，当真空泵工作时，气体从每个抽气孔到达真空泵的距离相等，即每个抽气孔处受到真空泵的吸力相同，这样能够确保每个抽气孔处的气压更加均衡，进而确保基板上各点蒸发速率均衡，从而确保了基板上各点涨晶更加一致，提高了钙钛矿薄膜的质量。
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1.一种钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述层流板上设置有至少一个通气通道，所述通气通道设置于所述层流板背向所述基板的一侧，所述抽气孔靠近所述通气通道的两端设置，所述通气通道将所述抽气孔连通，所述接口设置于所述通气通道的上方，每个所述抽气孔到对应的所述接口的距离相等，以使每个所述抽气孔到所述管道组件的第一端的距离相等。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，每两个所述通气通道交叉设置并形成交叉点，每个所述抽气孔到对应的所述交叉点的距离相等，所述接口设置于所述交叉点的上方。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述层流板组件包括第一层流板和设置于所述第一层流板上方的第二层流板；
5.根据权利要求4所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，两个交叉设置的所述第一通气通道相互垂直设置，两个交叉设置的所述第二通气通道相互垂直设置。
6.根据权利要求4所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述第一层流板朝向所述基板的一侧具有自所述第一
7.根据权利要求2所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述层流板组件背向所述基板并朝向所述箱体的一侧与所述箱体紧密配合，以避免相邻所述接口之间相互干扰；或者，
8.根据权利要求1所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，还包括承载组件，所述承载组件包括载物台，所述载物台设置于所述真空腔室并用于承载所述基板。
9.根据权利要求8所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述承载组件还包括驱动机构，所述驱动机构用于调节载物台的高度，以调节所述基板到所述层流板组件的距离。
10.根据权利要求1所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述管道组件包括依次连接的一级管道、二级管道、三级管道和四级管道，所述一级管道与所述真空泵连接，所述四级管道与所述真空腔室连通。
...【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述层流板上设置有至少一个通气通道，所述通气通道设置于所述层流板背向所述基板的一侧，所述抽气孔靠近所述通气通道的两端设置，所述通气通道将所述抽气孔连通，所述接口设置于所述通气通道的上方，每个所述抽气孔到对应的所述接口的距离相等，以使每个所述抽气孔到所述管道组件的第一端的距离相等。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，每两个所述通气通道交叉设置并形成交叉点，每个所述抽气孔到对应的所述交叉点的距离相等，所述接口设置于所述交叉点的上方。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，所述层流板组件包括第一层流板和设置于所述第一层流板上方的第二层流板；
5.根据权利要求4所述的钙钛矿真空干燥装置，其特征在于，两个交叉设置的所述第一通气通道相互垂直设置，两个交叉设置的所述第二通气通道相互垂直设置。
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，王锦山，
申请(专利权)人：德沪涂膜设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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