System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 低介电聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜制造技术_技高网

低介电聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜制造技术

技术编号:42108620 阅读:9 留言:0更新日期:2024-07-25 00:31
本发明专利技术提供一种低介电聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜,所述低介电聚酰胺酸包含二酐成分和二胺成分进行聚合而成,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)和对‑亚苯基‑双苯偏三酸酯二酐(p‑phenylenebis(trimellitateanhydride),TAHQ)组成的组中的两种以上;所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(ODA)、间联甲苯胺(m‑tolidine)和对苯二胺(PPD)组成的组中的一种以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜,其具有优异的低介电性、粘性和耐热性。


技术介绍

1、聚酰亚胺(polyimide,pi)是基于硬质芳香族主链和化学稳定性极佳的酰亚胺环,在有机材料中也具有最高水准的耐热性、耐药品性、电绝缘性、耐化学性和耐候性的聚合物材料。

2、尤其地,它作为一种高功能聚合物材料,因其卓越的绝缘特性,即诸如地节点常数等优异的电气特性,而在电气、电子和光学领域等备受关注。

3、近年来,随着电子产品的轻量化、小型化,正在积极开发集成度高、柔性化薄型电路基板。

4、这种薄型电路处于大量使用在具有优异的耐热性、耐低温性及绝缘特性,且容易弯曲的聚酰亚胺薄膜上形成包含金属箔的电路的结构的趋势。

5、主要使用柔性金属覆层板作为这种薄型电路基板,作为一个示例,其包含使用薄铜板作为金属箔的柔性覆铜板(flexiblecoppercladlaminate,fccl)。此外,也将聚酰亚胺用作薄型电路基板的保护膜或绝缘膜等。

6、另一方面,最近随着在电子设备中内置各种功能,要求所述电子设备具有快速的运算速度和通信速度,为了满足这种要求,正在开发能够以高频实现高速通信的薄型电路基板。

7、为了实现高频高速通信,需要一种即使在高频下也能够维持电气绝缘性的具有高阻抗(impedance)的绝缘体。阻抗与在绝缘体中形成的频率及介电常数(dielectricconstant,dk)具有反比关系,因此,介电常数必须尽可能低,以便在高频情况下也能保持绝缘。

8、然而,对于通常的聚酰亚胺而言,其介电特性并未优秀到能够在高频通信中保持充足的绝缘特性的程度。

9、另外,据悉,由于绝缘体越是具有低介电特性,在薄型电路基板中就越能减少产生不良寄生电容(stray capacitance)和噪声,从而可以在很大程度上消除通信延迟的原因。

10、因此,具有低介电特性的聚酰亚胺被公认为是薄型电路基板性能中最重要的因素。

11、特别是在高频通信的情况下,不可避免地会由于聚酰亚胺产生介电损耗(dielectric dissipation),而介电损耗率(dielectric dissipation factor,df)意味着薄型电路基板的电能浪费程度,其与决定通信速度的信号传递延迟密切相关,因此将聚酰胺的介电损耗率尽可能保持在较低水准,也被认为是薄型电路基板性能中的重要因素。

12、另外,聚酰亚胺薄膜中包含的潮气越多,介电常数就越高,介电损耗率也越高。就聚酰亚胺薄膜而言,由于其优异的固有特性,适合作为薄型电路基板材料,但由于其具有极性的酰亚胺基团可能相对容易受潮,因此可能会导致绝缘特性变低。

13、因此,迫切需要开发一种在将聚酰亚胺特有的机械特性、热特性保持在一定水准的同时具有介电特性,特别是据欧低介电损耗率的聚酰亚胺薄膜。

14、现有技术文献

15、专利文献

16、专利文献1:韩国公开专利公报第10-2021-0055230号(公开日:2021年5月17日)


技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、为了解决如上所述的问题,本专利技术的目的在于提供一种具有优异的低介电、高粘性和耐热性能的聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜。

3、因此,本专利技术的实质目的在于提供其具体实施例。

4、用于解决技术问题的手段

5、用于达成如上所述的目的,本专利技术实施方式中提供一种聚酰胺酸,所述聚酰胺酸包含二酐成分和二胺成分进行共聚而成,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(bpda)、均苯四羧酸二酐(pmda)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylenebis(trimellitateanhydride),tahq)组成的组中的两种以上;

6、所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(oda)、间联甲苯胺(m-tolidine)和对苯二胺(ppd)组成的组中的一种以上。

7、(然而,所述聚酰胺酸必须包含间联甲苯胺作为所述二胺成分。)

8、本专利技术的另一实施方式中提供一种聚酰亚胺薄膜,所述聚酰亚胺薄膜通过对包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液进行酰亚胺化反应而得,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(bpda),均苯四羧酸二酐(pmda)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylenebis(trimellitateanhydride),tahq)组成的组中的两种以上;

9、所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(oda)、间联甲苯胺(m-tolidine)和对苯二胺(ppd)组成的组中的一种以上。

10、(然而,所述聚酰亚胺薄膜必须包含间联甲苯胺作为所述二胺成分。)

11、本专利技术的另一个实施方式中提供一种包含所述聚酰亚胺薄膜和热塑性树脂层的多层膜。

12、本专利技术的另一个实施方式中提供一种包含所述聚酰亚胺薄膜和导电性金属箔的柔性金属箔层压板。

13、本专利技术的另一个实施方式中提供一种包含柔性金属箔层压板的电子部件。

14、专利技术的效果

15、如上所述,本专利技术通过由特定成分和特定配比构成的聚酰胺酸和聚酰亚胺薄膜提供低介电特性、高粘性和高耐热特性,从而可以有效地适用于需要这些特性的各种领域,特别是电子部件,例如柔性金属箔层压板等。

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【技术保护点】

1.一种聚酰胺酸,所述聚酰胺酸包含二酐成分和二胺成分进行共聚而成,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylenebis(trimellitateanhydride),TAHQ)组成的组中的两种以上;所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(ODA)、间联甲苯胺(m-tolidine)和对苯二胺(PPD)组成的组中的一种以上。(然而,所述聚酰胺酸必须包含间联甲苯胺作为所述二胺成分。)

2.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,以所述二酐成分的总含量100摩尔%为基准,所述联苯四羧酸二酐的含量为30摩尔%以上、75摩尔%以下,所述均苯四羧酸二酐的含量为60摩尔%以下,所述对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的含量为30摩尔%以上、70摩尔%以下。

3.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,以所述二胺成分的总含量100摩尔%为基准,所述间联甲苯胺的含量为40摩尔%以上、100摩尔%以下,所述对苯二胺的含量为60摩尔%以下,所述二胺基二苯醚的含量为60摩尔%以下。

4.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,间联甲苯胺的摩尔%和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的摩尔%的比例(间联甲苯胺的摩尔%/对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐)为1.1以上、3.5以下。

5.一种聚酰亚胺薄膜,所述聚酰亚胺薄膜通过对包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液进行酰亚胺化反应而获得,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylenebis(trimellitateanhydride),TAHQ)组成的组中的两种以上;所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(ODA)、间联甲苯胺(m-tolidine)和对苯二胺(PPD)组成的组中的一种以上。(然而,所述聚酰亚胺薄膜必须包含间联甲苯胺作为所述二胺成分。)

6.根据权利要求5所述的聚酰亚胺薄膜,以所述二酐成分的总含量100摩尔%为基准,所述联苯四羧酸二酐的含量为30摩尔%以上、75摩尔%以下,所述均苯四羧酸二酐的含量为60摩尔%以下,所述对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的含量为30摩尔%以上、70摩尔%以下。

7.根据权利要求5所述的聚酰亚胺薄膜,以所述二胺成分的总含量100摩尔%为基准,所述间联甲苯胺的含量为40摩尔%以上、100摩尔%以下,所述对苯二胺的含量为60摩尔%以下,所述二胺基二苯醚的含量为60摩尔%以下。

8.根据权利要求5所述的聚酰亚胺薄膜,聚酰亚胺薄膜的介电损耗率(Df)为0.0025以下,粘度为0.8gf/cm以上。

9.根据权利要求5所述的聚酰亚胺薄膜,间联甲苯胺的摩尔%和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的摩尔%的比例(间联甲苯胺的摩尔%/对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐)为1.1以上、3.5以下。

10.一种多层薄膜,其中,包含权利要求5~9中任一项所述的聚酰亚胺薄膜和热塑性树脂层。

11.一种柔性金属箔层压板,其中,包含权利要求5~9中任一项所述的聚酰亚胺薄膜和导电性金属箔。

12.一种电子部件,其中,包韩权利要求11所述的柔性金属箔层压板。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种聚酰胺酸,所述聚酰胺酸包含二酐成分和二胺成分进行共聚而成,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(bpda)、均苯四羧酸二酐(pmda)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylenebis(trimellitateanhydride),tahq)组成的组中的两种以上;所述二胺成分包含选自由二胺基二苯醚(oda)、间联甲苯胺(m-tolidine)和对苯二胺(ppd)组成的组中的一种以上。(然而,所述聚酰胺酸必须包含间联甲苯胺作为所述二胺成分。)

2.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,以所述二酐成分的总含量100摩尔%为基准,所述联苯四羧酸二酐的含量为30摩尔%以上、75摩尔%以下,所述均苯四羧酸二酐的含量为60摩尔%以下,所述对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的含量为30摩尔%以上、70摩尔%以下。

3.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,以所述二胺成分的总含量100摩尔%为基准,所述间联甲苯胺的含量为40摩尔%以上、100摩尔%以下,所述对苯二胺的含量为60摩尔%以下,所述二胺基二苯醚的含量为60摩尔%以下。

4.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,间联甲苯胺的摩尔%和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐的摩尔%的比例(间联甲苯胺的摩尔%/对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐)为1.1以上、3.5以下。

5.一种聚酰亚胺薄膜,所述聚酰亚胺薄膜通过对包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液进行酰亚胺化反应而获得,所述二酐成分包含选自由联苯四羧酸二酐(bpda)、均苯四羧酸二酐(pmda)和对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenyle...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵珉相李吉男白承烈蔡洙京
申请(专利权)人:聚酰亚胺先端材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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