【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于溅射镀膜，具体涉及一种磁控溅射真空镀膜设备。
技术介绍
1、在现有技术中，由于注塑机的产出注塑件基片速度较快，同时这些注塑件基片表面在微观层面充满缺陷，容易在一定时间后在吸附空气中水分子；如果不能及时让注塑件基片在吸水之前进行镀膜，将会导致溅射镀膜的膜层不牢靠，容易发生脱膜等问题，打乱生产节奏。
2、为此，现有技术cn117721429a中提供了一种磁控溅射镀膜设备，该设备在使用时：将基片放在传送装置上，并由传送装置传送至镀膜发生室的离子源处清洗基片，然后将基片继续往前传送至靶材下方的位置，进行表面堆积成膜，最后当镀膜完成后，回到离子源位置，通入保护气体，用离子源为基片覆盖上一层特殊保护膜，以防氧化。
3、但是，该设备在使用时存在如下缺陷：镀膜发生室中需要留出基片在靶材与离子源之间移动的空间，空间利用率低；所多余的空间造成氩气和保护气体的多余消耗，提高成本；在新一轮的镀膜过程中，若镀膜发生室中残余保护气体，将会影响基片的清洗作业。
技术实现思路
1、为了解决现有技术存在的上述问题，本方案提供了一种磁控溅射真空镀膜设备。
2、本专利技术所采用的技术方案为：
3、一种磁控溅射真空镀膜设备，包括设备机体、载物台、抽真空装置和旋转盘；
4、所述设备机体内部设置有镀膜发生室和转盘安装腔；所述镀膜发生室的前侧设置有前侧开口，在前侧开口处设置有抽屉门，所述抽屉门能够密封所述前侧开口；所述转盘安装腔设置于镀膜发生室的上方，且
5、所述载物台能够移出至镀膜发生室外以取放工件基片，所述载物台还能够放入镀膜发生室内的作业窗正下方；
6、旋转盘可旋转的设置于转盘安装腔内，在旋转盘上设置有离子源和靶材；所述离子源和靶材能够随旋转盘旋转，并交替移动至作业窗处，以使工件基片在氩气环境中先后进行清洗和镀膜。
7、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述镀膜发生室连通有氩气瓶，在氩气瓶的出口处设置有电磁阀，所述电磁阀的开闭及开度用于控制氩气进入镀膜发生室的速度；氩气能够使离子源产生辉光放电，以形成离子化的氩气冲击并清洗工件基片。
8、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述载物台的中部设置有用于工件基片放入工件槽腔。
9、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：在镀膜发生室的侧壁上设置有氩气注入头，氩气注入头通过管道连通氩气瓶；氩气注入头的出口端延伸至工件槽腔的斜上方。
10、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述镀膜发生室的下方设置有抽真空装置，该抽真空装置用于对镀膜发生室进行抽真空。
11、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：在镀膜发生室下方还设置有废气储气箱，所述抽真空装置的出口与废气储气箱相连，所述镀膜发生室中的氩气能够被抽送到废气储气箱内；所述废气储气箱的第一出口连通至镀膜发生室、第二出口连通大气环境，在第一出口和第二出口上分别设置有电磁阀。
12、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：在镀膜发生室的侧壁上设置有连通大气环境的排气通道，在排气通道上设置有向大气环境通气的电磁控制阀。
13、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述镀膜发生室还通过管道连通有真空控制筒，所述真空控制筒内设置有活塞，在真空控制筒的筒壁上固定有电动伸缩缸，该电动伸缩缸的伸缩杆与活塞相连，以抽取镀膜发生室中的气体。
14、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述镀膜发生室还连通有用于送入保护气的保护气源机，当镀膜完成的工件基片正对所述离子源时，保护气能够在离子源的激发下在所述基片的镀膜上覆盖一层保护膜。
15、作为上述磁控溅射真空镀膜设备的备选或补充：所述镀膜发生室的内壁上安装有加速风扇，加速风扇的出风侧和进风侧均位于镀膜发生室内；镀膜发生室的前侧开口打开时，加速风扇用于加速镀膜发生室中气体的排出。
16、本专利技术的有益效果为：
17、1、本方案中，载物台在进入到镀膜发生室后，不需要再进行位置移动，从而简化结构，提高镀膜发生室的密封性能；通过转动旋转盘的方式实现离子源与靶材位置的转换，无需为载物台移动提供空间，从而提高空间利用率；
18、2、此外，由于镀膜发生室的空间降低，在充入氩气或保护气体时，能够提高充满至指定浓度的效率，也能够降低氩气的使用量，降低成本；当需要对氩气或保护气体进行排空时，也能够提高排空效率，提高溅射镀膜作业的整体效率。
19、3、本设备的工作过程可以概述为：将工件基片放在载物台，并送入镀膜发生室中；对镀膜发生室进行抽真空；充入氩气，开启离子源产生辉光放电，使氩气离子化，冲击并清洗基片，完成基片清洗工作；再次充入氩气，开启大功率的靶材，产生辉光放电，氩气形成氩离子，在电场与磁场共同作用力下，加速冲击到靶材表面；氩离子与靶材表面原子碰撞，能量互换，使靶材表面原子飞出，在基片表面堆积成膜；溅射镀膜完成后，充入特殊保护气体，用离子源为基片覆盖上一层特殊保护膜，用以防止膜层接触大气后产生氧化。
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1.一种磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：包括设备机体（1）、载物台（18）、抽真空装置（9）和旋转盘（2）；
2.根据权利要求1所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）连通有氩气瓶（12），在氩气瓶（12）的出口处设置有电磁阀，所述电磁阀的开闭及开度用于控制氩气进入镀膜发生室（8）的速度；氩气能够使离子源（4）产生辉光放电，以形成离子化的氩气冲击并清洗工件基片（19）。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述载物台（18）的中部设置有用于工件基片（19）放入工件槽腔。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：在镀膜发生室（8）的侧壁上设置有氩气注入头（17），氩气注入头（17）通过管道连通氩气瓶（12）；氩气注入头（17）的出口端延伸至工件槽腔的斜上方。
5.根据权利要求1-4之一所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）的下方设置有抽真空装置（9），该抽真空装置（9）用于对镀膜发生室（8）进行抽真空。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射真空
7.根据权利要求6所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：在镀膜发生室（8）的侧壁上设置有连通大气环境的排气通道（6），在排气通道（6）上设置有向大气环境通气的电磁控制阀。
8.根据权利要求5所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）还通过管道连通有真空控制筒（14），所述真空控制筒（14）内设置有活塞（15），在真空控制筒（14）的筒壁上固定有电动伸缩缸（13），该电动伸缩缸（13）的伸缩杆与活塞（15）相连，以抽取镀膜发生室（8）中的气体。
9.根据权利要求1-4之一所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）还连通有用于送入保护气的保护气源机，当镀膜完成的工件基片（19）正对所述离子源（4）时，保护气能够在离子源（4）的激发下在所述基片的镀膜上覆盖一层保护膜。
10.根据权利要求9所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）的内壁上安装有加速风扇（16），加速风扇（16）的出风侧和进风侧均位于镀膜发生室（8）内；镀膜发生室（8）的前侧开口打开时，加速风扇（16）用于加速镀膜发生室（8）中气体的排出。
...【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：包括设备机体（1）、载物台（18）、抽真空装置（9）和旋转盘（2）；
2.根据权利要求1所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）连通有氩气瓶（12），在氩气瓶（12）的出口处设置有电磁阀，所述电磁阀的开闭及开度用于控制氩气进入镀膜发生室（8）的速度；氩气能够使离子源（4）产生辉光放电，以形成离子化的氩气冲击并清洗工件基片（19）。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述载物台（18）的中部设置有用于工件基片（19）放入工件槽腔。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：在镀膜发生室（8）的侧壁上设置有氩气注入头（17），氩气注入头（17）通过管道连通氩气瓶（12）；氩气注入头（17）的出口端延伸至工件槽腔的斜上方。
5.根据权利要求1-4之一所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：所述镀膜发生室（8）的下方设置有抽真空装置（9），该抽真空装置（9）用于对镀膜发生室（8）进行抽真空。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射真空镀膜设备，其特征在于：在镀膜发生室（8）下方还设置有废气储气箱（10），所述抽真空装置（9）的出口与废气储气箱（10）相连，所述镀膜发生室（8）中的氩气能够被抽送到...
【专利技术属性】
技术研发人员：张勇军，卢成，王伟，黄桂祥，刘维龙，
申请(专利权)人：成都国泰真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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