【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件通孔制作领域，更具体地说，涉及一种玻璃基板x型通孔制作方法。
技术介绍
1、在现代电子技术中，印刷电路板（pcb）作为电子产品的核心组成部分，其设计和制造工艺对整个电子设备的性能和可靠性具有至关重要的影响。pcb的主要功能是提供电气连接和机械支撑，其复杂程度随着电子设备小型化、功能多样化和高性能化的需求不断提升；采用玻璃基材的pcb相较于传统的环氧树脂基材，拥有更优的电气和机械性能，更低的介电常数，信号传输速度更高，损耗更少。为了实现玻璃基材pcb不同电路层之间的电气连接，需要在玻璃基板上开设通孔。通孔技术的发展和应用，对于提高pcb的性能和制造效率具有重要意义。
2、经检索，现有公开号为cn110491831a的专利文献提供一种制作通孔的方法及制得的器件，该方法通过正反面进行蚀刻，从而可以实现制作厚的器件的通孔。以及通过第一金属层底部结构，改变通孔内离子的方向性，使得通孔侧壁更加平滑，提高对通孔形貌的控制能力。
3、虽然上述方法虽然能够对实现制作厚的器件的通孔，但是正反面两次蚀刻，需要保证正反两次的蚀刻位置的对位精度；需要严格控制工艺参数设置以保证等离子蚀刻过程中非等向性对于孔型的影响；且需要两次蚀刻过程，导致上述方案加工玻璃基板的工艺繁琐，加工效率低下，孔型控制难度大。鉴于此，我们提出一种玻璃基板x型通孔制作方法。
技术实现思路
1、1.要解决的技术问题
2、本专利技术的目的在于提供一种玻璃基板x型通孔制作方法，以解决
3、2.技术方案
4、本专利技术是通过以下技术方案实现的：
5、一种玻璃基板x型通孔制作方法，包括
6、s1、在玻璃基板正反两面的图形区制作铝掩膜，并暴露出玻璃基板上需要开孔的位置；
7、s2、设置等离子蚀刻设备的rf电极功率、蚀刻时间、真空压力、混合气体总流量，并设置混合气体中c4f8、n2与o2的混合比例；
8、s3、利用等离子蚀刻设备对玻璃基板进行升温；
9、s4、利用等离子蚀刻设备对玻璃基板正反两面同时进行蚀刻。
10、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，所述s1包括以下子步骤：
11、s101、在玻璃基板正反两面溅镀铝掩膜；
12、s102、在铝掩膜表面贴抗蚀膜；
13、s103、对玻璃基板正反两面的图形区进行曝光，硬化图形区处的抗蚀膜；
14、s104、使用显影药水，清除未被曝光的抗蚀膜，漏出需要开孔位置的铝掩膜；
15、s105、采用氯气对玻璃基板两侧露出的铝掩膜进行等离子蚀刻，清除需要开孔位置的铝掩膜；
16、s106、使用有机剥膜液，清除玻璃基板两侧硬化后的抗蚀膜。
17、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，在s4中，蚀刻时间与玻璃基板厚度正相关。
18、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，在s4中，rf电极功率逐渐降低。
19、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，在s4中，混合气体中o2的含量逐渐上升，所述混合气体中o2的占比为70%-80%。
20、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，在s4中，混合气体中c4f8的含量逐渐下降，所述混合气体中c4f8的占比为10%-20%。
21、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，在s3与s4中，真空压力为220mtorr、混合气体总流量2500sccm。
22、作为本申请文件技术方案的一种可选方案，还包括：s5、利用等离子蚀刻设备对产生的废气主动回收并处理。
23、3.有益效果
24、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
25、1.本专利技术利用等离子蚀刻设备对玻璃基板正反两面同时进行蚀刻，有利于孔型稳定，简化工艺流程，提升蚀刻效率，降低成本。
26、2.本专利技术采用通过设置不同的蚀刻时间，能够满足不同厚度玻璃基板的开孔需求。
27、3.本专利技术通过在蚀刻过程中，逐渐降低混合气体的比例，能够对通孔的形状进行控制，在玻璃基板上形成x型通孔，便于在通孔内镀铜，减少孔内镀厚不足和空洞发生率，实现不同电路层之间的电气连接。
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1.一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：所述S1包括以下子步骤：
3.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：在S4中，蚀刻时间与玻璃基板（1）厚度正相关。
4.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：在S4中，RF电极功率逐渐降低。
5.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：在S4中，混合气体中O2的含量逐渐上升，所述混合气体中O2的占比为70%-80%。
6.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：在S4中，混合气体中C4F8的含量逐渐下降，所述混合气体中C4F8的占比为10%-20%。
7.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：在S3与S4中，真空压力为220mtorr、混合气体总流量2500sccm。
8.根据权利要求1所述的一种玻璃基板X型通孔制作方法，其特征在于：还包括：S5、利用等离子蚀刻设备
...【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板x型通孔制作方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种玻璃基板x型通孔制作方法，其特征在于：所述s1包括以下子步骤：
3.根据权利要求1所述的一种玻璃基板x型通孔制作方法，其特征在于：在s4中，蚀刻时间与玻璃基板（1）厚度正相关。
4.根据权利要求1所述的一种玻璃基板x型通孔制作方法，其特征在于：在s4中，rf电极功率逐渐降低。
5.根据权利要求1所述的一种玻璃基板x型通孔制作方法，其特征在于：在s4中，混合气体中o2的含量逐渐上升...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃祥丽，汤浩，祝国旗，文善政，
申请(专利权)人：淄博芯材集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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